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飞秒激光烧蚀研究进展

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飞秒激光烧蚀研究进展 第39卷,第12期 2002年12月 来自光纤的渡前 球而测量 单模光纤 .,’ 纤芯叠::I纤芯■■:、 十涉罔案 像 从光纤而反射 的像差波面 图6使用两根单模光纤的相移衍射干涉仪示意图。以干涉仪检验透镜 此装置与用于检验反射镜的装置相类似 scottBurkhart说:“长期以来,我们 一直在进行模拟.以便看看什么样 的尺寸和ff么种类的缺陷会影响 最终产品。我们最后进行的实验就 是确定临界缺陷尺寸的F限.” 在掩模缺陷的修复上,该组已 取得一訾大进展,Burkhart说,“一 个掩膜价值...
飞秒激光烧蚀研究进展
第39卷,第12期 2002年12月 来自光纤的渡前 球而测量 单模光纤 .,’ 纤芯叠::I纤芯■■:、 十涉罔案 像 从光纤而反射 的像差波面 图6使用两根单模光纤的相移衍射干涉仪示意图。以干涉仪检验透镜 此装置与用于检验反射镜的装置相类似 scottBurkhart说:“长期以来,我们 一直在进行模拟.以便看看什么样 的尺寸和ff么种类的缺陷会影响 最终产品。我们最后进行的实验就 是确定临界缺陷尺寸的F限.” 在掩模缺陷的修复上,该组已 取得一訾大进展,Burkhart说,“一 个掩膜价值几万美元.只要有可 能,修复缺陷可为T'业部门节约大 量开支。” 以原予水平测量 直到最近,还不能对反射镜面 几个原子高低的点进行准确测最。 两年前该组研制的一种干涉仪,获 得“研究与开发100项”奖。浚干 涉仪称为“相移衍射干涉仪”(Ps— DI),它的研制成功改变了这一情 况。” 像所有的干涉仪一样,此种干 涉仪使用两个光波的干涉网形来 测量物体和现象。这些光波波段通 常都不完美,因为发f{{这些光波的 表而或透镜并不完美。仟何不完美 都会产生测量误差。此种“相移衍 射干涉仪”则用衍射产生近于完美 的球形波面。在相移衍射干涉仪 中,两光束分别通过两根光纤,当 光离开每根光纤的端而时,产生衍 射,形成近乎完美的球形波面。由 于两个波面独立产生,它们的相对 振幅和位相可被控制,可以进行对 比调节和相移,提供尽可能高的准 确度. 测量波前通过被测的光学系 统,在波面小产生像差,将其聚焦 VOl39.Nol2 Dec2002 在另一光纤的端面。此处波面由光 纤端面的一个平射金属膜反射,与 参考波面产生干涉,形成干涉图 案。然后将此图案用电荷耦合相机 f己录。 过去三年,利用此种干涉仪测 量_『许多极紫外光学件,包括凹和 凸球面和球面镜以及完成的投影 系统。相移衍射干涉仪现已成为一 种町靠的生产T-具,测量那些非球 面光学件的总面形,其规格为 O5fm或更小,已成功地测量低达 O35nm表面形状误差。里弗莫尔测 量组正将此系统升级,使之HJ以_}}=『 来测量低到O.15nm的总表面形状 误差。 极紫外光刻在竞争中前进 1999年12月,虚拟围家实验 室受到国际sematech半导体公司 的信任。 在公司的年会上,公司鉴定了 四种下一代光刻技术—极紫外、 x射线、电_『求和离子柬,并强烈 推荐极紫外光刻。Sweeney说,“他 们的推荐给我们的工作以重大鼓 舞。它确认了我们已知道的:我们 已赢得三个实验室及其丁业伙伴 的信任,我们的力量来自共同工 作。” (咏涛编译) 飞秒激光烧蚀研究进展 倪晓昌王清月 喇耳 6 (天津大学精密仪器与光电于T=程学院超快激光研究室光电f占息技术科学教吾部重点实验窒,天津300072) 提要介绍飞秒激光烧蚀的机理及理论模型,阐述飞秒激光烧蚀的特性,揭不飞秒激光烧蚀的广泛应用前景。 关键词微细加工,飞秒激光烧蚀,材料迁移 收稿Ⅱ期2002-07.08:收到修政稿日期2002—08_08 万方数据 第39巷,带12捌 2002年12月 1引言 激光微机械加1二特别是打孔、 切割,涉及到材料的迁移。