芯片强化散热研究新领域_低熔点液体金属散热技术的提出与发展_刘静pdf

芯片强化散热研究新领域_低熔点液体金属散热技术的提出与发展_刘静pdf 2006年第 22卷第 6 期 电子机械工程 2006.Vol.22 No.6 Electro-MechanicalEngineering 9 芯片强化散热研究新领域 , ———低熔点液体金属散热技术的提出与发展 刘 静,周一欣 (中国科学院理化技术研究所, 北京 100080) 摘 要 :近年来, 高集成度计算机芯片 、光电器件等引发的热障问题 ,已成为制约其持续发展的技术 瓶颈 之一。围绕这一紧迫现实需求, 提出将室温下呈液体状态的低熔点金属或其合金作为冷却流动 工质 ,以 发展先进芯片散热器的技术观念 ,并在相应的理论、试验研究及实际器件的研制等方 面取得了进 展。随后,国外也启动了类似研究,相应进展立即在产业界及学术界产生重要反响。种种 态势表明, 液 体金属芯片散热技术已成为计算机热管理领域内极具探索价值的新前沿。由于液体金 属热导率远高于 常规流体,因而在传热效果上可望显著优于传统的液冷方法, 该方法的建立为发展高 性能芯片冷却技术 开辟了一条全新的途径。回顾新方法提出的过程, 归纳出其中有待解决的一些重 要科学问题,并对其应 用前景进行展望。 关键词 :芯片冷却 ;计算机热管理 ;低熔点液态金属 ;强化换热 ;光电系统 ;微 /纳电子 中图分类号 :TN305.94;TG115.25 文献标识码 :B 文章编号 :1008 -5300(2006)06 -0009 -04 NewFrontierinEnhancedChipCoolingItsProposalandDevelopment ofLiquidCoolingMethodUsingLow-melting-pointMetalasCoolant LIUJing, ZHOUYi-xin (TechnicalInstituteofPhysicsandChemistry, TheChineseAcademyofSciences, Beijing100080, China) Abstract:Inrecentyears, the“thermalbarrier” encounteredinahighlyintegratedcomputeroroptoelectronic chiphasbecomeabotlenecktopreventitsfurtherdevelopment.Tosolvethisurgentproblem, weproposed forthefirsttimethetechnicalapproachofusingmetalwithlowmeltingpointoritsaloyasthecoolingfluid, soastodevelopadvancedchipcoolingdevice.Aseriesofprogressoftheoretical, experimentalinvestigations aswelasfabricationofpracticaldevicesweremade.Atalitlelatertime, similarefortswerealsomadea-broad, whichimmediatelyreceivedintenseatentionsfrombothindustryandacademicfields.Variousevi-dencesindicatethat, theliquidmetalbasedchipcoolingisbecominganewfrontierinthethermalmanage-mentofcomputersystem.Withmuchlargerheatconductivitythanthatofordinaryfluids, theliquidmetal