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2 第4章三极管

2010-11-04 50页 ppt 12MB 36阅读

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2 第4章三极管nullnullnull4.1 双极结型三极管(BJT) 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路的工作点稳定问题 4.5 共集电极电路和共基极电路 4.6 多级放大电路及组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应4.1 双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor, BJT)4.1 双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor, BJT)BJT是具有电流放大功能的元件4.1.1 BJT的结构简介频率:高频管、低频管功率:材料:小...
2 第4章三极管
nullnullnull4.1 双极结型三极管(BJT) 4.2 基本共射极放大电路 4.3 放大电路的方法 4.4 放大电路的工作点稳定问题 4.5 共集电极电路和共基极电路 4.6 多级放大电路及组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应4.1 双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor, BJT)4.1 双极结型三极管(Bipolar Junction Transistor, BJT)BJT是具有电流放大功能的元件4.1.1 BJT的结构简介频率:高频管、低频管功率:材料:小、中、大功率管硅管、锗管类型:NPN型、PNP型自由电子和空穴两种载流子导电null1、发射区掺杂浓度大。 (比基区高几十至几百倍, 注入能力强)2、基区很薄,低掺杂。3、集电区面积大,低掺杂。 (比发射区大二到三倍)4、发射结、集电结。e_emitterb_basec_collectornull NPN型 电路符号PNP型 电路符号箭头代发射极 电流的实际方向发射极发射区基极基区集电极集电区发射结集电结结构示意图null双极结型三极管 又 称:双极型晶体管、半导体三极管、 晶体三极管等, 习惯称:晶体管、三极管。三个极、两个结发射极e、基极b、 集电极c三个电极(区): 两个PN结:发射结(Je)、集电结(Jc)两种极性载流子PN结三个电极半导体 晶体4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态:发射结加正向电压,集电结加反向电压。4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1. BJT内部载流子的传输过程(1) 发射区向基区注入电子: 发射区和基区多子扩散,产 生电流IEN、IEP; (2) 电子在基区中的扩散与复合: 部分电子与基区空穴复合,产生电流IBN,其他电子继续靠浓度差扩散到达集电结的基区侧。复合掉的空穴由电源VEE从基区拉走电子来补充; (3) 集电区收集扩散过来的电子: 扩散过来的电子形成漂移电 流ICN,以及集电结自身两边 少子产生的反向饱和电流ICBO。null发射结正偏:多子扩散形成电流 IEN、IEP,IEN + IEP=IE,IEN >> IEP集电结反偏:非平衡少子、少子漂移形成电流ICN、ICBO:ICN +ICBO = IC部分电子与基区空穴复合,产 生电流IBN,IB= IBN + IEP -ICBO显然 IEN-IBN =ICNIB= IBN + IEP -ICBO = IEN-ICN + IEP -ICBO = (IEN + IEP)-(ICN+ICBO) = IE-ICIB =IE-IC三个电极的节点电流关系:三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电,故称为 双极型三极管。nullI CNIENI BNI CBO1)发射区向基区注入多子电子, 形成发射极电流 IEN。 多数向 C 结方向扩散形成 ICN 少数与空穴复合,形成 IBN2)电子到达基区后 I EN = I CN + IBN3)集电区收集扩散过来的载流子 形成集电极电流 ICN。发射区发射载流子集电区收集载流子基区传送和控制载流子忽略支流时:I E = I C + IB忽略支流时即为:null电流比例控制关系: 由 IEN=IBN+ICN 形成过程可知 1) 当晶体管制成以后, IEN 、ICN、IBN 相互之间的比例关系是确定的;比 例的大小取决于基区的扩散和复合。 2) 集电结漂移电流ICN大小与集电结反 偏电压几乎无关,取决于发射结扩 散电流IEN 和IBN的大小; 3) 由于发射结扩散电流IEN 和IBN决定 集电结漂移电流ICN的大小,表现出 IEN和IBN对ICN 的控制作用,所以ICN 是受控电流。 4) ICBO称反向饱和电流,取决于少子浓 度,数值小,受温度影响大。不受发 射结电压控制,对放大没有贡献。null 2. 电流分配关系(Current Relationship)e结正向电流与所加电压呈指数关系:集电极收集的电流:根据 KCL(Kirchhoff’s Current Law):得基极电流为发射极电流的其余部分: 用很小的基极电流IB,可以控制较大的集电极电流IC, 从而实现放大作用。