材料迁 移是通过激光烧蚀过程发生的,即 在激光辐射下,靶材料吸收激光能 量并转变成液体或气体,熔融液体 通过反冲作用从作用区域(激光聚 焦点)排⋯,蒸汽则f{己从聚焦点 直接逸出。 飞秒激光烧蚀就是利用其非 常高的脉冲功率密度与物质相互 作用,达到烧蚀日的。20t咕纪90年 代初,飞秒激光器开始应用到加J二 领域【”。同时,一些研究学者从理 论上对飞秒激光烧蚀过程进行研 究㈦”j。由于1£秒激光的高脉冲功 率密度,在激光微细加工中具有独 特的优越性。 本文介绍飞秒激光烧蚀的机 理、理论研究现状,阐述E秒激光 烧蚀特性。通过对小同材料进行激 光烧蚀的分析,揭示飞秒激光烧蚀 的广泛臆用前景j 2飞秒激光烧蚀特性及与物质 相互作用机理 2.1使透明材料改性 激光烧蚀的第·步是靶材料 吸收激光能量,这是通过线性及非 线性过程完成的,聚焦区域的材料 被加热到熔融温度或气化温度。不 同的吸收材料,它们的吸收机理足 不同的,吸收过群还与光强有关, 对于给定的激光能量.则与激光的 脉宽有很大关系。对非透明材料, 长脉宽低强度的激光,以线性吸收 为主要吸收过程;而对超短脉冲高 能量激光束,非线性吸收则占主导 地位。对透明材料,吸收来源r非 线性光学过程,直到产生激光诱导 烧蚀过程。 以透明绝缘材料为例,价带边 电子有一个比激光光子能量还高 VoI39N012 Dec2002 接被电离。在激光脉冲中,通过同 时吸收m个光子使得mhv≥U(^v 为光子能量,U为离子势能或带 隙)。一个价带边电子的能量呵以 从它的价带边能量水平或价带被 提升到自由电子能量水平或导带, 即所谓的多光子离子。这是一个m 阶过程,其穿透界面非常小。因此 对于飞秒激光脉冲,多光子离子起 着重要作用,它决定着激光烧蚀闽 值【8j。图l一3分别给出用色秒激光 的这种多光子吸收效应在硅、玻璃 材料以及光纤内刻划的光波导、i 维光耦合器⋯和衍射光栅㈣。 22确定的烧蚀阈值 激光诱导烧蚀过程的建立需 要一定的时间且与激光场强度有 关。对给定激光脉宽,只有当激光 场强超过一定值时,等离子体密度 才能达到发生不可逆损伤时的阈 值。该临界值通常以激光能流闯值 来表示。研究表明:从连续波到脉 冲宽度几十个皮秒,烧蚀过程是离 子雪崩,始于内部电子。在该脉宽 范同,烧蚀能流密度阈值与脉宽的 ~一 平方根成比例。同时,从事超短脉 图3用飞秒激光于光纤表面下25肛t处宽烧蚀阈值的研究也在进行⋯m,并 刻蚀的周期为5岬的衍射光栅 发现偏离了脉冲宽度平方根法则。 的离子势能或能带隙,光强低时, 更为重要的是,对长脉冲,能量在 价带边电子不吸收激光。对飞秒脉 很大范围内变动均可引起烧蚀,而 冲激光与物质相互作用情形,由于 当使用超短激光脉冲时,情形发生 其激光场强非常高,透明材料的价 了巨大改变。如图4所示:烧蚀阈 带边电子通过多光子吸收可以直 值的波动限制在很小区域内,也就 捌 避 捌 蝌 激光逋鲢,J·cm 激光通量/J·c盯2 番 《 兰 十 艟 舯 图4单脉冲作用时,在熔融硅中由激光诱导击穿所传输的能量及产生的等离子体粒子 数与不同脉冲宽度的入射激光能量之间的函数关系(a)7ns:(b)170fS 万方数据 笫39卷,靴12期 2002年12月 是说,只有能量密度达到一定值 时,才有烧蚀现象卅现,烧蚀从一 种统计属性转变为一种确定行为。 2.3规则的加工边缘 -口由自由电子产生离子雪 崩进而形成的等离子体达到一个 足够高的密度,也就是典型的该激 光波长的等离子体临界密度,这时 就Ⅲ现不可逆的材料损伤。电f通 过与离F碰撞吸收激光能量J{:被 加热到高温,同时电子又将能最传 递给离子和品格,’材料也就被加 热。由激光脉冲所传输的能量,其 大小依赖f脉冲间隔和能量祸合 。长脉冲时,被吸收能量通过 热传导偏离激光聚焦区域而向四 周扩散,形成热梯度,闭此比聚焦 点体积更大的范同也被加热。对超 短脉冲,激光场强非常高,相互作 用时间却很短,以至于等离子体还 来不及形成光脉冲已经消失。