wouldhavesuperiorheattransfercapacityovertraditionalcoolant, whichmayleadtoabrandnewwayfor makingadvancedchipcoolingdevice.Inthispapertheprogressofthenewmethodisreviewed, andtheim-portantscientificissuesthusraisedaresummarized.Prospectsfortheapplicationoftheliquidmetalcooling methodisalsodiscussed. Keywords:chipcooling;computerthermalmanagement;low-melting-pointliquidmetal;enhancedheat transfer;optoelectronicsystem;micro/nanoelectronics 度、减小尺寸及增加时钟频率的趋势发展, “热障 ”问 0 引 言 题因此日益严峻。按照著名的 “摩尔定律” 推算:计算 机芯片上的晶体管每18 个月翻一番,那么到 2010 近年来, 计算机、光电芯片一直是朝着提高集成 年, 芯片上晶体管的数量将突破10亿, 此时 ,芯片耗能 和 , 收稿日期:2006 -07 -14 基金项目:国家自然科学基金(批准 号:50576103, 50325622) 10 电子机械工程 第 22卷 散热问题也凸现出来。实际上 ,现有 AMD桌面 Athlon 飞速增长,要求的换热强度越来越高 ,采用水冷或热管 散 热的方式已提到日程上来, 相应产品相继出现在市 场1200 MHz产生的热量已达 66瓦 , 一颗 Pentium4 @2 上。液体因单位体积热容远大于气体 ,作为循环工 质能 GHz芯片的消耗功率更高达 75瓦 。由此带来的过高 够提供更高的冷却功率 , 是一种较佳选择。据业 界人士温度将降低芯片的工作稳定性 ,增加出错率,同时模块 分析 ,液冷可能会成为一个主流。实际上就计 算机 内部与其外部环境间所形成的热应力会直接影响到芯 CPU的散热问题而言 , Intel、NEC、松下、日立等国 片的电性能、工作频率、机械强度及可靠性。事实上, 际著名公司新近都推出了基于液冷的散热。然 而 ,不仅对于计算机芯片 ,对于大量功率电子设备、光电器 这类液体冷却虽然效率较高 ,但在运行中由于工质 蒸发件以及近年来发展迅速的微 /纳电子机械系统等,都存 或泄露等会导致器件老化、腐蚀 ,对液体及流动管 道的在着类似的广泛而迫切的散热冷却需要 ,有的情况下 要求较高,可靠性尚有待提高 ,据报道 ,有些采用 水冷的甚至要求更高 , 比如, 一些微系统的热流密度已高达 芯片易于烧毁 ,原因就在于此类系统尚不可靠, 一旦由于2103 W/cm 。这些态势都表明, 目前对高性能冷却技 术某些故障导致水流停止, 则失去冷却的芯片 温度将迅速的需求已提到了前所未有的层面 , 相关研究是多个 学攀升 ,直至烧毁。此外 ,热管、蒸汽压缩制 冷、合成微科领域共同的前沿和关注的重大课题。 喷、热电制冷等新方法在一定程度增强了芯 片的散热效 芯片技术发展对高性能冷却方法的迫切要求与实 果,但也各有优缺点。比如,热管是一种被 动散热 ,利用际应用的广阔空间,使得对超高热流密度芯片、微系统 相变传热的冷却方式,可以达到较之单相 流体更高的热流的散热技术研究一直成为国际上异常重要而活跃的研 究转移通量, 但热管制做工艺如芯体材 料的制备、工质封领域。由美国国防部远景规划项目署 (DARPA-De-装、维护及可靠性等仍有待于提高, 这使其应用受到一定fenseAdvancedResearchProjectsAgency)资助的大规 限制。