(电流分配器 )null=20~200基极与集电极 电流的关系:IC=βIBIE=(1+β)IBIE=IB+IC关 系null IE和IB对IC 的控制作用(即电流分配关系)体现了晶 体管的放大能力。⊿vI → ⊿iE → ⊿iC → ⊿vO结电流方程 3. BJT的放大作用(发射结正偏,集电结反偏)电流-电压转换电流控制作用简单的 电压放 大电路输入信号很灵敏null输入信号功率(信号源提供): PI=(1/2)⊿vI⊿iE =(1/2) ×100mV ×1mA=50μW 输出信号功率(负载 RL 获得): PO=(1/2)⊿vO⊿iC=(1/2) ×1.98V ×0.99mA=0.980mW 功率放大倍数:PO/ PI= 980μW/ 50μW=19.6例如:假设 ⊿vI =100mV, ⊿iE =1mA, RL=2kΩ, 晶体管 。 考察:电压放大 功率放大放大null此时 ⊿iB ≈ ⊿iE/ (1+ β)=1mA/101 ≈0.01mA=10μA。 输入信号功率(信号源提供): PI=(1/2)⊿vI⊿iB =(1/2) ×100mV × 10μA =0.50μW 输出信号功率(负载 RL 获得,同前): PO=(1/2)⊿vO⊿iC=(1/2) ×1.98V ×0.99mA=0.980mW 功率放大倍数: PO/ PI= 980μW/ 0.5μW=1960晶体管放大的另一种电路连接: 发射结正偏:vBE 集电结反偏:vCB=vCE-vBE 放大过程同前例。 区别: 信号源提供的功率不同。更大的功率放大!null1) 晶体管放大作用的实质是对信号功率的放大,即能量放大。2) 放大的能量是从集电极电源的直流功率转换而来,输入信号 只是通过改变发射结的正向电压,利用晶体管的电流分配关 系,控制集电极电流,从而控制能量的转换。3) 晶体管不同电路接法,功率放大(控制能量转换)的能力不同。结论:1) 三极管具有放大能力必须满足两个条件: 内部条件——发射区重掺杂;基区厚度很小;集电结面积大。 外部条件——发射结正向偏置;集电结反向偏置。2) 三极管内各电流之间有确定的分配关系。 三极管就是一个电流分配器(分流器)。说明:null1) 三极管的三种组态4. BJT的连接方式 三个电极:两个作为输入, 两个作为输出,必然有一个是 公共电极。三种接法也称三种组态。电流实 际流向null 晶体管放大电路不同的基本组态,其放大能力等主要性 能区别较大,在电子线路中起不同的作用。三种基本组态的判断:a) 按回路判断:输入、输出回路共有的电极; b) 按端头判断:既不是输入端、也不是输出端的电极。null若vI=20mV时,有iB=20μA,设α=0.98,考查 AI, iC, AV = ?2) 共射极电路(应用最广泛)或:按二端口网络的习惯规 定方向:端电压正方向 为上正下负;端电流以 流入网络方向为正方。 使结果具有普遍性。① 电流放大倍数②③ 电压放大倍数vO = - iCRL = - 0.98mA×1kΩ= -0.98 V4.1.3 BJT的特性曲线既有电流放大能力又有电压放大能力。 (⊿iB→⊿iC) (⊿vI →⊿vO) (2) iB作为输入控制电流,使信号源消耗的功率很小。 共射放大 电路特点4.1.3 BJT的特性曲线 特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系曲线,是三极管内部载流子运动的外部表现。从应用角度来看,外部特性更为重要。 以共射极电路的特性曲线为例: 1. 输入特性 iB=f(vBE) vCE=const( const_constant) null2) vCE=0V时,相当于两个二极管并联,正向伏安特性,iB电流很大。3) 当vCE=1V时, vCB= vCE- vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收 集电子,基区宽度减少,复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲 线右移。4) 当vCE > 1V时, 集电结加的反向电压已能把进入基区的电子中的 绝大部分拉到集电极来,以至于vCE 再增加,iB也不再明显减小。 实际使用时,vCE总大于1V,故采用vCE ≥ 1V的曲线。 即:近似认为发射结电流只与vBE有关,与vCE无关。1) 当vCE一定时, iB~ vBE呈指数关系,与二极管伏安特性相似;nulliC=f(vCE) iB=const2. 输出特性 a) 起始陡峭部分 vCE≤ vBE(集电结正偏),对到达基区的电子吸引力弱, iB增加时, iC增加不多;但此时,vCE略有增加,iC增加很快。 b) 平坦部分 一组间隔基本均匀,比较平坦的平行直线。vCE约1V以上,集电结 的电场已足够强,进入基区的电子绝大部分都能被吸引到集电区,故 vCE再增加,iC增加不多。具有恒流特性。 iC 主要受iB控制。平行线间间隔的大小反映了放大能力。这一点正 是晶体管的电流放大作用。1) 输出特性曲线特点nullnullc) 平坦部分的向上倾斜:基区宽度调制效应 由于vCE=vCB+vBE(0.7V),当vCE增加时,vCB随之增加, 使集电结空间电荷区的宽度增加,导致基区有效宽度减小, 载流子复合机会减少,从而使β增大。即iB不变时,iC随 vCE增大,表现为特征曲线略微上翘。