双向可控硅1

双向可控硅mA级Ⅲ-<10mA(包括版面2.11、2.24、2.52、2.66、2.81、3.0、3.28、3.52、3.9)1.选用N型单晶片，晶向<1,1,1>面，片厚240-250μm，电阻率：45-48,48-52.晶圆直径100mm+0.3mm。2.激光打标。（1）格式：版面积批号片号（2）字体：字高：2mm，字间距80%，仿宋体。（3）要求：字体清晰，与定位面齐平，据定位面边缘1mm左右。3.氧化。（1）清洗步骤化剂配比时间要求1号液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度80-85℃冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂2号液HCl：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度80-85℃冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声　5min　冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干　　晶圆面干燥（2）装舟。用硅舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。（3）进炉。将硅舟缓慢推入石英管道内，放在恒温区中间。（4）运行程序。1150℃500℃500℃2h4.5h1h4.5h2h2hN2:4LO2:4L湿O2:2LO2:4L湿O2:2LO2:4LN2:4LN2:4L一次氧化（5）程序结束，出炉。将硅舟缓慢拉至炉口，冷却。放置在净化操作台上。（6）检验。氧化层颜色的一致性，无氧化层发白，发花现象，表面无腐蚀。前中后各取一片测SiO2层膜厚，厚度在1.6μm以上。做好。（7）装片盒。将氧化好的晶圆按顺序装入氧化专用片盒。4.镓扩散一、预扩（1）装镓源。将镓源粉末放在承源器内，推入石英管内。（2）装舟。将晶圆装在镓扩用石英舟上，定位面向上，每槽一片，刻字面向内。编号从炉口到炉尾由大到小排列。（3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区，盖紧帽子。（4）气密性检查。将石英帽上的气孔和鼓泡瓶连接，观察鼓泡瓶内气泡是否正常。（5）运行程序1205℃500℃800℃500℃3h150-200min2h2hN2:1.5L/min,H2:140P/min恒温时间根据实际情况（6）出炉。（7）检验。取出调试片，用HF漂去氧化层后，测R口，在120-140Ωcm，如有不均匀，工艺员。二、镓再扩（1）装舟。将晶圆装在镓再扩用硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口由大到小排列。（2）进炉。将硅舟缓慢推入镓再扩用碳化硅管内，盖上帽子。（3）运行程序。1250℃600℃600℃4h6.5-7.5h8hN2:4L/min镓再扩（4）出炉。程序结束，将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放置在净化操作台上。（5）检验。观察晶圆表面状态是否正常；取出调试片，测结深（29-31）和R口（250-300）；（6）下片。将晶圆装入片盒内。5.镓补硼扩散一、硼预扩（1）清洗步骤化剂配比时间要求及注意事项去SiO2HF：H2O=1:115min不时的抖动片架，注意虑水时间，防止边缘腐蚀不净，防止表面染色。冲水H2O10min及时将化剂冲洗干净，防止表面染色王水HNO3：HCl：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声5min冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干晶圆表面干燥（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口编号由小到大。（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。（4）运行程序。950℃500℃800℃500℃2h50min1.5h1.5hN2:4L/min，O2:0.1L/min（6）出炉。将石英舟缓慢拉制炉口冷却后，放在净化操作台上。（7）检验。观察表面颜色是否一致。取下调试片，用HF将SiO2漂净后，测试其R口，R口值在30-35Ωcm范围内正常。如超出此范围报告工艺员。（8）漂酸。HF：H2O=1:2,；时间：200S；注意表面滤水。（9）冲水，甩干。二、补硼再分布（1）清洗稀王水HNO3：HCl：DIH2O=1:2:516min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声　　　冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干　　晶圆表面干燥（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口编号由大到小。（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。（4）运行程序。1250℃600℃600℃4h4h2h8hN2:4LO2:4L湿O2:2LO2:4LN2:4LN2:4L（5）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放在净化操作台上。（6）检验。①目测氧化层颜色一致，测氧化层厚度，要求：1μm以上；②测结深36-39μm；③测R口：45-55ΩCM；④晶圆表面状态。（7）下片。将晶圆装入片盒内。6.光刻（浓硼区光刻）（1）匀胶。光刻胶类型：100胶；转速：3900转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。（2）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。（3）前烘。