热电制冷没有运动部件是 其最大优点 ,但因制冷模研究 HERETIC(heatremovalbythermo-inte-效率过低 ,系统功耗较大, 而且 制冷片热端也需增设高gratedcircuits),就旨在发展可与高密度高性能的电子 或效的散热器件 ,不利于微型化; 此外,研究人员也正在考光学器件相集成的固态和流态的散热器件。该项目 已历虑热离子冷却或热声制冷 ,但 受工作温区及整机微型化时 20余年,有关课题分布在几十所大学和国家研 究机的限制, 目前离实用还有距 离。人们一直期待有理想的构 ,经费资助总额高达数千万美元。此外 ,美国联 邦政芯片散热方法来适应计算 机 CPU的高速发展。液体冷府的其它机构包括海军研究办公室、能源部以及 NSF、却目前是比较理想且可 行的芯片散热方式,也因此引起诸NASA、NSA等也对这一类研究进行了大范围资 助。与多研究人员的重视。 为增强液体散热能力 ,研究人员提此同时,半导体工业界则为此投入了大量财力。 学术出了采用功能流体 的做法 ,将某些高导热率纳米颗粒掺界、工业界对芯片冷却主题的广泛研究,使得相关 的学入到流体工质中, 期望其换热能力会由于高导热粒子的导术活动十分活跃 ,重要的国际会议包括 ITHERM、 热性而得到强 化。但是,与金属相比 ,这种换热能力的提SEMI-THERM和 THERMINIC等 。同时, 人们在研究 高仍是有限 的 ,且流体流动特性会由于颗粒的掺入而变 弱 ,甚至可 能出现老化、腐蚀、变质及堵塞的问题 ,对的基础上还建立了一批致力于芯片冷却应用技术的公 工质、颗粒及 流动管道的要求较高 ,此方面的完善仍需司 ,如 MMR、CoolChips、Cooligy等。而美国许多大 做大量工作。 学 也成立了相应的研究中心, 以促进相应技术向应用转 化。 1 当代芯片散热技术的现状与发展态势 2 液体金属芯片散热技术的提出与发展 当前的技术现状是 ,各类计算机芯片普遍采用受 众所周知,金属具有远高于非金属材料的热导率, 迫对流空气来冷却发热器件,即通过扩展肋片,改进气 因而在许多特殊场合具有重要用途。而计算机芯片一 流分布 ,增大风压, 将冷却空气压送至散热器件表面以般工作在 0?以上, 100?以下, 设想若能将这一温区 将该处热量散走 ,此种方式的冷却效率与风扇速度成 内处于液体状态的金属作为冷却流体 , 则可望产生优 正比, 因而会产生明显噪音;而且一旦微器件发热密度 异的散热性能 。正是基于这一考虑, 我们于 2002年提 过高时 ,空气冷却将很难胜任。目前,气冷方式的散热 出了以低熔点金属或其合金作为冷却流动工质的计算 2能力已渐趋极限 (<100 W/cm),难以适应功耗继续 机芯片散热方法。这是在芯片热管理领域中首次引入 增加的需要 ,特别是在如笔记本电脑等便携式设备的 的新观念。在这种先进散热技术中 , 流通于流道内的 狭小受限空间中更是如此。随着计算机芯片集成度的工质并非常规所用的水 、有机溶液或更多功能流体 ,而 第 6期 刘静, 等:芯片强化散热研究新领域———低熔点液体金属散热技术的提出与发展 11 术媒 体 TechnologyReview以 “Metal- 是为在室温附近即可熔化的低熔点金属如镓或更低熔 点CooledComputing”为题 对之进行了报道 ;类似报道 的合金如镓铟等, 因而整套装置可做成具有对流冷 却方也见于著名科技媒体 New Scientist。 式的纯金属型散热器。由于液体金属具有远高于 水、空气及许多非金属介质的热导率 (如镓导热率约 为水的 60倍 ,高出空气 1000多倍), 且具有流动性 ,因 而可实现快速高效的热量输运能力 , 这相对于已有的 散热方式而言是一个实质性的拓展。这种低熔点液体 金属以远高于传统流动工质的热传输能力 ,最大限度 地解决了高密度能流的散热难题。特别是 ,由于采用 了液体金属 ,散热器可作得很小且易于通过功耗极低 的电磁泵驱动,由此可实现整体集成化的微型散热器。 可以预计,作为一种同时兼有高效导热和对流散热特 性的技术,液态金属散热将有望成为新一代最理想的 超高功率密度热传输技术之一。