诺基亚5110液晶屏资料驱动芯片PCD8544中文数据手册

综合 数据表� PCD8544� 48 × 84 点矩阵 LCD 控制/驱动 产品 1999 4月 12日 综合电路在文档内，IC17 1999 年 4 月 12 日 2 目录 1 特征 2 概述 3 应用 4 分类信息 5 方块图 6 引脚 6.1 引脚功能 6.1.1 R0 到 R47：行驱动输出 6.1.2 C0 到 C83：列驱动输出 6.1.3 VSS1，VSS2：负电源 6.1.4 VDD1，VDD2：正电源 6.1.5 VLCD1，VLCD2：LCD 电源供应 6.1.6 T1，T2，T3 和 T4：测试焊盘 6.1.7 SDIN：串行数据线 6.1.8 SCLK：串行时钟线 6.1.9 D/C：模式选择 6.1.10 SCE：芯片使能 6.1.11 OSC：振荡器 6.1.12 RES:复位 7 功能描述 7.1 振荡器 7.2 地址计数器（AC） 7.3 显存（DDRAM） 7.4 时钟发生器 7.5 显示地址计数器 7.6 LCD 行列驱动器 7.7 寻址 7.7.1 数据结构 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544� 1999 年 4 月 12 日 3 7.8 温度补偿 8 指令 8.1 初始化 8.2 复位功能 8.3 功能设置 8.3.1 位 PD 8.3.2 位 V 8.3.3 位 H 8.4 显示控制 8.4.1 位 D 和 E 8.5 设置 RAM 的 Y 地址 8.6 设置 RAM 的 X 地址 8.7 温度控制 8.8 偏置值 8.9 设置 VOP 值 9 极限值 10 操作 11 直流特性 12 交流特性 12.1 串行界面 12.2 复位 13 应用信息 14 焊盘定位 14.1 焊盘信息 14.2 焊盘定位 15 盘信息 16 定义 17 应用支持 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544� 1999 年 4 月 12 日 4 1 特特征征 单芯片 LCD 控制/驱动 48 行，84 列输出 显示数据 RAM 48*84 位 芯片集成： ——LCD 电压发生器（也可以使用外部电压供应） ——LCD偏置电压发生器 ——振荡器不需要外接元件（也可以使用外部时钟） 外部 RES（复位）输入引脚 串行界面最高 4.0Mbits/S CMOS 兼容输入 混合速率：48 逻辑电压范围 VDD 到 VSS：2.7V~3.3V 显示电压范围 VLCD 到 VSS： ——6.0~8.5V LCD内部电压发生器（充许电压发生器） ——6.0~9.0V LCD 外部电压供应（电压发生器关闭） 低功耗，适用于电池供电系统 关于 VLCD的温度补偿 使用温度范围：-25~70℃ 2 概概述述 PCD8544 是一块低功耗的 CMOS LCD 控制驱动器，设计为驱动 48 行 84 列的图形显示。所有必须的显示功能集成在一块芯片上，包 括 LCD 电压及偏置电压发生器，只须很少外部元件且功耗小。 PCD8544 与微控制器的接口使用串行总线。 PCD8544 采用 CMOS 工艺。 3 应应用用 通信设备 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 5 44 分分类类信信息息 封装 类型编号 名称 说明 版本 PCD8544U —— 芯片带突起盘，168个通信盘，4个虚设盘 —— 55 方方块块图图 图1 方块图 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 MGL629 列驱动 数据锁存器 显示数据存储器 (DDRAM) 48 × 84 地址计数器 数据 寄存器 行驱动 移位寄存器 复位 时钟 发生器 显示 地址 计数器 振荡器 I/O 缓冲区 偏置电压 发生器 VLCD 发生器 VLCD2 VLCD1 VDD1 to VDD2 VSS1 to VSS2 T2 T1 T3 T4 SCLKSDIN SCED/C RES OSC C1~ C83 R0 ~ R47 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 6 66 引引脚脚 符符号号 描描述述 R0~R47 LCD行行驱驱动动输输出出 C0~C83 LCD列列驱驱动动输输出出 VSS1，，VSS2 地地 VDD1，，VDD2 电电源源电电压压 VLCD1，，VLCD2 LCD电电源源电电压压 T1 测测试试点点1 输输入入 T2 测测试试点点2 输输出出 T3 测测试试点点3 输输入入/输输出出 T4 测测试试点点4 输输入入 SDIN 串串行行数数据据输输入入端端 SCLK 串串行行时时钟钟输输入入端端 D/C 数数据据/命命令令 SCE 芯芯片片使使能能 OSC 振振荡荡器器 RES 外外部部复复位位输输入入端端 Dummy1,2,3,4 没没连连接接 注： 1、更详细见图18及表7 6.1 引脚功能 6.1.1 R0~R47 行驱动输出端 输出行信号 6.1.2 C0~C83 列驱动输出端 输出列信号 6.1.3 VSS1，VSS2：负电源供应 VSS1和VSS2必须连接在一起。 