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荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析

2017-10-01 3页 doc 14KB 25阅读

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荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析 第10卷第1期江西有色盎属 一一_——— 荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析 郭春秀 (糟州有色冶金研究所.赣州34la0日) (=)g 摘要采用发射光谱法埘荧光级氧化铺中氧化铅进行定量分析研究.着重对缓冲剂 的选择,, 摄谱条件等进行了试验.确定了最佳分析条件.测定范Iii:0.03,0.0003,标准偏差: 1×10一,2. 4×lO,,变动系数为6.25,14.51. 关键词型型兰m分析方法氰(屯,<己} 0前言 随着科技的不断进步,荧光级氧化铕的 用途越来越广...
荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析
荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析 第10卷第1期江西有色盎属 一一_——— 荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析 郭春秀 (糟州有色冶金研究所.赣州34la0日) (=)g 摘要采用发射光谱法埘荧光级氧化铺中氧化铅进行定量分析研究.着重对缓冲剂 的选择,, 摄谱条件等进行了试验.确定了最佳分析条件.测定范Iii:0.03,0.0003,标准偏差: 1×10一,2. 4×lO,,变动系数为6.25,14.51. 关键词型型兰m分析方法氰(屯,<己} 0前言 随着科技的不断进步,荧光级氧化铕的 用途越来越广泛,尤其在高科技领域中尤为 重要.铅是荧光级氧化铕中必须严格限制的 有害元素之一,本文经实验考查,拟定出合 理的测定方法. 1仪器设备及工作条件 1.1摄谱仪 PGS一2型平面光栅摄谱仪,光栅闪耀 波长300nm,光栅刻线1200条/ram,三透 镜照明,一级一次色散0.4nm/mm.中心 波段251.4rim,光栅转角=9.0l.;狭缝焦 距F=l4;狭缝倾角一5.3;狭缝宽度 127xnl;遮光板高"5"mm. 1.2相板及显影条件 显影2rain;F一5配方定影液定至透明.水 洗,干燥. 1.3测光条件 采用蔡司?型测微光度计,狭缝高度 10mm,狭缝宽度l1nl,P标尺测光 2实验部分 2.1光源 选用直流电弧作为激发光源时,分析绝 对灵敏度高,辐射的光较强,从而缩短曝光 时间,提高分析速度. 2.2电流强度 考查了7安培,l0安培,l2安培三种电 流强度对谱线强度的影响,试验明,电流 强度为7安培时,谱线强度佳,弧烧稳定. 2.3电极规格 根据铅的极易蒸发的性质,对不同规格 天津I型感光板.A+B显影液,20.C的电极直接装样进行摄谱见表l 表1电极规格的选择him 由表l表明,采用3mnl×2him ×0.75mm形状的电救,谱线强度既达到分 析灵敏度的要求,而且电极加工和装样简 收稿日期:1995—1o-l0 便,谱线的直观性也好 2.4曝光时间的选择 从蒸发曲线看,弧烧一开始铅便迅速蒸 , - 第t期郭春秀:荧光级氧化铕中氧化铅的发射光谱分析45 附图动板蒸发曲线 发,20—30秒内铅基本蒸发完全,故曝光时 间定为30秒,见附图. 2.5缓冲剂的选择 分别选用光谱纯的氯化银,碳酸锂与碳 粉按不同比例混合进行考查.碳粉一氯化银 的背景较深,且易产生稀土氯化物.而碳粉 一 碳酸锂为缓冲剂时,弧烧稳定,背景浅,且 降低了弧烧温度,对基体有较好的抑制作 用. 2.6分析线对的选择 根据仪器的特点,着重考查了铅线 283306nm.280.2Ohm和261.417nm,其中 铅283.306rim受铕线283.325nm283305 nm干扰;铅28020灵敏度差,实验证实, 铅线261.417nm,其灵敏度高,谱线质量 好,分析的上下限均达到要求,且不受干 扰,选为本法的分析线. 3结果与讨论 3.1标样的配制 选用北京有色金属研究总院高纯氧化铕 (其中PbO<0.0001)作基体,PbO含量为 3作主标样,再用基体逐一稀释得一套生 产标准. 3.2分析试样的制备及工作曲线 分析试样的制备:按试样与缓冲剂为4:l的比例研磨均匀制得. 工作曲线:测量分析线黑度值,以绝对 强度值?P,lgC作图. 3.3方法的精密度 方法的精密度见表2 3.4方法的准确度 方法的准确度见表3 表2荧光级氧化铕中PbO的测定% (下转第48页)
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