温度：120℃；时间：25min（4）曝光。双面机，同时曝光，5S；用浓硼区光刻版。（5）显影。显影定影液，时间：4*4分钟（6）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。（7）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。（8）腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。（9）去胶。硫酸去胶。（10）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。7.浓硼区扩散一、预扩（1）检验。校对批号，型号，版面；目测晶圆表面状态。（2）清洗步骤化剂配比时间要求1号液NH4OH：H2O2：DIH2O=1：2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂稀王水HNO3：HCl：DIH2O=1:2:516min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声5min冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干晶圆表面干燥（3）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口编号由小到大。（4）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅关内。盖上帽子。（5）运行程序。1080℃500℃800℃500℃2h170min1.5h1.5hN2:4L/min，O2:0.1L/min（6）出炉。将石英舟缓慢拉制炉口冷却后，放在净化操作台上。（7）检验。观察表面颜色是否一致。取下调试片，用HF将SiO2漂净后，测试其R口，R口值在3-4范围内正常。如超出此范围报告工艺员。（8）漂酸。HF：H2O=1:2,；时间：150-200S；注意表面滤水。（9）冲水，甩干。二、硼再分布（1）清洗稀王水HNO3：HCl：DIH2O=1:2:616min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声　　　冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干　　晶圆表面干燥（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，从炉尾到炉口编号由大到小。（3）进炉。将硅舟缓慢推入碳化硅管内。盖上帽子。（4）运行程序。1180℃600℃600℃4h4h1h8hN2:4LO2:4L湿O2:2LO2:4LN2:4LN2:4L（5）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放在净化操作台上。（6）检验。目测氧化层颜色一致，测氧化层厚度，要求：1μm以上；晶圆表面状态。（7）下片。将晶圆装入片盒内。8.光刻阴极(1)匀胶。光刻胶类型：100胶；转速：3900转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。(2)检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。(3)前烘。温度：120℃；时间：25min(4)曝光。单面机，两面逐一曝光，3S；用发射区光刻版。(5)显影。显影定影液，时间：4*4分钟(6)检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。(7)坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。(8)腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。(9)去胶。硫酸去胶。(10)检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。9.磷扩散（1）清洗处理：步骤化剂配比时间要求1号液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂2号液HCl：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声5min冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂（2）装舟。用磷扩石英舟，每槽一片，定位面向上，刻字面向内，编号从进气口向出气口由大变小。前中后各放一个调试片。（3）进炉。将石英舟缓慢推至恒温区。（4）运行程序：1080℃600℃600℃2h10min120min20m4hN2（带源）1.3/minN2:4。5L/min，O2:1.5L/min，（5）出炉。程序结束，将石英舟缓慢拉出，置于净化操作台。（6）观察晶圆表面颜色是否正常，表面是否有腐蚀。取调试片测试R口：0.9-1.0ΩCM，记录。（7）小样调试。每片架取一片，记录片号。（7-1）清洗处理步骤化剂配比时间要求漂酸HF：DIH2O=1:10180-200S磷硅玻璃去除彻底，表面疏水，时间不宜过长冲水DIH2O10min冲洗干净，无残留化剂2号液HCl：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确超声5min冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂（7-2）装舟。用硅舟，每槽一片，可直面向内，定位面向上，均匀分散装在两条舟上，编号从进气口向出气口由大变小。（7-3）进炉。将硅舟缓慢推至恒温区。（7-4）运行程序：T℃700℃400℃2h1.5hXh5hN2O2湿O2O2N2N2N2=4000ml/minO2=2000ml/min湿O2=1500ml/minT、X根据实际调试结果而定（7-5）出炉。程序结束，将硅舟缓慢拉出，置于净化操作台。