避免 了等离子体对能量的散射损失。同 时,电子被加热到非常高的温度, 而离子和品格的温度比电r峰值 温度低得多。电f温度在激光脉冲 间隔内能够达到儿f.个电子伏 (1ev=11600K),而离子温度相对 较低。随后,在激光脉冲结束后,电 子与离子之问发牛的能量传递将 使离子温度迅速升高到比用长光 脉冲时更高的温度。崮此用飞秒激 光可以加上高硬度材料,相互作用 区内的大部分材料在板短时间内 通过熔融态而气化、正是因为相互 作用的时问非常短,所以即使热传 导率较高的金属材料,由热效应引 图5用飞秒激光在钢板上打孔 起的热传导区域也非常小。图5给 f{{了用飞秒激光在铜材料I+加工 出边缘非常规则的孔。 2.4逐层微加工 超短脉冲的空间分布为高斯 形状,利用其具有确定烧蚀闽值特 性,适当控制激光能流密度,使得 脉冲rh凸很小区域的能量超过烧 蚀阈值,可实现比聚焦点还小烧蚀 区域。理论上可达到中心波跃的f’ 分之一,突破衍射极限,如图6所 示。另外,由于飞秒激光脉冲在时 图6适当控制激光能量。可实现小于聚 焦点尺度的材料烧蚀 域上非常之短,单脉冲烧蚀深度较 长脉冲时浅。因此飞秒激光烧蚀材 料可实现逐层微加工。 如j:所述,飞秒激光加工材料 具有这些独特的优点,就需要相应 的理论对这种超强超快过程进行 描述。 3理论研究 早在飞秒激光烧蚀的实验研 究之前,刊沦工作者就已经对超强 脉冲激光与材料相互作崩过程进 行了研究。1975苏联学者s.I Anisimov等提出烧蚀金属材料的 双温模型⋯】。该模刑从一维非稳态 热导方程出发,考虑到超短脉冲时 光子与电子及电子‘』晶格两种不 同的相互作用过程,给出了电子与 晶格的温度变化微分力‘程组,即双 温方程: e詈r2吾6墨t叫7:一?:)“(州) f1) Vol39.No12 D。c2002 ‘吾r吲t一叼 (2) 其中L、丁,为电子及品格系 统的温度,c。、c,为电子及晶格系 统单位体积的比热容,七为电子热 传导率,鲁为电子与晶格耦合的特 征参数,Ak0为与激光脉冲相对应 的热源项。 以该模型为基础,1984年,英 国学者J.GFu{imoto用皮秒与飞秒 染料激光器刘铜材料进行r确定 耦合特征参数g的研究¨21;1987 年,美国学者H.EElsayed—A1i利用 150fs及300&的激光脉冲研究热 量在铜薄片中的传导,发现了电子 与品格的温度差异,得出电子与光 子的能量传递过程为几个皮秒的 量级,并随着激光能量的提高而延 长”J;1988年,加拿大学者P.B. corl(um对双温模型进行了解析求 解㈣,并与铜和钼烧蚀阔值的实验 值进行比较,认为脉冲间隔小于纳 秒量级时,用双温模型可以很好地 理解激光脉冲作用于金属时引起 的损伤,20世纪90年代,伴随着钛 宝石飞秒激光器的研制成功,掀起 了飞秒激光烧蚀材料的研究热潮, 研究方法及材料品种也多样化。具 有代表性的是金属和聚合物的研 究。 对金属材料,1996年德国学 者BN.c11ichkov厢O2~5000ps的 钛宝石激光脉冲烧蚀金属靶材料 研究。利用双温方程,在不同的激 光脉冲间隔内,约化双温方程,求 得解析解,定量地揭示了飞秒激 光烧蚀材料较长脉冲具有规则彤 状;同时,在脉冲间隔为纳秒量级 时的解析解,揭示了烧蚀率对能流 域值的对数关系,该关系也适用于 半导体材料及聚合物【81。1997年, s.N01te仍从求解双温方程人手, 假设f。=c,值为晶格受热时间,当 万方数据 第39卷.第12期 2002句‘12月 脉冲间隔“《r,时,烧蚀时间f。将 不依赣激光脉冲问隔。因此,依照 漫射深度£(f=(Dr。)”)与表皮厚度 6(d=1肛)的大小,烧蚀率存在两 种不同的解析表达式H.1998年.J. Gndde用200矗的脉冲烧蚀不同厚 度(几十纳米至微米昔级)的金和 镍薄片,结果发现:随着材料厚度 的增加,不同厚度两类金属被烧蚀 时.所吸收的能流也线性增加,直 到材料厚度九于某一值时,所需能 流不冉增加,为一常值。