常用二极管

常用二极管、三极管、场效应管参数 表1 整流和检波二极管 部标新型号 旧型号 最大整流电流IOM/mA 正向压降（平均值）UP/V 最高反向工作电压URWM/V 反向漏电流（平均值） /μF 不重复正向浪涌电流 工作频率f /kHz 用途   2AP1 2AP2 2AP3 2AP4 2AP5 2AP6 2AP7 16 16 25 16 16 12 12 ≤1.2 20 30 30 50 75 100 100     3 用于150MHZ以下的检波及小电流整流 2CZ54B 2CZ54C 2CZ54D 2CZ54E 2CZ54F 2CZ54G 2CZ54H 2CZ54K 2CP1A 2CP1 2CP2 2CP3 2CP4 2CP 2CP1E 2CP1G 500 ≤1.0 50 100 200 300 400 500 600 800 500 20 10 3 用于 3 kHz以下整流电路 测试条件 25℃ 25℃   125℃ 25℃ 0.01s     2CZ82A 2CZ82B 2CZ82C 2CZ82D 2CZ82E 2CZ82F 2CZ82G 2CZ82H 2CZ82K 2CP10 2CP11 2CP12 2CP14 2CP16 2CP18 2CP19 2CP20 2CP20A   ≤1.5 25 50 100 200 300 400 500 600 800 100 5 2 3 用于 50 kHz以下整流电路 测试条件 25℃ 25℃   100℃ 25℃ 0.01s     2CZ55B 2CZ55C 2CZ55D 2CZ55E 2CZ55F 2CZ55G 2CZ55H 2CZ55K 2CZ11K 2CZ11A 2CZ11B 2CZ11C 2CZ11D 2CZ11E 2CZ11F 2CZ11H 1000 ≤1.0 50 100 200 300 400 500 600 800 500 10 10 3 用于 3 kHz以下整流电路，使用时应加散热板 部标新型号 旧型号 最大整流电流IOM/mA 正向压降（平均值）UP/V 最高反向工作电压URWM/V 反向漏电流（平均值） /μF 不重复正向浪涌电流 工作频率f /kHz 用途 测试条件 25℃ 25℃   125℃ 25℃ 0.01s     2CZ56 （B~K） 2CZ12 （A~H） 3000 ≤0.8 100~1000 1000 20 65 3   测试条件 25℃ 25℃   140℃ 25℃ 0.01s                         表2　 硅稳压管 部标新型号 旧型号 稳定电压UZ/V 最大稳定电流/mA 耗散功率/mW 反向漏电流 电压温度系数10-4/℃ 动态电阻rZ（Ω） RZ1 IZ1/ mA RZ2 IZ2/mA 2CW72 2CW1 7~8.5 29 250 ≤1.0 ≤7 12 1 6 5 2CW73 2CW2 8~9.5 25 ≤8 18 1 10 5 2CW74 2CW3 9~10.5 23 ≤8 25 1 12 5 2CW75 2CW4 10~12 21 ≤9 30 1 15 5 2CW76 2CW5 11.5~12.5 20 ≤9 35 1 18 5 2CW77 2CW6 12~14 18 ≤9.5 35 1 18 5 2CW53 2CW12 4~5.8 45 250 ≤1 -6~4 550 1 50 10 2CW54 2CW13 5.5~6.5 38 ≤0.5 -3~5 500 1 30 10 2CW55 2CW14 6.2~7.5 33 ≤6 400 1 15 10 2CW56 2CW15 7~8.8 29 ≤7 400 1 15 5 2CW57 2CW16 8.5~9.5 26 ≤8 400 1 20 5 2CW58 2CW17 9.2~10.5 23 ≤8 400 1 25 5 2CW59 2CW18 10~11.8 20 ≤9 400 1 30 5 2CW60 2CW19 12.2~14 17 ≤9 400 1 40 5 2CW61 ≤9.5 400 1 50 3 2CW62 2CW20 13.5~17 14 ≤9.5 400 1 60 3 2CW130 2CW22 3~4.5 600 3000 ≤0.5 ≤-8 ≤250 3 ≤20 100 2CW131 2CW22A 4.5~5.8 500 -6~4 ≤300 3 ≤15 100 2CW132 2CW22B 5.5~6.5 460 -3~5 ≤250 3 ≤12 100 2CW133 2CW22C 6.2~7.5 400 ≤6 ≤200 3 ≤6 100 2CW134 2CW22D 7~8.8 330 ≤7 ≤200 3 ≤5 50 2CW135 2CW22E 8.5~9.5 310 ≤8 ≤200 3 ≤7 50 2CW136 2CW22F 9.2~10.5 280 ≤8 ≤200 3 ≤9 50 2CW137 2CW22G 10~11.8 250 ≤9 ≤200 3 ≤12 50 测试条件 工作电流=IZ2     反向电流=1V   工作电流=IZ1 工作电流=IZ2                       表3　硅稳压管 部标新型号 旧型号 耗散功率/mW 最大稳定电流/mA 最高结温/℃ 稳定电压UZ/V 动态电阻rZ/Ω 反向漏电流 工作电流/mA 电压温度系数10-4/℃ 2DW230 2DW7A 