观察晶圆表面颜色是否正常。（7-6）下传下道工序。流传至合金（8）小样测试。小样到合金后，测试小样IGT1-4、VDRM、VRRM、VFGM等参数，看是否符合要求。（9）如符合要求，则按第（6）条做整批；如不符合要求，则进行重新调试小样。10.槽光刻（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。（2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间10S；高速2400转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。（4）前烘。温度：120℃；时间：25min（5）曝光。单面机刻7S；用槽光刻版；正反面逐一曝光。（6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟（7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。（8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。（9）腐蚀。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：按实际情况而定；超声腐蚀。（10）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。11.台面腐蚀（1）来料检验：①版图是否正确；②氧化层是否腐净；③两面是否都有光刻胶；④有缺角的地方要用光刻胶保护。（2）腐蚀液配比:HNO3:HF:HAC=10:3:1.5(现采购厂家配好的腐蚀液)（3）腐蚀液冷却：将腐蚀液冷却至4℃以下（4）腐蚀：20片一次，腐蚀时间根据不同版面而定（有统计表查询）。（5）冲水。10min以上（6）检验。①槽宽测量并记录（与标准对比）；②有角片的话，测量槽深70-75μm；③槽型笔直，无钻蚀（7）甩干（8）去胶。硫酸去胶，去胶彻底（9）冲水。10min以上（10）超声。将每个晶圆平铺在超声台底部，15min，（11）冲水，甩干（12）检验。氧化层挂边去除彻底，表面氧化层完整，无残胶。12.CVD（SIPOS）（1）检验。批号，型号，版面；表面状态。（2）清洗步骤化剂配比时间要求1号液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度80-85℃冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂2号液HCl：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度80-85℃冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声　5min　漂酸HNO3：HF：HAC=12:1:110S不停拎动，时间准确冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂超声5min冲水DIH2O10min时间必须达到要求，冲洗干净，无残留化剂甩干　　晶圆表面干燥（3）装舟。将晶圆装在SIPOS专用石英舟上，每槽一片，定位面向上，刻字面向内。前后至少各有5个挡片，空的槽内必须装满挡片。（4）进炉。将石英舟放入大象管内，将大象管套在SIPOS炉口，将石英舟缓慢推至恒温区。（5）运行程序。检查每一步的动作是否正确，做好记录。800℃650℃575℃575℃SIPOS沉积SiH4：250ccHCL清洁20min20minNO2：40cc30min30min25min流量：200cc时间：50min压力：300TSiH4：180cc时间：40min时间：4min（6）出炉。将石英管缓慢拉至炉口，套上石英大象管，将石英舟缓慢拉至石英大象管内，再将大象管和石英舟整体放置在净化操作台上冷却。（7）检验。晶圆表面颜色（无发花、发白现象），测量sipos层的膜层厚度。（）13．玻璃钝化（1）来料检验：①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。（2）玻璃粉配比：粘结剂:玻璃粉=1:2.5（重量比）；其中粘结剂配比为乙基纤维素：丁基卡必醇=2:100（重量比）（3）清洗：步骤化剂配比时间要求，注意事项1号液NH4OH：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min冲洗干净，无残留化剂漂酸HNO3：HF=100:110S不停抖动冲水DIH2O10min冲洗干净，无残留化剂2号液HCl：H2O2：DIH2O=1:2:510min化剂配比正确、时间正确、温度正确冲水DIH2O10min冲洗干净，无残留化剂甩干表面清洁干燥注：做sipos的晶圆，只需从2号液开始清洗。（4）刮玻璃粉。与槽45°方向上玻璃粉，保证每个位置刮2次以上，注意晶圆表面不要划伤。先刮正面，在热板上烘2min，再刮背面。（5）装舟：用玻璃钝化石英舟，每槽一片。（6）进炉：用10min将舟从炉口推至恒温区。（7）烧出。恒温区450°，时间10min。N2：4/min;O2:1L/min。（8）出炉。用10min将舟从恒温区拉至炉口，冷却10min（9）擦玻璃粉。用硅橡胶擦去晶圆表面的玻璃粉。擦好一面，再擦另一面，注意表面玻璃粉擦拭彻底。（10）装舟：用玻璃钝化石英舟，每槽一片。（11）进炉：用20min将舟从炉口推至恒温区。（12）烧出。恒温区450°，时间15min。N2：4/min;O2:1L/min。（13）出炉。用20min将舟从恒温区拉至炉口，冷却20min（14）重复5-13步。（15）检验：①表面无成条或成块的玻璃粉残留。②显微镜下玻璃层晶莹光亮。③测电压符合要求，无软击穿。14.CVD（LTO）（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。（2）装舟。每槽一片，刻字面向内，定位面向上，每个笼舟两端各放一个挡片。（3）进炉。将石英舟放入大象管内，将大象管套在LTO管炉口，将石英舟缓慢推至恒温区。