而且 , 随着今后各类 高功率芯片发热密度的持续攀升, 传统散热技术趋近 极限时 ,该项技术越能发挥作用。迄今,作者实验室在 此领域内拥有多项技术专利, 并通过各种驱动方式如 蠕动泵及电磁泵等试验论证了液态金属散热方法的优 越性。不难看出 ,液态金属 可由此引申出更多高效微型散热作为一项底层技术 ,还 散热器形式 ,并有可能打 破许多光电子芯片器件使用上的技术瓶颈。 上述技术近期得到了不少机构的高度重视。美国 Nanocooler公司在落后的情况下 , 也曾提交了同样的 专利申请并取得部分进展 (其美国和中国专利分别晚 于作者实验室 2个月、13个月 ),且在随后的时间内仅 在该项技术上就获得高达 1千万美元以上的资金投入 (相关报道见于著名的华尔街时报文章 “Start-upSees HotAreainPCCooling, byB.Sechler”-Feb.19, 2004, TheWalStreetJournal)。 2005年 11 月, 作者实验室 参加美国机械工程师学术年会 (ASME2005 IMECE) 时 ,报道了液体金属芯片散热技术的研究 ,并继而了解 到此项由中国最先提出的新一代散热技术已引起业界 广泛关注,工业界只是因受限于专利约束尚不能全面 介入相应研究,但美国学术界一些机构则正着手准备 甚至已投入该方向的研究;上述热切的研究态势凸显 了该项散热解决方案的重大意义。实际上 ,知名显卡 生产厂商 Sapphire公司在中国台北举办的 Computex 2005电子产品展会上 ,展示了一款采用液态金属散热 的图像显示卡(其技术来源正是 Nanocooler公司 ), 充 分证实了此项技术的现实可行性和实用价值。该消息 一经披露,立即引起各方面高度关注 ,美国知名技 的蒸发温度约为 2000?, 这使其不像水类物质那样易 由于以低熔点液态金属作为冷却剂的首项专利隶 于在运行中因蒸发而散失。这些热特性表明, 将镓作 属于作者实验室 ,美国公司此前的商业推进计划未能 按为芯片散热用的冷却介质十分合适。在常温下, 镓在 预期进行。作为一项崭新的芯片强化散热技术, 尚 需开展大量理论与实验研究工作, 以期推进认识相应 的基础与应用问题。有意味的是, 采用液体金属如高 温下的钠(其熔点较高 )作为一种理想的冷却工质, 以 往在同步加速器和反应堆的超高热流的极端冷却场合 下就已发挥了关键作用。可以预见 , 正如当年核反应 堆所采用的终极制冷剂 -高熔点液体金属一样, 由先 进芯片技术引申出的各类超高功率密度器件的散热也 逐渐会采用低熔点金属。特别是, 随着高功率密度器 件以及更广义上的纳米光电子时代的到来 ,将会对先 进散热技术提出更多需求。此方面 , 液态金属散热器 可能发挥更大作用。因此, 这一领域的开展同时兼有 十分重要的实际应用价值和前沿科学意义。 3 液体金属芯片散热技术的基本特点 及优势 液态金属芯片散热技术的关键之处在于引入了概 念崭新的冷却工质, 即在流道内流动的冷却工质并非 常规所用的水或其他有机混合流体 , 而是为在室温附 近即可熔化的低熔点金属如镓或更低熔点的合金如镓 铟等,这相对于以往使用气体或非金属液体作流动工 质的作法是一个观念性的革新。这种低熔点液体金属 以显著优于传统流动工质 (如水、有机溶液或更多功 能流体 )的热传输能力, 可望最大限度地解决高热流 密度的散热难题。随着今后计算机芯片发热密度的继 续增大 ,传统散热技术趋近极限时,该方法越能发挥作 用 ,因此 ,这种散热器件很可能成为今后发展的一个重 要方向 ,相关技术易于推进到实用阶段,而成为计算机 芯片热管理领域中的一个亮点。 值得指出的是, 可供选择的低熔点金属或其合金 的种类实际上很多, 作者实验室及国外机构前期均主 要以镓及其合金为工质,以考察其对芯片的冷却效果。 在自然界中 ,镓是一种柔软无毒的银白色金属 ,它在大 气环境下的熔点很低 ,仅为 29.77?(其合金熔点甚至 在 10?