Poly电阻

Poly电阻Poly电阻是CMOS或者BICMOS中特有的电阻类型,轻搀杂Poly电阻方块电阻数在几百到几千之间，重搀杂电阻电阻数在25—50之间•一般是使用NSD或者PSD进行搀杂•而不用其他N或P型层次.Poly电阻的大小不仅仅和搀杂浓度有关,还和晶格方向有关.在晶体面,晶格方向比较杂乱一点,所以电阻也比晶格比较整齐的内部要大，如果Poly电阻比较细的时候,单位电阻较大•尤其对于轻搀杂的Poly电阻.各种不同的Poly电阻温度系数不同，轻搀杂的poly电阻会出现负温度系数，而重搀杂的poly电阻则肯定为正温度系数•例如一些方块电阻数在2000左右的poly电阻，温度系数会为负•所以会出现一个温度系数几乎为零的搀杂浓度，但是这样的浓度很难控制•大概在方块电阻数为200左右的地方•一般工艺的偏差会导致难以控制•不过我们要尽量将温度系数控制在250ppm/摄氏度.Poly电阻在电阻头的地方一般都是经过重搀杂的，这样才能减小接触电阻•所以一般Poly电阻都是由电阻头和电阻身体部分组成•一般工艺下poly电阻的宽度偏差在10%，所以poly电阻的计算时，要注意电阻的修正参数Poly电阻最好画在场氧上，这样可以减小衬底和它之间的电容，同时可以减小其他因素造成的电阻偏差•一般可以选用上层poly做poly电阻，在bicmos中,可以在poly电阻下面做deep-N+.这样可以增加poly电阻下面的氧化层•不过要注意deep-N+一定要超出poly电阻的边缘几微米.Poly电阻不能适应瞬态电流变化，因为poly电阻下面是厚氧化层，导热效果很差，并且poly电阻在一定温度下,晶格会产生变化,从而导致电阻系数变化很大•所以要将poly电阻使用在合适的地方.不是所有bicmos工艺可以提供合适的电阻，因为poly做栅极的时候会通过重搀杂导致poly电阻系数很低，如果没有特殊的层次进行分辨，那么poly层就会因为电阻系数太低而不适合做电阻•尤其在silicided工艺下,poly电阻方块电阻数会降到2欧姆左右，所以必须使用如N-Well电阻等其他电阻•或者通过一些层次将需要重搀杂和silicided的地方与不需要的地方区分开.Poly电阻是非常好的电阻选择，因为poly电阻偏差小,温度系数可以控制,同时不需要单独的岛•所以通常情况下,大家都会选择poly电阻.