这种现象称为基区宽 度调制效应。null放大区:iC平行于vCE轴的区域,曲线基本平行等距。特点:发射结正偏,集电结反偏,发射结电压大于0.7 V 左右(硅管;锗管0.2V左右) 。iB对iC有很强的控制作 用;vCE对iC的影响很小;基区调宽效应。2) 输出特性曲线的三个工作区null特点:发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。 iC不再随iB的 增加而线性增加(饱和了),即 iC≠β·iB,此时iC<β·iB。饱和压降 VCES的典型值为0.3V(硅管;锗管0.1V),三极管如同工作在短接 状态,此时为深度饱和。随着正偏程度的减小,BJT进入临界饱 和状态,集电结零偏 vBC=0V ,vCE = vBE =0.7V。(VCES _saturation)输出特性直线上升和弯曲的部分, iC受vCE显著控制的区域。饱和区: 深度饱和 (典型值) VCE=0.3V; 临界饱和 VCE=0.7V;null管子饱和后极间电压很小,各级电流主要由外电路决定。零偏正偏 0.4V集电结 偏置状态三极管 工作状态深度饱和临界饱和反偏> 0.3V放 大C点电位低高vCE变化0.3V (饱和压降典型值)0.7V>1V从饱和到放大的状态变化深度饱和<0.3V饱和 更深null 当工作点进入饱和区或截止区时,将产生非线性失真, 失去放大作用。特点:发射结反偏,集电结反偏。iB=0, iC= ICEO≈0,VCE≈VCC。三个电极电流近似为零,相当于极间开路,各极 电压由外电路确定。三极管如同工作在断开状态。输出特性上iC接近零的区域, iB=0曲线以下部分。截止区:null注意:对于PNP管,由于是负电源供电,与NPN管正好相反。3. 测量BJT电极,判断工作状态截止区:两个结反偏。三极管如同工作在断开状态。放大区:发射结正偏,集电结反偏。饱和区:两个结正偏。三极管如同工作在短接状态。结论:NPN管和PNP管的极间电压极性相反。如在放大区:null归纳:晶体管工作状态的电极电压一般特点 vCE= vC- vE, vBE= vB- vE vCE=vCB+vBE 1) 放大状态: NPN管: vC电位最高, vE电位最低; vBE:硅管0.7V,锗管0.2/0.3V PNP管: vC电位最低, vE电位最高; vBE:硅管-0.7V,锗管-0.2/ - 0.3V2) 饱和状态: vBE:导通电压(0.7V), vCE:零点几伏(0.3V); 3) 截止状态: vBE:小于导通电压, vCE:几伏~几十伏。 NPNPNPNPNnull 一般地,对于给定形式的电路,晶体管的工作状态是不明 确的,必须首先分析判断其工作状态。一般步骤如下:1. 首先判断发射结是否导通。 2. 发射结导通条件下,判断是否放大状态或饱和状态。例1:测量BJT三个电极对地电位,试判断三极管的工作状态。正偏反偏正偏反偏Vc>Vb>Ve 放大Vc设计
电路时,选用BJT的依据。 1. 电流放大系数 直流放大系数交流放大系数含义:静态时(直流工作状态)集电极电流与基极电流之比 。含义:动态时(交流工作状态) 的电流放大特性。类似地:关系:nullnull 1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO o_open: 代表第三个电极E开路。 由集电区和基区的平衡少子漂移运动形成。在一定温度下基本是常数,故称反向饱和电流。随温度增加而增加。 2. 极间反向电流(温度稳定性)null 相当基极开路时,集电极和发射极间的反向饱和电流, 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的纵坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEOnullICEO=(1+β)ICBO选用BJT时,希望反向饱和电流尽量小,以减少温度的影响。原来与基极电源提供的空穴复合的电子集电区的少子漂移到基区复合的部分刚好是I CBO不是单纯的PN结反向电流:null 3. 极限参数(1) 集电极最大允许电流ICM 如图所示,当集电极电流增加时, 就要下降,当值下 降到线性放大区值的70~30%时,所对应的集电极电流称为 集电极最大允许电流ICM。至于值下降多少,不同型号的三 极管,不同的厂家的规 定有所差别。 当IC>ICM时,管子 性能将显著下降,但并 不一定会烧坏。(2) 集电极最大允许功率损耗PCM(2) 集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗。晶体管工作时, 若功耗(乘积 iC﹒ vCE)超过最大允许功耗将导致集电结发热 温度过高,晶体管性能下降,甚至烧毁。 因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集电结上。 PCM= iCvCE≈iCvCB 在计算时往往用vCE取代vCB。(3) 反向击穿电压(V(BR)XXO) BJT的两个PN结反向电压超过规定值也会发生击穿, 击穿电压的大小与管子本身特性和外部电路接法有关。( Reverse Breakdown,BR) null2)V(BR)CBO: 发射极开路时的集电结击穿电压,数值较高。1)V(BR) EBO: 集电极开路时发射结的击穿电压。(Je一般正偏)nullRb→0时(短路),V(BR)CER增至最大, 用V(BR)CES表示,此时V(BR)CES≈V(BR)CBO 通常发射极和基极间接有电阻Rb ,用V(BR)CER表示, 击穿后若不超过PCM,且击穿时间很短,击穿过程还是可逆的。