6.1.4 VDD1，VDD2：正电源供应 VDD1和VDD2必须连接在一起。 6.1.5 VLCD1, VLCD2: LCD 电源供应 液晶显示器正电源。VLCD1 和 VLCD2必须连接在一起。 6.1.6 T1, T2, T3 和 T4: 测试点 T1, T3 和 T4 必须连接到 VSS, T2 悬空，用户不能访问。 6.1.7 SDIN:串行数据线 输入：数据线。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 7 6.1.8 SCLK: 串行时钟线 输入：时钟信号: 0.0 ~ 4.0 Mbits/s. 6.1.9 D/C: 模式选择 输入：选择命令/地址或输入数据 6.1.10 SCE: 芯片使能 使能引脚充许输入数据，低电平有效。 6.1.11 OSC:振荡器 当使用芯片内置振荡器时，引脚必须接到 VDD。使用外部振荡器 时则连接到些引脚。如果 OSC 引脚连接到 VSS，则禁止内部振荡器 及外部振荡器，显示不计时并停留在直流状态。为避免这种情况，在 停止时钟之前使芯片进入关闭模式。 6.1.12 RES:复位 此信号会复位设备，应用于初始化芯片。低电平有效。 77 功功能能描描述述 77..11 振振荡荡器器 芯片内置振荡器提供显示系统的时钟信号。不需要外接元件，但 OSC输入端必须接到VDD。如果使用外部时钟则连接到这只引脚。 77..22 地地址址计计数数器器 ((AACC)) 地址计数器为写入显示数据存储器指定地址。X地址 X6~X0和Y地址 Y2~Y0 分别设置。写入操作之后，地址计数器依照V标志自动加1。 77..33 显显示示数数据据存存储储器器 ((DDDDRRAAMM)) DDRAM是存储显示数据的48*84位静态RAM。RAM分为6排，每排84 字节（6*8*84位）。访问RAM期间，数据通过串行接口传输。这里X 地址与列输出号码直接通信。 77..44 时时钟钟发发生生器器 时钟发生器产生驱动内部电路的多种信号。内部芯片操作不影响 数据总线上的操作。 77..55 显显示示地地址址计计数数器器 通过列输出，LCD点矩阵RAM数据行连续移位产生显示。显示状态 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 8 （所有点开/关和正常/反转映象）通过‘显示控制’命令的E、D位来 设置。 77..66 LLCCDD 行行列列驱驱动动器器 PCD8544 包含48行和84列驱动器，连接适当的序列偏置电压来显 示数据。图2 展示典型波形。不用的引脚可悬空。 77..77 寻寻址址 数据以字节为单位下载到PCD8544的48*84位显示数据RAM矩阵， 象图3、4、5、6所示。列通过地址指针寻址，地址范围为：X0~83 （1010011），Y 0~5（101）。地址不充许超出这个范围。在垂直寻 址模式（V=1），Y地址在每个字节之后递增（见图5）。经最后的Y 地址（Y=5）之后，Y绕回0，X递增到下一列的地址。在水平寻址模式 （V=0），X地址在每个字节之后递增（见图6）,经最后的X地址（X=83） 之后，X绕回0，Y递增到下一行的地址。经每一个最后地址之后（X=83， Y=5），地址指针绕回地址（X=0，Y=0）。 77..88 温温度度补补偿偿 由于液晶体的温度依赖，在低温时必须增加LCD控制电压VLCD来维持 对比度。图7展示高速率的VLCD。在 PCD8544,VLCD的温度系数可以通 过设置TC1和TC0位来选择四个值（见表2）。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 9 图2 典型LCD驱动波形 Vstate1(t) = C1(t) - R0(t). Vstate2(t) = C1(t) - R1(t). MGL637 ROW 0 R0 (t) ROW 1 R1 (t) COL 0 C0 (t) COL 1 C1 (t) VLCD V2 V3 V4 V5 VSS VLCD VSS VLCD VSS VLCD VLCD V3 - VSS VLCD - V2 V3 - V2 0 V VLCD V3 - VSS VLCD - V2 V3 - V2 0 V −VLCD V4 - VLCD VSS - V5 V4 - V5 0 V −VLCD V4 - VLCD VSS - V5 V4 - V5 0 V VSS V2 V3 V4 V5 V2 V3 V4 V5 V2 V3 V4 V5 frame n frame n + 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8... 