电镀铜及铜合金电解液
2005年3月 电 镀 与 精 饰 第27卷第2期(总161期) ·27·
铝
氧
化
铜
(a)包覆
包覆后
图 3 粉体电镜照片
还原剂的化学镀铜工艺。最优配方以及工艺条件为:
CuSO 10~15 g/L;次磷酸钠 4.5~5.5 g/L;柠檬
酸三钠 65~75 g/L;表面活性剂 lO m g/L;pH 4~
5;温度 55~60 C,加载量 10~20 g/L,时间 30~40
min。
2)对最优化配方进行验证,分析了镀层质量,结
果表明,镀液稳定,镀覆较完全,可以满...
2005年3月 电 镀 与 精 饰 第27卷第2期(总161期) ·27·
铝
氧
化
铜
(a)包覆
包覆后
图 3 粉体电镜照片
还原剂的化学镀铜工艺。最优配方以及工艺条件为:
CuSO 10~15 g/L;次磷酸钠 4.5~5.5 g/L;柠檬
酸三钠 65~75 g/L;
面活性剂 lO m g/L;pH 4~
5;温度 55~60 C,加载量 10~20 g/L,时间 30~40
min。
2)对最优化配方进行验证,分析了镀层质量,结
果表明,镀液稳定,镀覆较完全,可以满足应用要求。
3)同传统的化学镀铜工艺相比,本文所述工艺
简便实用,镀液稳定,镀覆效果好,条件温和,在 pH
一4~5范围内对 Al及 CuO团聚粉体无明显破坏,
镀铜将进一步提高粉体的性质,从而提高以此为原
料的复合
的性能。
参考文献:
[1] 张巨先,高陇桥,李发 .包覆型陶瓷粉体的研究进展
[J].硅酸盐通报,2000(2):53—56.
[2] 劭忠财,田彦文,崔玉春 .化学镀法Ni包覆ZrO。粉末
镀液的研究[J].材料科学与工艺,1999(4):78—80.
[3] 蔡克峰,李成红,袁润章 .在陶瓷粉末表面化学镀包覆
金属[J].电镀与环保,1994,14(2):l1—12.
E4] 卡恩 R w,哈森 P,克默雷E J.材料的特征检测[M].
北京:科学出版社 ,1998.354—355.
电镀铜及铜合金电解液
在电子电镀中经常用到电镀铜及其合金电解
液,下面介绍具有一些特点的电解液,供同行参考。
微电子应用的电镀铜合金电解液
在集成线路互联组装微电子器件中的金属化工
艺,采用下述的电镀铜合金电解液,在基体表面的超
薄膜上电沉积铜合金镀层(该合金镀层中与铜形成
合金的金属的含量比铜低得多),可以降低金属化层
的电阻率,降低电信号的传播延迟,从而改善微电子
器件的性能。最适宜的电解液组成如下:
CuSO ·5H 2O 5~20 g/L
MeSO ·nH 2O 10~40 g/L
(NH4)2SO 20~40 g/L
添加剂 0.1~1 mL/L
其中硫酸铜作为合金镀层中铜的来源。MeSo
为合金镀层中另一组分的来源。Me可以是 Zn、A1
及Ce等。硫酸铵用作络合剂。电解液的pH约为 11。
若MeSO4·nH2O为ZnSO4·7H 2O,所得 Cu—Zn合
金镀层中 Zn的质量分数小于 5 时效果最佳。
烷基磺酸盐镀铜电解液
发明了一种在电子元器件基体上电镀铜的电解
液,该电解液可用于微米级或亚微米级沟槽的金属
化。电解液的主要成分为烷基磺酸铜和游离的烷基
磺酸,所采用的烷基磺酸可以是烷基单磺酸或烷基
多磺酸,其浓度约为0.25~1.75 mol/L。烷基单磺
酸如甲烷磺酸、乙烷磺酸及丙烷磺酸。烷基多磺酸如
甲烷二磺酸、一氯甲烷二磺酸和二氯甲烷二磺酸等。
与硫酸盐镀铜电解液相比较,烷基磺酸盐镀铜电解
液的界面张力低,可以降低镀层的孔隙率,允许使用
较高的阴极电流密度,而且能获得光亮镀层。
覃奇贤 编译
维普资讯 http://www.cqvip.com
本文档为【电镀铜及铜合金电解液】,请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑,
图片更改请在作品中右键图片并更换,文字修改请直接点击文字进行修改,也可以新增和删除文档中的内容。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生,若发现您的权利被侵害,请联系客服邮件isharekefu@iask.cn,我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。