但是达到 饱和时的材料厚度却存在较大的 差另IJ(对Nj50nm,xtAu500nm)。此 时材料的厚度称为该利料的光r 穿透深度,汪明两种金属存在不同 的电r光子桶合特瓶参数,利用双 温模刑呵以对废现象给出合理的 解释㈣。1999年,Falkovskv和 Mjshchenko基于波尔兹曼方程和 费米狄拉克配分甬数提⋯r热电 子爆炸模式,用以描述金属材料tft 的超快形变m】。2002年,J.Kchen 等,综合双温模型及上述热电子爆 炸模J£,在假定单轴应变三维高压 条什下,提出·系列相互关联的瞬 时热弹性变彤方程"】,数值结果表 明,存超短脉冲激光烧蚀过程叶1, 非熔融态损伤占支配地佗,这种非 熔融态损伤主要动力来源于热电 子爆炸力。 对聚合物烧蚀的研究始于紫 外激光,最早是用紫外光对聚合物 化合键的组合进行分析,利用了制 料中的多键对紫外光的强吸收并 自发辐射m特定波长荧光的特性。 因此也称聚合物中的多键为发色 刚。加火紫外光的能量,多键由于 吸收能营过高而断裂,达到烧蚀的 日的。1989年,荚同学者R.Sauer. brey通过弹沦分{=『i_得出,当所吸收 的光子数密度与发色冈密度接近 相等时,便达到r激光烧蚀闯值, 与所得实验数据相吻合、该描述基 r高强度时的辐射传输分析,且不 考虑紫外激光烧蚀是光化学效应 还是热效应Ⅲ1,并于1993年给出J’ 紫外激光烧蚀聚合物的非线‘陲吸 收和多光子效腑的数学描述吧 1994年,H本学者HiroshiKumagai 利用超短脉冲高功率钛常石激光 实验研究聚合物的烧蚀,理论计算 与实验数据相吻合{”.1996年,同组 的shinkiNakamura利用不同脉冲 间隔飞秒钛宅石激光研究了聚合 物(四氟乙烯、六氟乙烯)对能流 的依赖关系,发现不同脉冲间隔烧 蚀率的差异性。分析认为,在170fs 时,5光于吸收占主要地位。和在 l70fs~200ps范围内,烧蚀闽值强度 VoI39.No12 Dec20112 图12单脉冲飞秒激光烧蚀玻璃硅的原 早力显微图 与脉冲间隔的平方根成反比⋯。 2000年,德国学者sBaudach对聚 合物烧蚀进行超短脉冲激光烧蚀 时,引入累积模式.认为烧蚀阈值 与照射到同一点的脉冲数有很大 关系,即单脉冲时,能流要达到较 大值才能实现照射区域烧蚀:多脉 冲时,只需要较低能量,就可以实 现在照射区域首先出现裂痕及小 范围的洞,随着脉冲数增加,裂痕 和小洞逐渐扩大,直至形成烧蚀区 域⋯。最近,也有学者将这种累税效 应引入到对III.V族半导体化合物 的研究Ⅲ“。 另外,许多研究学者依赖所得 实验数据,从其它角度对飞秒激光 烧蚀过程也做出了合理的理论解 释。 1996年加利福尼业劳伦斯围 万方数据 第39卷,第12期 2002年12月 家实验窒的B.c.stuan从描述电子 数密度的福克一普朗克 (Fokl(er_Planck)动态方程出发,求 出电子数的分布函数关系式。解释 了绝缘体材料在脉冲间隔小于 10ps的激光照射下,烧蚀阚值偏离 与脉冲间隔平方根成正比的规律。 并且指出:从长脉冲、热效应领域 到多光子电离及等离子体形成为 主的烧蚀领域,阈值是呈下降趋势 的{”。 1999年,NAmold基j。光热熔 透区断裂理论对有机聚合物烧蚀 进行了描述,假定第一阶段化学反 应满足阿伦尼乌斯定律fAnhellius law),烧蚀开始于表层断键密度达 到一种阈值,很好地解释了阈值附 近的烧蚀行为㈣。 4前景诱人 以I:述烧蚀机理及理论研究为 基础,飞秒激光加T技术已成功应用 J:金属、半导体及绝缘材料Ⅲm,用以 打标、钻孔、切割、刻划等。可加上 机械仪表及机器人巾的微器件,甚 至精密器件电阻、平衡的微调。利 用飞秒激光高功率密度产生的非 线性效应,可使透明材料在体内改 性,从而加工出i维波导、光耦合 参考文献 Vol39№12 Dec2002 器件,甚至实现透明材料内的数据 存储。另外,ⅢM公司已将飞秒激 光加工技术应用于电子线路 矫正。在医疗上,用E秒激光技术 可加工出性能优良的心脏起搏器 及进行角膜切除等。 