47 ... 47 Vstate1(t) Vstate2(t) Vstate1(t) Vstate2(t) Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 10 图3 DDRAM 到显示的映射 top of LCD MGL636 DDRAM bank 0 R0 R8 R16 R24 R32 R40 R47 bank 1 bank 2 bank 3 bank 4 bank 5 LCD Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 11 图4 格式和寻址 handbook, full pagewidth MGL638 0 0 5 LSB MSB Y-address X-address 83 图5 用垂直寻址方式（V=1）往RAM写数据的次序 handbook, halfpage MGL639 0 0 55035 4 3 2 1 0 7 6 Y-address X-address 83 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 12 图6 用水平寻址方式（V=0）往RAM写入数据的次序 handbook, halfpage MGL640 0 0 5503420 336 252 168 421 337 253 169 84 0 85 1 422 338 254 170 86 2 Y-address X-address 83 图7 LCD液晶运作温度（典型值） handbook, halfpage MGL641 0°C (1) (2) (3) (4) VLCD 温度 (1)上限 (2) 典型过程 (3) IC温度系数 (4) 下限 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 13 8 指令 指令格式分为两种模式：如果D/C（模式选择）置为低，当前字 节解释为命令字节（见表1）。图8展示初始化芯片的串行数据流例子。 如果D/C置为高，接下来的字节将存储到显示数据RAM。每一个数据字 节存入之后，地址计数自动递增。在数据字节最后一位期间会读取D/C 信号的电平。 每一条指令可用任意次序发送到PCD8544。首先传送的是字节的 MSB（高位）。图9展示一可能的命令流，用来设置LCD驱动器。当SCE 为高时，串行接口被初始化。在这个状态，SCLK时钟脉冲不起作用， 串行接口不消耗电力。SCE上的负边缘使能串行接口并指示开始数据 传输。 z 当SCE 为高时，忽略 SCLK 时钟信号；在SCE为高期间，串行接口 被初始化（见图12）。 z SDIN 在SCLK的正边缘取样。 z D/C 指出字节是一个命令 (D/C = 0)或是一个RAM数据(D/C = 1)； 它在第八个SCLK脉冲被读出。 z 在命令/数据字节的最后一位之后，如果SCE为低，串行接口在下 一个SCLK正边缘等待下一个字节的位7（见图12） z RES端的复位脉冲中断传输。数据不会写进RAM。寄存器被清除。 如果在RES正边缘之后SCE为低，串行接口准备接收命令/数据字节 的位7（见图13）。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544� 1999 年 4 月 12 日 14 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 图8 普通数据流格式 handbook, halfpage MGL666 data data MSB (DB7) LSB (DB0) 图9 串行数据流实例 handbook, full pagewidth MGL642 功能设置(H = 1) 偏置系统 设置VOP 温度控制 功能设置(H = 0) 显示控制 X 地址Y 地址 图10 串行总线——传送1个字节 handbook, full pagewidth DB7SDIN SCLK SCE D/C DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 MGL630 1999 年 4 月 12 日 15 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 图11 串行总线协议 —— 传送多个字节 handbook, full pagewidth SDIN SCLK SCE D/C MGL631 图12 串行总线复位功能（SCE） handbook, full pagewidth DB7SDIN SCLK RES SCE D/C DB3 MGL632 DB6 DB5 DB4 DB0DB2 DB1 DB7 DB3DB6 DB5 DB4 DB0DB2 DB1 DB7 DB6 DB5 DB7 DB3DB6 