（4）运行程序。420℃1min3min30min2m10S3m10s3mpugerO2SiH4：100ccMFCpugerpuger180ccO2：140cc清洁（5）出炉。（6）检验。表面氧化层颜色均匀，颜色前中后一致；测量LTO层膜厚在2000-2500A。15.光刻引线。（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。（2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间8S；高速2400转/min；时间：18S；先匀正面，烘5min，再匀背面。（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。（4）前烘。温度：120℃；时间：25min（5）曝光。单面机刻7S；用引线光刻版。（6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟（7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。（8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。（9）腐蚀。①腐蚀LTO。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：100S；超声腐蚀。②腐蚀SIPOS。腐蚀液：HNO3：HF：HAC=12:1:1.腐蚀时间：50S-70S，腐蚀温度≦12℃。③腐蚀SiO2。腐蚀液：40%氟化铵溶液：HF=5:1；腐蚀温度：39±2℃；时间：视虑水时间而定；超声腐蚀。（10）去胶。硫酸去胶。（11）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。16.蒸铝（1）检验。来料数量，版面，批号；表面情况。（2）清洗步骤化剂配比时间注意及要求三氯乙烯5min经常拎动片架甲醇5min经常拎动片架甲醇5min经常拎动片架冲水DIH2O10min冲洗干净，无残留化剂漂酸HF：DIH2O=1:2010S不停的拎动片架冲水DIH2O10min必须马上将HF冲洗彻底甩干（3）装片：将干燥的晶圆装在行星盘上，置于红外灯下等待进炉。（4）将行星盘装入蒸发台真空室内。（5）运行程序。（6）程序结束，将行星盘取出，将晶圆翻一面装于行星盘上，置于红外灯下等待。（7）将行星盘装入蒸发台真空室内。（8）运行程序。（9）程序结束。将晶圆装于片盒内，小心铝层表面擦伤。（10）检验。每次取一片测铝层厚度3.5-4.5μm。铝层颜色光亮，无发白发雾现象。是否存在铝层起泡，表面无划伤。17.铝反刻（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。（2）匀胶。光刻胶：100胶；转速：1400转/min；时间：30S；先匀正面，烘5min，再匀背面。（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。（4）前烘。温度：120℃；时间：25min（5）曝光。单面机刻3S；用反刻光刻版，正反面逐一光刻。（6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟（7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。（8）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。（9）腐蚀。磷酸腐蚀，温度：68±2℃；时间：视具体情况而定；腐蚀时加入少量无水乙醇，并经常拎动片架，防止晶圆浮出片架。（10）去胶。发烟硝酸去胶，新旧两个方缸各3min。（11）冲水。及时将酸液冲洗彻底。（12）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。图形内无残余氧化层。18.合金（1）检验。来片的版面、数量、批号。逐片检验表面情况。（2）装舟。将晶圆装在硅舟上，每槽一片，方向一致。（3）进炉。炉温恒温在500℃，氮气3L/min，氧气2L/min。将硅舟缓慢推入恒温区。带上硅帽。恒温20min。（4）出炉。将硅舟缓慢拉至炉口冷却后，放置在净化操作台上冷却。（5）检验。①表面铝层颜色；②铝层是否起泡。（6）测试。测试项目标值测试条件IGT以要求为准VAK=12V，R=50ΩVFGK小于２ＶI=0.6A19.背金（1）检验。来片的版面、数量、批号。表面铝层颜色。（2）清洗步骤化剂配比时间要求及注意三氯乙烯5min经常拎动片架甲醇15min经常拎动片架甲醇25min经常拎动片架冲水10min冲洗干净，无残留化剂漂酸HF：H2O=1:203S不停的拎动片架冲水10min必须马上将HF冲洗彻底甩干（3）烘干。温度90-100℃，时间:30min。（4）装片。将背面向下装入行星盘，盖上后盖。置于红外灯下，等待蒸发。（5）蒸发。将行星盘装入电子束蒸发台（背金），关门后，运行程序。（注意蒸发过程中程序动作是否正确，过程中真空度情况，蒸发过程是否出现异常）（13）下片。注意表面擦伤。（14）检验。银表面颜色，正反面是否正确，金属厚度是否正确Ti：800A，Ni：4000A，Ag：10000A。20.背金反刻（1）检验。①版图、数量、批号是否正确；②表面是否正常。（2）匀胶。光刻胶：450胶；转速：低速1600转/min，时间10S；高速2400转/min；时间：18S；只匀背面。（3）检验。光刻胶均匀分布，无胶丝，无漏涂。（4）前烘。温度：120℃；时间：25min（5）曝光。单面机刻7S；用背金反刻光刻版。（6）显影。显影定影液，时间：4*4分钟（7）检验。线条陡直，显影彻底，无底膜。（8）背面保护。用300胶涂正面，放日光灯下曝光至胶膜成金黄色。（9）坚膜。温度140℃，时间30-40分钟。（10）腐蚀。腐蚀液：HNO3：HF：HAC=20:1:1；腐蚀温度：室温；时间：按实际情况而定。超声腐蚀。（11）检验。线条陡直，光滑，无毛刺，无钻蚀。背面钝化槽内金属腐蚀彻底。