相信随着理论丁作的进一步 完善及加工技术的成熟,在微电 子、微机械,微结构及微生物等领 域,b秒激光nI以直接应用于微米 甚至纳米尺寸的微精细加工,具有 诱人的应用前景。 l HiroshiK啪89al,KatsumiMidorikawa,Koic-liT0yoda,Ablationofpolyfner行lmsbyafemtosecondhigh-peak-powerTi:s8pphirelaser at790nmA印^髓肛Le比,1994,6珂】4):1850~1852 2PPronkio,s【htta,Jsquierefaj Machiningofsub—micmnh01esusi“gafemtosecondla吲。at800衄.0p^c。姗叩,1995,114. 106~110 3B,cstu州.M.D.Fei【,sHemlan“aj..N壮osecond.tofcmtosecondlaser-inducedbreakdownindielec廿ics尸自ysRenB.1996,53: 1749~1761 4M毗hiaswill_stefanNolle,AndreasTuenneHnannThree—DimensionalIntegratedopticalDeviceFabdcadonitlGlassbyFemtosecond LaserProcesslng.cLEO‰劬曲JD和‘2002,127~128 5 JohnDM.1ls,PetcrGKa啪sky,E五caB^cchiefajDirectMjcmsmlcm血培ofFiberCoreswithFemtosecondLaserPulwsCLEO n曲nj∞JDi笋s^2002,48 6ShmkiNakamura,KatsumlMido^kawa,H耶shiKur∞gaief引,E恐ctofPLIlseDu珥tionoⅡAblationCharactensIicsof Te№nuoroe【hylene-hexanuompmpylenecopolymerFilmusingTl:姐pph曲L棚cr.Jpn.上AppJ.矸驴.,1996,35(1A):101~l06 7MLenzner,Fkra让sz,JKnlgeref缸,Photoablationwithsub一10传】aserpulsesAppJSurfSd,2000,154-155:11~16 8B.N.ChichkoV,C.Momrn8,S.Nolleef耐.Femtowcond,plcosecond蛐d眦nosecondlaserablationofsollds.App』PH",A1996,岛: 109~115 9 sNolte,cMomma,HJacobsef札.AblatlonofmetalsbyulⅡa—shonla8erpulses.,Opf.soc.AmB.1997,1—10):2716~2722 oxLiu,D.Du.GMourouI五serAbl瓶ona11dMicro—machjn抽gw汕切tra_shonLaserP1uses.JEEEJQuanmm日ec玎彻.,1997,a嘲: 1706~1716 _I sI Anisimov,BL.KapeIiovich,TLPerPImall幼e却,norF乜soum”一州"1974,势:375 【2 JGFujimoto,JMLiu,EPIppenefaJ FemtosecondLaserInteraction州thMe训licTungstenandNon。