DB5 DB4 DB0DB2 DB1 DB7 DB3DB6 DB5 DB4 DB0DB2 DB1 DB7 DB6 DB5 1999 年 4 月 12 日 16 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 图13 串行总线复位功能 （RES） handbook, full pagewidth SDIN SCLK RES SCE D/C MGL633 DB7 DB3DB6 DB5 DB4 DB0 DB7 DB3DB6 DB5 DB4 DB0DB2 DB1 DB7 DB6 DB5 表1 指令集 表2 表1中的符号说明 指令 D/C 命令字 描述 DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 (H = 0 or 1) NOP 0 0 0 0 0 0 0 0 0 空操作 0 0 0 1 0 0 PD V H 掉电控制；进入模式； 扩展指令设置（H） 写数据 7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 写数据到显示 RAM (H = 0) 保留 0 0 0 0 0 1 X X 不可使用 显示控制 0 0 0 0 1 D 0 E 设置显示配置 0 0 0 1 X X X X 设置RAM的Y地址 0 0 1 0 0 0 Y2 Y1 Y0 0 ≤ Y ≤ 5 0 1 X6 X5 X4 X3 X2 X1 X0 0 ≤ X ≤ 83 (H = 1) 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 X 温度控制 0 0 0 0 0 0 1 TC1 TC0 设置温度系数 (TC x) 0 0 0 0 1 X X X 偏置系统 0 0 0 1 0 BS2 BS1 BS0 设置偏置系统(BSx) X X X X X X 设置VOP 0 1 VOP6 VOP5 VOP4 VOP3 VOP2 VOP1 VOP0 写VOP 到寄存器 BIT 0 1 PD 芯片是活动的 芯片处于掉电模式 V 水平寻址 垂直寻址 H 使用基本指令集 使用扩展指令集 D and E 00 显示空白 10 普通模式 01 开所有显示段 11 反转映象模式 TC1 and TC0 00 VLCD 温度系数 0 01 VLCD 温度系数 1 10 VLCD 温度系数 2 11 VLCD 温度系数 3 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999年4月12日 17 D1 功能设置 0 0 保留 设置RAM的X地址 0 保留 0 10 保留 0 保留 0 0 不可使用 不可使用 不可使用 不可使用 不可使用 设置RAM的Y地址 设置RAM的X地址 1999 年 4 月 12 日 18 88..11 初初始始化化 接电源后，内部寄存器和RAM的内容不确定。必须应用一个RES 脉冲。注意，不正确的复位是危险的，可能会损坏设备。 所有内部寄存器在指定的时间内，通过31脚的外部RES脉冲（低 电平）复位。无论如何，RAM的内容仍然不确定。复位后的状态在8.2 节描述。 当VDD变高，VDD达到VDDmin（或更高）之后，最多100ms，RES 输入 必须为0.3VDD（见图16）。 88..22 复复位位作作用用 复位后，LCD驱动器有下列状态： 电源节省模式 (位 PD = 1) 水平寻址 (位 V = 0)常规指令设置(位 H = 0) 显示页(位 E = D = 0) 地址计数器 X6 至 X0 = 0; Y2 至 Y0 = 0 温度控制模式(TC1 TC0 = 0) 偏置系统 (BS2 至 BS0 = 0) VLCD 等于 0, HV 发生器为关闭状态(VOP6 至 VOP0 = 0) 加电后，RAM内容不确定。 88..33 功功能能设设置置 88..33..11 位位 PPDD LCD 输出为 VSS (显示关闭) Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 19 偏置发生器和VLCD发生器关闭，VLCD可以不连接。 振荡器关闭(可用外部时钟) 串行总线，命令，等功能 进入省电模式之前，RAM需要填充‘0’以保证指定的电流消耗。 8.3.2 位 V 当 V = 0，选择水平寻址。数据写入DDRAM见图6。 当 V = 1，选择垂直寻址。数据写进DDRAM见图5。 8.3.3 位 H 当 H = 0， 可以执行‘显示控制’，‘设置Y地址’和‘设置X地址’； 当 H = 1，可以执行其它命令。 ‘写数据’和‘功能设置’可以在两种状态下执行。 88..44 显显示示控控制制 8.4.1 位 D 和 E 位 D 和 E 选择显示模式（见表2）。 88..55 设设置置RRAAMM的的 YY 地地址址 定义显示RAM的Y寻址向量。 