以下), 在熔点时的导热系数为 25.2 kcal/m/ h/?, 远高于空气和水;液态镓的绝对粘度在 52.9? -2-2时为 1.89′10 g/cm/s, 在 301?时为 1.03′10 g/ cm/s,与水接近;固态镓在 27?时的比热为 0.089 cal/ g/?,在 100?时的比热为 0.082 cal/g/?。此外 , 镓 12 电子机械工程 第 22 卷 中的粘度、热导率、比热及潜热等热物性。针对 这些崭 空气中是稳定的 ,仅当温度高于 260?以上时 ,干燥新的液体金属工质, 可建立一系列相应的流动 和能量守 的 氧可使镓金属氧化, 但生成的氧化膜可防止其继恒方程。由于低熔点金属流体与以往在计算 续氧 化。 归纳起来,采用低熔点金属的芯片散热技术的优 势在于 : 1.芯片散热器体积可作得更小 ,而散热能力则显 著优于现有液冷方法。由于液体金属的散热能力很 强 ,因此,对于目前所需的发热密度 , 采用该技术的散 热器在体积上可以作得很小。 2.该技术集肋片散热和对流冷却散热于一体, 大 大拓展了传统散热方式的散热表面。多个散热器还可 组合成更为丰富的结构,因而适用面更宽。 3.噪音更低。由于液体金属芯片散热器运行时, 工质无需大流速 ,因此噪音极小 ,而一旦采用电磁驱动 后 ,则噪音可完全消除。 4.适用面广。该技术可同时发展为笔记本电脑、 台式电脑或更多军用或民用高功率发热电子元器件的 散热器。 5.可持续发展的能力更强。今后 ,芯片元器件的 集成度将继续攀高, 因而发热量会达到更高水平 , 此 时 ,液体金属散热技术发挥作用的空间就越大。 6.可以无运动部件。采用电磁驱动后, 散热系统 内无运动机构,因而性能更加稳定可靠。 7.技术发展空间较大。由于液体金属引入计算 机散热领域是一种底层技术,沿此路线,还可扩充出更 多散热器方案。 出于对超高强度热流排放的需求 , 人们对高效冷 却方式的追求长期投入了大量的人力物力 ,但有关途 径的散热能力已几乎达到极限。以液体金属作为冷却 流体以及同时结合肋片散热和对流冷却散热的方式已 显示其重要价值 ,是寻找高效冷却芯片方法的新的切 入点, 由此可望建立一些崭新的理论与技术。 4 液态金属散热技术研究中的重要科 学问题 以低熔点金属及其合金作为冷却流动工质概念的 提出, 引申出了一系列重要的基础理论与实验问题。 围绕液态金属芯片散热技术,今后应集中在工质材料、 液体金属传热及驱动方式等的研究上。此方面, 可进 一步筛选出更多符合散热工况要求的低熔点金属合金 工质, 测量出不同液体金属流体在不同温度、不同微流 道结构 年传热传质学会议, 吉林, 2004:1115 -1118 (下转第 25页) 机芯片散热技术领域内所研究过的各类气体或液体工 质均不同,因此可望获得一系列新的基础性认识。结 合理论和实验工作, 可望揭示低熔点金属及其合金丰 富的强化换热规律,并据此、优化出系列先进的冷 却系统。围绕实际应用的需求, 通过对一些强化换热 结构内的液体金属的流动和传热规律进行测试, 可以 总结出具有重要实用价值的热工学关系式。由于以往 很少有针对此类低熔点金属及合金流体传热特性的试 验研究 ,因此 ,这部分研究可望获得若干重要的规律。 此外,还应就液态金属冷却器件的加工和封装问题进 行研究 ,以获取相应的新型实用技术 ,此方面需要解决 微流道、微驱动泵的制作及器件的整体集成问题,由此 分门别类地制成适合于台式计算机、笔记本等使用的 液体金属散热器 ,并将其推广到更多高功率冷却场合。 总之,通过这些努力, 可望系统地建立起一大类崭 新的以低熔点金属及其合金流体作为冷却流动工质的 计算机芯片散热技术 ,从而填补强化散热领域内的新 空白。 5 结 语 任何新技术的诞生都有其明确的应用背景。高 集度光电器件技术应用的需求, 促成了各类先进密 散热 方法从原理、材料到结构上的突破。随着高端芯片的 推出,采用液冷方式替代已趋于极限的气冷方式将不 可避免。