输出特性曲线上的过损耗区和击穿区电流关系为:ICEO> ICER> ICES > ICBOnullvBE : - (2~2.5)mV/℃,特性曲线左移。 β :温度每升高 1℃,增大(0.5%~1%), 输出特性曲线间距增大。 iC :随温度升高而增大, 输出特性曲线向上移动。V(BR)CBO 、V(BR)CEO:随温度升高而升高(雪崩击穿具有正 温度系数)。4.1.5 温度对晶体管参数及特性的影响 发射结正向导通电压vBE、集电结反向饱和电流ICBO以及 电流放大系数β 都会受到温度的影响,结果引起 iC电流随温 度的变化,影响电路性能。ICBO:温度每升高10℃,增大一倍。4.2 基本共射极放大电路4.2 基本共射极放大电路1. 放大电路概念 基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三 种基本组态放大电路。 1) 放大电路主要用于放大微弱(small signals)、变化(AC)的 信号 ,输出电压或电流在幅度上得到了放大,输出信号的能量 得到了加强。 2) 输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,经过三极 管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。4.2.1 基本共射极放大电路的组成null1) 基本放大器: 一个晶体管构成的放大器,也称为单级放大器。有三种 接法的单级放大器,即共射极、共集电极和共基极组态放大 器。2) 基本放大器的组成原则: a) 必须将晶体管偏置在放大状态,并保证在信号变化范围内 始终处于放大状态; b) 输入信号必须加在基极-发射极回路,即必须能控制发射 结电压的变化; c) 必须有合理的信号通路。—— 也是判断放大器能否正常放大信号的充要条件。2. 基本放大器的组成原则null(2) vi :输入信号。(3) vo:输出信号。规定: 电压参考极性以共同端为负,其他点为正; 电流iC、iB以流入电极为正,iE已流出电极为正。3. 共射极放大电路组成null(6) VBB: 为发射结提供正偏,并通过Rb提供IB(称偏流)。(5) Cb1、Cb2: 耦合电容或隔直电容,其 作用是通交流隔直流。一般为 几微法到几十微法。(7) Rb: 一般为几十K~几千K,Rb、VBB 属基极回路(输入回路)。null(8) VCC: 为JC提供反偏电压,保 证晶体管工作在放大区;向放大电路提供能量。一般几~ 几十伏。(9) RC: 将iC的变化转换为vo的变化, 一般几K~几十K。 由 vCE=-iCRc +VCC=VCC-iCRc 看出:iC增加→vCE减小, 即两者变化相反。 RC ,VCC 同属集电极回路(输出 回路)。null习惯画法 共射极基本放大电路4. 习惯画法单电源供电nullnull直流偏置保证放大电路工作在放大区, 使信号能够不失真地放大。null注意放大作用通过基极小能量信号控制流过集电极的电流来实现,从而将直流电源VCC的能量转化为所需要的形式供给负载。放大器是一个能量控制部件。放大作用是针对变化量而言放大电路的基本知识放大电路的基本知识1.4-1.5 放大电路的基本知识1.4 放大电路模型根据处理的输入量和所需的输出量的不同,定义了四种不同的放大。参考电位点:共同端点参考电位点:共同端点 为了提高安全性和抗干扰能力,在前级信号预放大中采用隔离放大。即输入与输出电路相互绝缘,不存在公共参考点。1.5 放大电路的主要性能指标1.5 放大电路的主要性能指标1. 输入电阻 Ri其大小决定了放大电路从信号源吸取信号幅度的大小。越大越好 输入为电压信号的放大电路,Ri 越大,输入端的 越大, 即:放大电路从信号源吸取的电压越大。另一角度:作为电压源,内阻越小越好,信号衰减越小。越小越好null输入电阻的分析:2. 输出电阻Ro其大小决定了放大电路带负载能力的大小。或:电路所能适应的负载变化范围越大,带负 载能力越强。带负载能力:电路的输出量变化越小,带负载能力越强。null例:由输出回路得则电压增益为:要想减小负载的影响,则希望…? (考虑改变放大电路的参数)理想情况null越小越好越大越好越大越好越小越好null放大倍数、输入电阻、输出电阻通常都是在正弦小信号 下(线性运用情况下)的交流参数,只有在放大电路处 于放大状态且输出不失真的条件下才有意义。即输入、输出电阻为交流电阻,用R带小写下标i、o表示。2) 应根据信号源的性质和负载的要求选择电路模型。带负载能力强不是指功率输出能力强,而是指输出量变 化小。注意null3. 增益例1:放大电路的增益为100倍,应为多少dB?解:例2:放大电路的增益为-20dB,应为多少倍?解:电流、电压增益为负,意味着输入与输出之间的相位关系为180°。与对数增益为负的情况不能混淆。对无量钢的增益也可用分贝(dB)为单位表示。用对数的好处:扩大增益变化的视野;将乘法转换为加法。(dB_decibel)如: “甲放大电路的增益为-20倍”和“乙放大电路的增益为-20dB”, 问哪个电路的增益大? 甲从功率 角度考虑(电流增益同) null 放大电路的增益A(f) 是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数都要下降。当A(f)下降到中频电压放大倍数A0的 时,相应的频率fL称为下限频率,fH称为上限频率。