88..66 设设置置RRAAMM的的 XX 地地址址 X 地址指向列。X的范围是0至83（53H）。 88..77 温温度度控控制制 VLCD的温度系数由位TC1和TC0选择。 88..88 偏偏置值值 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 1999 年 4 月 12 日 20 偏置电平用以下比率设置：R - R - nR - R - R, 给出一个 1/(n + 4) 的偏置系统。不同的复合比率需要不同的因子n (见表 4)。这是BS2 至 BS0的程序。例如 1：48，适合的偏置值n，1/8偏置计算结果，由 式（1）得出： n = 48- 3 = 3.928 = 4 （1） Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 表 3 Y 向量寻址 Y2 Y1 Y0 BANK 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 2 0 1 1 3 1 0 0 4 1 0 1 5 表4 编程偏置系统 BS2 BS1 BS0 n 推荐混合率 0 0 0 7 1 : 100 0 0 1 6 1 : 80 0 1 0 5 1 : 65/1 : 65 0 1 1 4 1 : 48 1 0 0 3 1 : 40/1 : 34 1 0 1 2 1 : 24 1 1 0 1 1 : 18/1 : 16 1 1 1 0 1 : 10/1 : 9/1 : 8 表5 LCD偏置电压 符号 偏置电压 1/8偏置的偏置电压T V1 VLCD VLCD V2 (n + 3)/(n + 4) 7⁄8 × VLCD V3 (n + 2)/(n + 4) 6⁄8 × VLCD V4 2/(n + 4) 2⁄8 × VLCD V5 1/(n + 4) 1⁄8 × VLCD V6 VSS VSS 1999 年 4 月 12 日 21 88..99 设设置置 VV 值值 操作电压 VLCD 可以用软件设置，值根据液晶来选择。 VLCD = a + (VOP6 to VOP0)x b [V].对于PCD8544，a = 3.06 ，b = 0.06 在室温下的编程范围为3.00~10.68。 注意如果VOP6 to VOP0设为0时，会关闭负荷的吸取。 例如混合比 1 : 48, 适当的液晶操作电压计算如下： (2) Vth 是液晶的极限使用电压。 警警告告，， 在在低低温温下下增增加加VVOOPP 时时，，在在2255℃℃情情况况下下，，VVOOPP不不能能超超过过88..55VV极极限限值值。。 handbook, halfpageVLCD b a 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A ... MGL643 a=3.06. b=0.06. VOP6 to VOP0 (programmed) [00 to7FH]. 图14 编程VOP Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 VLCD 1 48+ 2 1 1 48 ----------–   ⋅ --------------------------------------- Vth⋅ 6.06 Vth⋅= = OP 1999 年 4 月 12 日 22 99 极极限限值值 系统的绝对极限值 (IEC 134)；见附注1和附注2。 附附注注 1. 强调上面列出的极限值可能导致设备永久性损坏。 2. 除非另外说明，在操作温度范围内，参数都是有效的。除非有其 它的注释，所有的电压都是相对于VSS。 3. 外部LCD供电 (电压发生器禁止)。如果LCD供给电压使用内部发生 器 VDDmax = 5 V (电压发生器使能)。 4. 当用软件设置VLCD 时，注意在25℃情况下，VOP不能超过8.5V极限 值。见8.9节的警告。 1100 操操作作 正常的操作中，输入和输出有静电保护，无论如何，为了安全，必须有 适当的防范措施来操作MOS设备。（见操作MOS设备）。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 参数 条件 最小值 最大值 单位 VDD 0.5 +7 V VLCD 0.5 +10 V Vi −0.5 VDD + 0.5 V ISS -50 +50 mA II, IO -10 +10 mA Ptot 总功率消耗 − 300 mW PO 输出功率消耗 − 30 mW Tamb 操作环境温度 − 25 +70 °C Tj 操作连接温度 − 65 +150 °C Tstg 存放温度 − 65 +150 °C 符号 电源电压 附注3 附注4LCD供电电压 输入电压 对地电流 直流输入，输出电流 1999 年 4 月 12 日 23 1111 DDCC 特特性性 VDD = 2.7 to 3.3 V; VSS = 0 V; VLCD = 6.0 to 9.0 V; Tamb = 　25 to +70 ℃; 除非另有说明。