显然,优于常规液冷技术的低熔点液体金属 散热方式的引入 ,必将大大推动超高功率密度散热技 术的进步。随着对液态金属强化散热规律的深化认 识 ,以及新工质的发现、新结构和新工艺的开发, 将促 成更多先进芯片技术的应用。与此同时 ,液体金属芯 片冷却技术的内涵也必将继续得到丰富。这些在实践 环节中提出的大量课题和挑战, 又会促成各类热管理 技术的进步。 参考文献: [ 1] 李腾, 刘静.芯片冷却技术的最新研究进展及其评价 [ J] .制冷学报, 2004, 25(3):22 -32 [ 2] 李腾, 刘静.芯片冷却技术中的微 /纳米材料与结构的研 究进 展[ J] .微纳电子技术, 2004, 41(8):21 -27 [ 3] 刘静, 周一欣.以低熔点金属或其合金作流动工质的芯 片散 热用散热装置[ P] .中国专利, 02131419.5 [ 4] 李腾, 吕永钢, 刘静, 周一欣.基于低熔点金属及其合金 的计 算机芯片散热方法[ C] .中国工程热物理学会 2004 第 6期 王 俊:某小型卫通车结构总体设计 25 27 m/s风速时车身风力矩 M: 5 结束语 M车2 =F车 2 ×L2 =368 kg? m 小型卫通车的结构总体设计对车载天线的尺寸和 4.5.4 支撑跨距计算 重量、结构型式, 进行了合理的选择, 从而解决了天线 天线风力矩 M天 和车身风力矩 M车 都是风负 重量与车辆载重以及轴荷分配之间的矛盾 ,设计达到 荷下 整车的倾复力矩 ,其合成倾复力矩 M: 了战术指标要求 ,保证了车辆的机动性。 M =M天 +M车 结构总体设计中采用新的技术和先进的结构, 使 整车的稳定取决于整车的总质量和支撑跨距, 其 产品的稳定性和可靠性得到了保证, 已在实际中应 稳定条件是卫通车重力产生的力矩大于倾复力力距。 用。 整体布局协调合理, 运输状态满足铁路、公路运 计算支撑跨距: 输要 求 ,车内布局合理 ,机柜和车内壁颜色协调 ,整 L=2M/G 体美观 大方,可作为同类产品结构设计时参考。 式中:G为整车各部分重量。 参考文献: 稳态风 20 m/s风速时: [ 1] 机械工程师手册[ M] .北京:机械工业出版社, 1989 L=2 M/G=2(M天 +M车 )/G=248 mm [ 2] 叶尚辉, 等.天线结构设计[ M] .西安:西北电讯工程学 院出版 社, 1986 阵风 27 m/s风速时 : [ 3] 王健石, 等编.电子设备结构设计 [ M] .北京:电子工业 出版社, L=2(M天 +M车 )/G=452 mm 1993 为确保在 27 m/s风速负荷下 , 整车的稳定性, 支 撑跨距取值为 1000 mm时,安全系数 K为: 作者简介:王俊(1964 -),男, 1990年毕业于华东 K=1000/452 =2.21 工学院 ,现从事结构设计工作。 完全满足使用要求。 asthecoolingfluid[ C] .ProceedingsoftheInternational (上接第 12页 ) ConferenceonMicroEnergySystems, 2005:89 -97 [ 5] JLiu, YXZhou, YGLv, andTLi.Liquidmetalbased [ 9] GUttam, CMAndrew.Coolingofelectronicsbyelectrically miniaturizedchip-coolingdevicedrivenbyelectromagnetic conductingfluids[ P] .UnitedStatesPatent, 6, 708, 501, pump[ C] .2005 ASMEInternationalMechanicalEngineer-ingCongress, Exposition, 2005:5-11 2004 [ 10] 安德鲁? 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