即4. 频率响应3dBnull幅度失真: 由于带宽的限制,信 号中不同频率成分增益不 同。 理论上许多非正弦信 号的频谱范围都延伸到无 穷大,而放大电路的带宽 却是有限的。幅度失真线性失真null相位失真: 放大电路对不同频率的信号产生的相移不同。幅度失真和相位失真由线性电抗元件引起,称线性失真相位失真null5. 非线性失真由元器件伏安特性曲线的非线性引起,称非线性失真。(a) 分立元件(三极管),设计时要使其工作在线性区。(b) 集成运放,当输出信号的幅值接近双电源值时,将引起 非线性失真(饱和失真)。区别:线性失真:信号间的比例关系发生变化,不产生新 的频率分量。 非线性失真:产生新的频率分量。 许多周期信号的 频谱都由直流分量、 基波分量及无穷多 项高次谐波谐波分 量组成。VS4.3.1 图解分析法放大电路分析静态分析 (直流工作状态)动态分析 (交流工作状态)估算法图解法微变等效电路法 (小信号模型分析法)图解法计算机仿真4.3.1 图解分析法概念:静态、动态、直流通路、交流通路(DC Analysis)(AC Analysis)( Small-signal model analysis) 4.3 放大电路的分析方法电路处于静态时,三极管各电极 的电压、电流在特性曲线上为一 确定的点,称为静态工作点,或 Q点(Quiescent Piont) 。一般用IB、 IC、 VBE和VCE (或IBQ、ICQ、 VBEQ 和VCEQ )表示。静态:输入信号为零(vi= 0 或 ii= 0)时,放大电路的工作状 态,也称直流工作状态。电路处于静态时,三极管各电极 的电压、电流在特性曲线上为一 确定的点,称为静态工作点,或 Q点(Quiescent Piont) 。一般用IB、 IC、 VBE和VCE (或IBQ、ICQ、 VBEQ 和VCEQ )表示。输入信号为零(vi接地) 电容开路静态等效电路nullRb+VCCRCC1C2T由于电源的存在:IB0IC0ICIE=IB+IC无信号输入时null动态:输入信号不为零时,放大电路的工作状态,也称交流工作状态。交流(信号)通路直流量为零, VCC成为交流地动态等效电路电容短路null 通常,放大电路中交流信号的作用和直流电源的作用共 存,这使得电路的分析复杂化。为简化分析,引入直流通路 和交流通路,总响应是两个响应的叠加。直流通路:① vs=0,保留Rs;②电容开路; ③电感相当于短路(线圈电阻近似为0)。直流分析/静态分析 (IBQ,ICQ,VCEQ)交流通路: ① 大容量电容相当于短路; ② 直流电压源相当于短路(内阻为0)。交流分析/动态分析 (Av,Ri,Ro,fH)直流通路用于偏置电路分析;交流通路用于放大性能分析。 二者都不是实际电路。1. 静态工作情况分析1) 根据直流通路近似估算Q点 1. 静态工作情况分析 直流通路 共射极放大电路2) 用图解分析法确定Q点2) 用图解分析法确定Q点输入回路中 在输入特性曲线上, 作出直线VBE =VCC-IBRb, 两线的交点即是Q点,得 到IBQ。输出回路中(1) 将放大电路分成非线性和线性两部分。输入直流 负载线null(3) 做线性部分的 V-I 特性---(输出)直流负载线VCC 、 VCC /Rc由VCE =VCC-ICRC,在输出特性曲线上确定两个特殊点, 即可画出直流负载线。(2) 做非线性部分(BJT)的输出V-I 特性,并确定IBQ,一般用 估算法: (因输入特性一般不易准确测得)(4) 与IBQ曲线的交点即为Q点,从而得到VCEQ 和ICQ。Rc增大时, 绕(VCC,0) 点向下转动输出直流 负载线1) 放大电路在接入正弦信号时的工作情况2. 动态工作情况图解分析1) 放大电路在接入正弦信号时的工作情况通过图解分析,可得如下结论: (1) vi vBE iB iC vCE (2)无输入信号时,各电极是恒定的电压和电流;Q’Q”:动态工作范围nullQ’Q”:动态 工作范围(3) 加入输入信号后,输入交流信号叠加在原静态直流量的基础上。总电流、电压的瞬时值在变,但方向始终不变。(4) vce与vi波形一样,幅度远比vi大——体现了放大作用。 (5) vce与vi相位相反——反向电压放大器。接上负载时,放大电路的工作情况:接上负载时,放大电路的工作情况:vce= -ic (Rc || RL)交流负载电阻是:R'L= RL||Rc 直流时: VCE =VCC-ICRc= -ic R'L2) 交流负载线☞直流通路原电路由交流通路得交流负载线由交流通路得交流负载线 由于交流负载线必过Q点,因此过输出特性曲线上的Q点,做一条斜率为-1/RL 直线,该直线即为交流负载线。(绕Q点转动) null做法: 在横坐标上,从 VCEQ点处向右量取一 段数值为ICQR’L的电压,得A点,连接AQ的直线即为交流负载线。交流负载线的另一种做法:null交流负载线归纳:(2) R'L= RL||Rc, 是交流负载电阻。 (3) 交流负载线是有 交流 输入信号时 工作点的运动轨 迹。 (4) 交流负载线与直 流负载线相交于 Q点。(1) 通过输出特性曲线上的Q点做一条直线, 其斜率为-1/R'L 。3) Q点的选择要合适3) Q点的选择要合适vCE减小,集电结收集载流子能力减弱。nullIB=0ICEO≈0null饱和失真: 由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的 非线性失真。截止失真: 由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的 非线性失真。 