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VDD1 电源电压 1 LCD 电压外部供给 （电压产生器禁止） 2.7 − 3.3 V VDD2 电源电压 2 LCD 电压内部产生 2.7 − 3.3 V VLCD1 LCD 电源电压 6.0 − 9.0 V VLCD2 LCD 电源电压 6.0 − 8.5 V IDD1 电流 1(普通模式) 内部VLCD VDD = 2.85 V; VLCD = 7.0 V;fSCLK = 0; Tamb = 25 °C; 显示负载 = 10 µA; 附注 2 − 240 300 µA IDD2 VDD = 2.70 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; Tamb = 25 °C; − − 320 µA IDD3 电源 3 （掉电模式） 内部或外部LCD电源；附注3 − 1.5 − µA IDD4 外部VLCD供应电流 VDD = 2.85 V; VLCD = 9.0 V; fSCLK = 0; notes 2 and 4 − 25 − µA ILCD VDD = 2.7 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; T = 25 °C; µA; 附注2，4 − 42 − µA 逻辑 VIL 低电平输入电压 VSS − 0.3VDD V VIH 高电平输入电压 0.7VDD − VDD V IL 漏电流 VI = VDD or VSS −1 − +1 µA 列和行输出 Ro(C) 列输出阻抗C0~C83 − 12 20 kΩ Ro(R) − 12 20 kΩ 电流 2(普通模式) 内部VLCD 外部VLCD供应电流 （电压产生器充许） LCD 电压外部供给 （电压产生器禁止） LCD 电压内部产生 （电压产生器充许）附注1 显示负载 = 10 µA; 附注 2 显示负载 = 10 行输出阻抗R0~R47 1999 年 4 月 12 日 24 附附注注 1. 可能的最高VLCD 电压的产生依赖于供电电压，温度和（显示）负 载。 2. 内部时钟。 3. RAM 内容等于‘0’. 在掉电期间，所有静态电流关闭。 4. 如果使用外部 VLCD, 显示负载电流不会传送到IDD。 5. 误差与温度相关（典型零点在27℃，最大误差在温度范围的极限 值处）。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 LCD电压产生器 VLCD VLCD 内部产生的公差 VDD = 2.85 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; 显示负载 = 10 µA; 附注 5 − 0 300 mV TC0 VLCD 温度系数 0 VDD = 2.85 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; µA − 1 − mV/K TC1 VLCD VDD = 2.85 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; µA − 9 − mV/K TC2 VLCD VDD = 2.85 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; µA − 17 − mV/K TC3 VLCD VDD = 2.85 V; VLCD = 7.0 V; fSCLK = 0; µA − 24 − mV/K 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 显示负载 = 10 显示负载 = 10 显示负载 = 10 显示负载 = 10 温度系数 1 温度系数 2 温度系数 3 1999 年 4 月 12 日 25 1122 AACC 特特性性 附附注注 1. 2. 在VDD变高之前，RES 可能为低。 3. th5 是从前一个SCLK 正缘 (与 SCE状态无关)到SCE的负缘的时间（见图15）。 