quilib血mElec廿onandlanice Ternpemtllres—U8Re”Le此,1984,∞:1837~1840 【3 HEEl蛐yed-Ali,TB.Noms,MA.Pessote“灯,TirⅡe—Res01vedObservationofEkctmn—PhononRelaxatjoninCopper.Ph".Rev.Le圮 1987.58:1212~1215 4P.BcorkIlI扎F.Bnmel,NKSheman.ThemalResponseofMe诅lstou1帆shor-PLllseLaserExcitationP吣RenLe芘,1988,m: 2886~2889 【5 JG州de,JHohl诧ld.JGMullerefaJDamagetllresholddependenceonelectron·phononcoupli“ginAuandNi行lrlls.App』sud鼽, 1998.127-129:40~45 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24KaOnlMlnoshlma,AndrewM.Kowalevicz,IngrnarHanlefa^.Photonicde“cefab—cationi“gIassbyuse0f∞nlinearmafenals pmcessingwithafemtosecondlaseroscillator,0巩k盯.,200l龃19):1516 25“chen酣e,wangDatllmg,LuoLeefaJ Feasibility0fF锄tosecondL舶erw五nngMuld·LayercdBitPlancsinFusedsilicaforTh佗e- DemensionalopticalDanstorage∞抽脚hll'200l,18【4):54l 26AndrcasOsIendorfPrecises廿ucm血gusi“gFemtosecondLasersneRewPwofL部erEr斟en唱2002,30【5):22l~225 27Hima“MisaⅦqFunctio呻1i髓tionofnaspareInDielectncMatemlsbyFemtoseco耐Fab—cationwi【hsupe卜Res01utjon.2(10230(5): 239~243 NiXiaochangwangQingyue 眯Py£曲。删o,y矿0p£oek£ron甜,咖rm珊Ⅲnnch扣d岛mce,肼蟾 f协,咖lL珊erL曲or咖佛&^o。f。,丹吖扛ion血5£rH榭ms矾d印f眦kcfⅢn矗5胁每肿8由吕?k面【nnL西㈣% 硝删挑300072) Abst阻ctThemechanismandthet11eoreticalmodeloffem【0second1aserablati叩ofmak^alsarciⅡ∞duced,tbeprop哪les offcmtosecondlascrablationarcexplained,a11dtllewidespreadapp¨c“onprospec“sdesc曲ed Keywordsmicromchinmg,femtosecondlaserablation,mate打al,remoVal 飞秒激光在多孔光纤中传输特性的研究 王清月粟岩锋 丁Ⅳ抖 6 (大津人学精密仪器与光电子工稃学院超快激光研究室,光电信息技术科学教育部重点实验窜,天津300072) 摘要彳r绍f多孔光纤的特性以及对飞秒激光在多孔光纤中传输特性的研究 关键词多孔光纤,飞秒激光 1引言 多孔光纤(holey曲er)又称 光子晶体光纤(photoniccrystal 舶ef)或微结构光纤(fnicros们c- tureoptical肋er)rI1996年第一 根多孔光纤诞生以来⋯.就受到了 广泛的关注.并于近几年得到r许 多极有价值的结果㈦。 与传统光纤不同.