放大电路要想获得大的不失真输出幅度,需要: (1) 工作点Q要设置在输出特性曲线放大区的中间部位; (2) 要有合适的交流负载线。 4) 输出功率和功率三角形 4) 输出功率和功率三角形 要想Po大,就要使功率三角形的面积大,即必须使Vom 和Iom 都要大。功率三角形放大电路向电阻性负载提供的输出功率 在输出特性曲线上,正好是三角形ABQ的面积,这一三角形称为功率三角形。null超过此值,β 将明显下降。建立小信号模型的意义建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路 图解法的适用范围:信号频率低、幅度较大的情况。当放大电路的输入信号电压很小时,就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替,从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 一般情况下,由高低频小功率管构成的放大电路都符合小功率条件,因此其输入输出特性在小范围内均可视为线性。 由于三极管是非线性器件,这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型,就是将非线性器件做线性化处理,从而简化放大电路的分析和设计。4.3.2 小信号模型分析法(Small-signal model analysis)1. BJT的H参数及小信号模型1. BJT的H参数及小信号模型* 三极管可以用一个电路模型来代替。 * 对于低频模型可以不考虑结电容的影响。 * 小信号意味着三极管在线性条件下工作,微变也具有线性 同样的含义。* 物理型模型: 由结构、放大过程抽象得到。 如:混合п型电路模型。 * 网络参数模型: 由双端口网络的特性方程求出。 如:H参数电路模型。(H_Hybrid: 混合的)输出信号功率大于输入信号源所提供的功率BJT的小信号建模常用两种类型(1) BJT H参数的引出(1) BJT H参数的引出在小信号情况下,对上两式在工作点处取全微分得:用小信号交流分量表示vbe= hieib+ hrevceic= hfeib+ hoevce 对于BJT双口网络,我们已经 知道输入输出特性曲线如下:iB=f(vBE) vCE=constiC=f(vCE) iB=const可以写成:Q点值在工程上,全微分可用⊿表示,并用交流分量来代替。或null输出端交流短路时的输入电阻;(i_input)输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数;(f_forward)输入端交流开路时的反向电压传输比;(r_rearward)输入端交流开路时的输出电导。(o_output)其中:四个参数量纲各不相同,故称为混合参数(H参数)。(H_Hybrid)(e_共射接法) (2) BJT的H参数小信号模型(2) BJT的H参数小信号模型vbe= hieib+ hrevceic= hfeib+ hoevce戴维南定理:就端口特性而言,单口网络可以等效为一个电压源和电阻串联的单口网络。 诺顿定理: 就端口特性而言,单口网络可以等效为一个电流源和电阻的并联。根据方程,可得小信号模型:戴维南等效 电路形式☞☞诺顿等效 电路形式关于小信号模型的讨论(应注意的问题)(a)电流源hfeib为一电流控 制电流源(CCCS) ,而 不是独立的电源。 (b)电流源hfeib的流向不能 随意假定,而是由ib决 定。 (c) 受控电压源(VCVS) hrevce同理。关于小信号模型的讨论(应注意的问题)(CCCS_current control current source) (VCVS_voltage control voltage source) (CCVS: 电流控制电压源) (VCCS: 电压控制电流源)null 小信号模型在Q点求出,与静态工作点有关系,反映了Q点附近的工作情况, 但不能用于求Q点值。(d)该模型(H参数)仅适用于交流小信号,不能用于静态 分析(求Q点值)、求大信号和电压、电流总值。(3) 模型简化(3) 模型简化 对共射极接法,H参数一般采用习惯符号:输入电阻rbe;正向电流传输比或电流放大系数 ;反向电压传输比 。输出电导1/rce;数量级模型简化 μr反映三极管内部的电压反馈,因数量很小,一般可以忽略。 rce比输出电阻Rc( 或RL) 大得多,与电流源并联时,分流极小,可作开路处理。模型简化反映了晶体管电流的以小控大作用 用H参数等效电路分析放大电路前,首先必须得到Q点处的H参数。Rbb’ :基区体电阻 用H参数等效电路分析放大电路前,首先必须得到Q点处的H参数。方法1: H参数测试仪、BJT特性图示仪。方法2: 估算rbere :发射结交流电阻在发射极产生同 样大小的电流效 果时,re在基区 的等效值。由r’e :发射区体电阻null温度的 电压当量适用范围:0.1mA标准
