《传感器与检测技术》模拟试卷答案A

华东理工大学 《传感器与检测技术》模拟试卷A 试卷满分100分。考试时间120分钟。 （注意：全部答在答题纸上，答试卷上无效，试卷与答题纸分开交） 一、 填空题（共20分，每空1分） 1传感器的一般特性可分为            和            。静态特性，动态特性 2 金属丝的应变灵敏系数由两部分组成，前一部分由            引起；后一部分由            引起。金属丝的尺寸变化，电阻率的变化 3 电容传感器除了有极板间电容外，极板与周围物体也产生电容联系，称之为            ，对  传感器产生严重干扰，为此必须采用            措施，将电容器极板放置在金属壳体内，并将壳体与大地相连。寄生电容，静电屏蔽 4 电感传感器根据转换原理不同可分为        和        ，根据结构型式不同可分为        和        。自感式，互感式，气隙型，螺管型 5 对于差动变压器，使用桥式电路时，在零点仍有一个微小电压值存在，称为                  。零点残余电压 6 压电式传感器的前置放大器有两种形式：            和            。电压放大器，电荷放大器 7 光学码盘式传感器是用光电方法把被测角位移转换成            形式表示的电信号的转换部件。数字代码 8 当光由光密物质出射至光疏物质时，发生折射，折射角大于入射角，这是 定理。斯乃尔 9 某电容式位移传感器，当被测位移变化量 ，相应输出电容变化量 ，其平均灵敏度为        ；用切线法求得性性度为1%。若现采用差动式电容结构，其灵敏度为            ，用切线法求得的线性度应为          。 ， ，1‰ 二、 选择题（共10分，每题2分） 1 下列哪一项不属于传感器的静态特性？    B    A 线性度 B 一阶响应 C 迟滞 D 重复性 2 单晶硅在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为    。C A 霍尔效应 B 光电效应 C 压阻效应 D 压电效应 3 下列哪一项不是电涡流产生的必要条件？   D  A 存在交变磁场 B 导体置于交变磁场中 C 导体在磁场中运动 D 磁场足够大 4 设压电陶瓷内部原始极化强度为A，极化处理后存在的剩余极化强度为B，则A与B相比  B  。    A A>B B A方案

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