多孔光纤的 包层楚巾在二维方向上(通常是周 收稿日期2002.07—08 图1多孔光纤的电子显微镜照片 万方数据 飞秒激光烧蚀研究进展 作者: 倪晓昌, 王清月 作者单位: 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室光电信息技术科学教育部重点实验室 ,天津,300072 刊名: 激光与光电子学进展 英文刊名: LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS 年,卷(期): 2002,39(12) 被引用次数: 11次 参考文献(27条) 1.Kaoru Minoshima;Andrew M Kowalevicz;Ingmar Hartl Photonic device fabrication in glass by use of nonlinear materials processing with a femtosecond laser oscillator[外文期刊] 2001(26) 2.N Amold;N Bityrin;D Bauerle Laser-induced thermal degradation and ablation of polymers:Bulk model 1999 3.Kazue Ozono;Minoru Obara;Akira Usui High-speed ablation etching of GaN semiconductor using femtosecond laser[外文期刊] 2001 4.Hiroshi Kumagai;Katsumi Midorikawa;Koichi Toyoda Ablation of polymer films by a femtosecond high- peak-power Ti:sapphire laser at 790nm 1994(05) 5.S Nolte;C Momma;H Jacobs Ablation of metals by ultra-short laser pulses 1997(10) 6.B N Chichkov;C Momma;S Nolte Femtosecond picosecond and nanosecond laser ablation of solids 1996 7.M Lenzner;F Krausz;J Kruger Photoablation with sub-10 fs laser pulses[外文期刊] 2000 8.Shinki Nakamura;Katsumi Midorikawa;Hiroshi Kumagai Effect of Pulse Duration on Ablation Characteristics of Tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene Copolymer Film Using Ti:sapphire Laser[外 文期刊] 1996(35) 9.John D Mills;Peter G Kazansky;Erica Bricchi Direct Microstructuring of Fiber Cores with Femtosecond Laser Pulses[外文会议] 2002 10.Matthias Will;Stefan Nolte;Andreas Tuennermann Three-Dimensional Integrated Optical Device Fabrication in Glass by Femtosecond Laser Processing[外文会议] 2002 11.B C Stuart;M D Feit;S Herman Nanosecond-to femtosecond laser-induced breakdown in dielectrics[外 文期刊] 1996(4) 12.Hiroaki Misawa Functionalization of Trasparent Dielectric Materials by Femtosecond Fabrication with Super-Resolution 2002(05) 13.Andreas Ostendorf 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