正弦信号为输入信号:a) 齐次性:若激励f(t)产生的响应为y(t),则激励Af(t) 产生的响应为Ay(t),A为任意常数。 b) 叠加性:若激励f1(t)、 f2(t)产生的响应分别为y1(t)、 y2(t) ,则激励f1(t)+ f2(t)产生的响应为y1(t)+y2(t) 。 c) 线性:若激励f1(t)、 f2(t)产生的响应分别为y1(t)、 y2(t) , 则激励A1f1(t)+ A2f2(t)产生的响应为A1y1(t)+A2y2(t) 。☞null分析步骤:(1) 画出小信号等效电路H参数小信号等效电路不考虑直流信号注意三个电极之间的对应位置关系例4.3.2图null(2) 计算输入电阻和输出电阻(a) 输入电阻 (Input impedance)与(4.3.9)式 的Rb不同根据得从信号源之后 向电路内部看例4.3.2图null教材131页(4.3.9)式图4.3.14例4.3.2null(b) 输出电阻 (Output impedance)从RL之前向电路内部看∴ 电压增益为∴ 电压增益为(可作为公式)(3) 求电压增益 (Small-signal voltage gain)注意:与131页(4.3.8)式的区别β、rbe应是Q点上的参数null(教材131页 4.3.8 式)图4.3.14例4.3.2null例4.3.2:已知在Q点上 =40,计算 、Ri、Ro。① 为求rbe,首先需确定Q点时的IEQ。② 求rbe解:(1) 求电压增益nullRi:从信号源之后 向电路内部看Ro:从RL之前 向电路内部看三极管的 输入电阻放大电路的输入电阻(2) 输入电阻(3) 输出电阻值相近 概念不同null讨论: ① 求动态参数时,Ri指从信号源之后向电路内部看的输入电 阻;Ro指从RL之前向电路内部看的输出电阻。 ② 信号源为电压源时 输入电阻高一些好,尤其是在信号源内阻较大的场合,可避免信号的过多衰减,作为放大电路的输入级,尤其应予 以考虑。null存在问题:管子参数的改变集中反映在 ICQ和VCEQ的变化上,引起Q点的漂移。4.4 放大电路的工作点稳定问题直流通路固定偏流电路(Biasing Circuit)偏流当VCC、Rc确定后,Q点由IB决定。(IB被外电路固定)Single Base Resistornull4.4.1 温度对工作点的影响 温度变化影响管子内部载流子的运动,使管子的特性参数 发生变化。1. 温度变化对反向饱和电流ICBO的影响温度T ICBO输出特性曲线上移ICBO由本征激发少子的漂移运动形成。null2. 温度变化对输入特性曲线的影响温度T   导通电压↓输入特性曲线左移3. 温度变化对 的影响温度每升高1 ℃,  增加0.5%1.0%。温度T   输出特性曲线族间距增大基区载流子扩散速度加快,复合数目减小。ICBO:温度每升高10℃,增大一倍 VBE : -2.2 mV/℃(负温度系数) β :温度每升高 1℃,增大(0.5%~1%)即:null温度对工作点的影响归纳为:1) 温度升高,ICQ增大,使工作点移动。null4.4.2 射极偏置电路(自偏置电路) (Circuit with emitter resistor)目标:温度变化时,使IC保持恒定 固定偏流共射极放大电路即:IB被外电路固定IE+ Ve -VB+ VBE -Re可取大些,调节控制作用更强。分压式偏置电路(Voltage Divider Biasing Circuit)(1) 稳定Q点的原理 null分压式偏置 理论上:I1>>IBQ和VBQ>>VBEQ 相差越大 越好; 工程上一般取:I1=(5~10)IBQVBQ=(3~5)V(2) 确定工作点Q ( IBQ,ICQ,VCEQ) ① 估算法null② 精确计算VCC′= VCC Rb2 / (Rb1+Rb2) Rb′= Rb1||Rb2 IBQ=( VCC′-VBE)/ [Rb′+(1+)Re] ICQ=IBQ VCEQ= VCC-ICQRc-IEQRe= VCC-ICQ(Rc+Re) (a) 直流通路 (b) 用戴维宁定理进行变换 直流通路(a)用戴维宁 定理进行变换后如图(b)所 示。静态计算如下:(3) 动态性能分析null① 求电压增益☞+-++--输入端等效电阻 类似于BJT内部☞比较:null解决这个矛盾的方法: 加电容Ce。射极旁路电容 (大:几十-几百微法)实际效果: 工作点稳定了, 但增益下降了。原因② 输入电阻② 输入电阻即:输入电阻 提高了,相当于增加了一个(1+β)Re的电阻。③ 输出电阻③ 输出电阻根据KVL:输出电阻提高了, 即提高了电路的 恒流特性。由输入回路得:由输出回路☞null与基本共射 放大电路类似相当于等效为:带Re的共射放大电路折合部分null固定偏流电路与射极偏置电路的比较Ro = Rc 射极偏置电路如何改进,可以使其既具有温度稳定性,又具有与固定偏流电路相同的增益?加射极旁路电容Ce(降低)(增大)例1:电流反馈型偏置电路的电路参数如图,求Q点值。例1:电流反馈型偏置电路的电路参数如图,求Q点值。解:解:Q点:(40μA,2mA,6V)Q:(IBQ,ICQ,VCEQ)null例2:电路及参数如图,=40,rbb′=100。 (1)计算静态工作点;(2)求Av,Ri,Ro解: (1) 画直流通路,求静态工作点。当I1>>IB时: [法1]近似估算法null [法2]精确计算:戴维南等效电路直流通路null(2) 画微变等效电路,求Av,Ri,RonullRo=Rc=4kΩnull例3:电路的参数不变,若β增加一倍,静态参数(IB, IC, VCE), 及动态参数(AV, Ri, Ro)如何变化?(1)静态参数∴ β增加一倍, IC、VCE不变, IB减小一倍。表明:Re对直流的 自动调节作用,使 输出稳定,输入自 动变小。null∴ β增加一倍, IC、VCE不变, IB减小一倍。射级偏置电路对直流工作点的自动调节作用 (2) 动态参数(2) 动态参数∴ β增加一倍, Ri、Ro 不变, AV增大。对交流信号而言Re不起作用。