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fOSC 晶振频率 20 34 65 kHz fclk(ext) 外部时钟频率 10 32 100 kHz fframe 帧频率 fOSC or fclk(ext) = 32 kHz; note 1 − 67 − Hz tVHRL VDD to RES LOW 图 16 0(2) − 30 ms tWL(RES) RES LOW 脉冲宽度 图 16 100 − − ns Serial bus timing characteristics fSCLK 时钟频率 VDD = 3.0 V ±10% 0 − 4.00 MHz Tcy 时钟周期 SCLK 所有信号时序基于 20%~80%的V 和最大10 ns的升降 DD 250 − − ns tWH1 SCLK 脉冲宽度 HIGH 100 − − ns tWL1 SCLK 脉冲宽度 LOW 100 − − ns tsu2 SCE 建立时间 60 − − ns th2 SCE 保持时间 100 − − ns tWH2 SCE 最小 HIGH 时间 100 − − ns th5 SCE 开始保持时间；附注3 100 − − ns tsu3 D/C 建立时间 100 − − ns th3 D/C 保持时间 100 − − ns tsu4 SDIN 建立时间 100 − − ns th4 SDIN 保持时间 100 − − ns fclk (ext)= --------------------Tframe 480 ------------------- -------------------------------------- 1999 年 4 月 12 日 26 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 handbook, full pagewidth handbook, full pagewidth 12.1 串行接口 tsu2 th2 tWH2 SCE tsu3 th5th3 th5 D/C tWL1 tsu2 TtWH1 cy SCLK tsu4 th4 SDIN MGL644 图15 串行接口时序 12.2 复位 图 16 复位时序 MGL645 tWL(RES) VDD RES tRW 1999 年 4 月 12 日 27 1133 应应用用信信息息 表6 编程示例 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 步骤 串行总线字节 D/C DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 1 开始 SCE 变低（LOW ） 2 0 0 0 1 0 0 0 0 1 功能设置 选择扩展指令集 3 0 1 0 0 1 0 0 0 0 设置 VOP; VOP 设为 a+16 × 4 0 0 0 1 0 0 0 0 0 5 0 0 0 0 0 1 1 0 0 显示控制， 设置模式 6 1 0 0 0 1 1 1 1 1 7 1 0 0 0 0 0 1 0 1 8 1 0 0 0 0 0 1 1 1 9 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 MGL673 MGL674 MGL675 MGL675 MGL676 显示 Y 操作技巧 PD = 0 和 V = 0 ， (H = 1 ) b [V] (H = 0 ) (D = 1 E = 0 ) 写入数据 Y 和 X 默认初始化为 它们不在这里设置 0 , 10 功能设置 选择标准指令集 PD = 0 和 V = 0 ， 和 写入数据 写入数据 写入数据 写入数据 1999 年 4 月 12 日 28 Philips 半导体 产品说明书 48x84点矩阵LCD控制/驱动 PCD8544 handbook, halfpage 引脚为单面布线优化，例如玻璃面的显示模块。显示尺寸：48*84点。 1 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 0 1 显示控制; 设置反转映象模式 0 1 0 0 0 0 0 0 0 设置地址为：‘0000000’ 1 0 0 0 0 0 0 0 0 步骤 串行总线字节 D/C DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 MGL677 MGL678 MGL679 MGL679 MGL680 图17 应用图 MGL635 显示 48 X 84 点 PCD8544 I/O VDD VSS VLCD Cext 8 84 2424 Cext µF. 为减少纹波，推荐使用高的电容值。 14 14.1 结合盘信息 (见图18) 尺寸 Pad 间距 µm Pad 尺寸,铝 80 × 100 µm 突起块尺寸 59 × 89 × ±5) µm µm 需要的外部电容最小值为： 11 12 13 (D = 1 和 E = 1 ) 14 设置RAM的 X 地址； 15 显示 Y 操作技巧 = 1.0 结合盘定位 P参数 min. 100 17.5 ( 晶片厚度 max. 380 写入数据 写入数据 写入数据 ni ereh si txet sihT ... eb ot segap epacs handbook, full pagew idth 1999年 4 月 12 日 29 14.2 结 合 盘 定 位 ni e