三极管工作状态判定
NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件,晶体管的工作区域可以分为三个区域
(1)截止区:其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下,锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
(2) 放大区:其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路, UBE>UON且UCE>=UBE (即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于IB,而与UCE无关,表现出IB 对 iC的控制作用,IC=?IB。在理想情况下 ,当IB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)
(3) 饱和区: 其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且 UCE
说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当UCE=UBE,及UCB=0时,晶体管处于临界状态,及临界饱和和临界放大状态。(要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub.)