null例4:电路的参数不变,若断开Ce,静态参数(IB、IC、VCE), 及动态参数(AV、Ri、Ro)如何变化。解:断开Ce后,静态参数不变。 动态参数中, AV减小,Ri增大、Ro(≈Rc)不变。4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.5.1 共集电极放大电路(Common-Collector Amplifier)又称 射极输出器共射组态共集组态nullQ点1. 静态分析: 求Q点IB: 考虑通过IE求IB ?(1) 电压增益(1) 电压增益( <1 )2. 动态分析nulla)关于共集电极电压放大倍数 输出电压与输入电压近似相等,电压未被放大,但是 电流放大了,即输出功率被放大了。b) 输入输出同相,输出电压跟随输入电压,故又称 射极电压跟随器(Emitter-Follower)(2) 输入电阻(2) 输入电阻Ri=Rb || [rbe +(1+ )R'L )] R'L = RL ||Re比共射极基本放大电路Ri=rbe大得多(几十至几百倍)。结论: 输入电阻很大负载或后级 放大电路的 输入电阻null(3) 输出电阻折合到射极的结论:输出电阻很小 (几十到几百欧)null特点:共集电极电路的特点与应用① 电压放大倍数≈1, ② 输入阻抗高,输出阻抗小。应用:① 做输入级:放在电路首级,可以提高输入电阻。 ② 做输出级:放在电路末级,可以降低输出电阻, 提高带负载能力。 ③ 做中间级(缓冲级):将射极输出器放在电路的两极 之间,可以起到电路匹配的作用。4.5.2 共基极放大电路(Common-Base Amplifier)4.5.2 共基极放大电路(Common-Base Amplifier)1. 静态分析:与共射组态相同null2. 动态分析交流通路nullRo = rcb||Rc ≈ Rc与共射极值相同,符号相反Ri 很小 ( 几欧到几十欧)null② 输入电阻小。只放大电压,不放大电流!③ 输出电阻大。④ 电流放大倍数为 ,又称电流跟随器。共基极放大器特点4.5.3 三种组态的比较4.5.3 三种组态的比较电压增益输入电阻输出电阻电流增益电 路 形 式共射极共集电极共基极大,几十 到几百欧大中,几百 到几千欧高大,几十千欧小,≈1 电压跟随器大低大,几十 到几百欧电流跟随器高低,几 到几十欧归 纳归 纳共射电路:电压、电流和功率增益均大,输入输出电压 相位相反,输入输出电阻适中。常用于电压 放大。 共集电路:电压放大倍数是小于且接近于1的正数,具有 电压跟随特点,输入电阻大,输出电阻小。 常作为电路的输入、输出级和缓冲级。 共基电路:放大倍数同共射电路,具有电流跟随特点。 输入电阻小,频率特性好。常用作宽带放大 器。4.6 多级放大电路及组合放大电路4.6 多级放大电路及组合放大电路4.6.1 多级放大器 (Multistage Amplifiers) 问题的提出: 前面所述的单管放大电路,在实际运用中各项性能指标很 难满足要求,所以需要采用多级放大电路。多级放大电路的连接,产生了单元电路间的级联问题,即耦合问题。 级间耦合的条件: 把前级的输出信号尽可能多地传给后级,同时要保证前后 级晶体管均处于放大状态,实现不失真的放大,即各级的静态 工作点正确。涉及的问题: 耦合形式、零点漂移。 null1. 耦合(coupling)形式 直接耦合:耦合电路采用直接连接或电阻连接。可传输低频甚至直流信号,因而缓慢变化的漂移信号也可以通过直接耦合放大电路。电抗性元件耦合:级间采用电容或变压器耦合。电抗性元件耦合,只能传输交流信号,漂移信号和低频信号不能通过。nulla) 直接耦合使各级工作点互相影响,应认真加以解决;变压器耦合可实现阻抗变换(不常用)。阻容耦合使前后级相对独立,Q点互不影响,可抑制温漂;b) 静态分析与耦合方式有关:动态分析与耦合方式无关:阻容耦合:各级Q互相独立; 直接耦合:各级Q互相影响。null2. 零点漂移(drift) ——零漂 vi=0时vo0。是三极管的工作点随时间而逐渐偏离原有 静态值的现象。 温度的影响。所以有时也用温度漂移(temperature drift) 或时间漂移来表示。产生的主要原因:4.6.2 直接耦合放大电路的构成 直接耦合或电阻耦合使各放大级的工作点互相影响,这是构成直接耦合多级放大电路时必须要加以解决的问题。(1) 电位移动直接耦合放大电路(2) NPN+PNP组合电平移动直接耦合放大电路(3) 电流源电平移动放大电路(4) 第一级采用差动放大器null(1) 电位移动直接耦合放大电路前后级的直接耦合 由于: VC1=VB2 故: VC2= VB2+ VCB2>VB2(VC1 ) 集电极电位会逐级提高,为此后面的放大级要加入较大 的发射极电阻,从而无法设置正确的工作点。这种方式只适 用于级数较少的电路或模拟集成电路中。null 级间采用NPN管 和PNP管搭配的方式。 由于NPN管集电极电位 高于基极电位,PNP管 集电极电位低于基极电 位,它们的组合使用可 避免集电极电位的逐级 升高。(2) NPN+PNP组合电平移动直接耦合放大电路NPN和PNP管组合共?共?共e共e(3) 电流源电平移动放大电路(4) 采用差动放大器用于模拟集成电路中null 在求分立元件多级放大电路的电压放大倍数时有两种处理方法:输入电阻法开路电压法或 前对后:信号源,vo1=vi2;Ro1=Rs2后对前:负载, Ri2= RL14.6.3
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