200 30 150 5.8~6.6 ≤25 ≤1 10 0.005 2DW231 2DW7B 5.8~6.6 ≤15 2DW232 2DW7C（红点） 6.0~6.5 ≤10 2DW233 2DW7C（黄点） 6.0~6.5 ≤10 2DW234 2DW7C（无色） 6.0~6.5 ≤10 2DW235 2DW7C（绿点） 6.0~6.5 ≤10 2DW236 2DW7C（灰点） 6.0~6.5 ≤10 2DW7A       6.0~6.5 ≤25 0.08 2DW7B 6.0~6.5 ≤15 2DW7C 6.0~6.5 ≤5 测试条件       工作电流=10 mA   反向电压=1V   工作电流=10 mA                     表4　发光二极管 型号 发光 颜色 最大工作电流/mA 正向压降/V 一般工作电流/mA 发光波长/A 发光亮度 /光通量 发光功率/ mW HG5200砷化镓二极管 红外 3（A） 1.6~1.8 3（A） 9400   >500 HG400砷化镓二极管 红外 50 1.2 30 9400   >2 磷化镓红光二极管 红 50 2.3 10 7000 >几十英尺 ——朗伯   磷砷化镓发光二极管 红 50 1.5 10 6200~6800 >0.2毫流明   碳化硅发光二极管 黄 50 6 10 6000 >10英尺 ——朗伯   磷化镓绿光二极管 绿 50 2.3 10 5600 >几十英尺 ——朗伯   砷化镓转换发光二极管 红 50 1.2 30 5600 >0.1毫流明                   表5　3AX低频小功率锗管及其他同类型锗管 部标新型号 旧型号 极限参数 直流参数 交流参数 PCM /W ICM /mA BUCBO /V BUCEO /V ICBO /μA ICEO /mA hFE /β UCES /V fβ /kHZ 3AX31M   125 125 6 15 ≤25 ≤1 80~400     3AX31MA 3AX31B 3AX31C 3AX71A 3AX71B 3AX71C     12 18 24 20 30 40 ≤20 ≤12 ≤6 ≤0.8 ≤0.6 ≤0.4 80~400     3AX31D 3AX31E 3AX31C 3AX71D 3AX71E 125 125 20 12 ≤12 ≤0.6     ≥8 ≥8 ≥8 30 3AX81A 3AX81B   200 200 20 30 10 15 ≤30 ≤15 ≤1 ≤0.7     ≥6 ≥8 3AX55M 3AX55A 3AX55B 3AX55C 3AX61 3AX62 3AX63 500 500 12 20 30 45 12 20 30 45 ≤80 ≤80 ≤80 ≤80 ≤1.2 ≤1.2 ≤1.2 ≤1.2 80~400   ≥6                       表6　3DX低频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN型） 旧型号 部标新型号 极限参数 直流参数 交流参数 PCM /W ICM /mA BUCBO /V BUCEO /V ICEO /μA ICBO /μA hFE /β fT /MHZ 3DX4A 3DX101 300 50 ≥10 ≥10 ≤1   ≥9 ≥200 3DX4B 3DX102 ≥20 ≥10 3DX4C 3DX103 ≥30 ≥10 3DX4D 3DX104 ≥40 ≥30 3DX4E 3DX105 ≥50 ≥40 3DX4F 3DX106 ≥70 ≥60 3DX4G 3DX107 ≥80 ≥70 3DX4H 3DX108 ≥100 ≥80 测试条件     IC= 50μA IC= 50μA UCB=20V   UCE=5V IC=5 mA 同左   3DX203A 700 700 ≥150 ≥15 ≤5 ≤20 55~400     3DX203B ≥200 ≥25 55~400   3DX204A ≥250 ≥15 55~400   3DX204B ≥300 ≥25 55~400 测试条件 TC=75℃   IC=5mA IE=5mA UCB=10V UCE=10V UCE=1V IC=0.1A                       表7　 3AD低频小功率锗管及其他同类型锗管（PNP型） 部标新型号 旧型号 极限参数 直流参数 交流参数 PCM /W ICM /mA BUCBO /V BUCEO /V ICBO /μA ICEO /mA hFE /β UCES /V fT /kHZ 3AD50A 3AD6A 10 3 50 18 0.3 2.5 20~140 0.6 4 3AD50B 3AD6B 60 24 0.8 3AD50C 3AD6C 70 30 0.8 3AD52A 3AD52B 3AD52C 3AD1，2，3 3AD4，5 10 2 50 60 70 18 24 30 0.3 2.5 20~140 0.35 0.5 0.5 4 3AD56A 3AD56B 3AD56C 3AD18A 3AD18B 3AD18C，D，E 50 15 30 45 76 60 80 100 0.8 15 20~140 0.7 1 1 4 3AD57A 3AD57B 3AD57C 3AD725A 3AD725B 3AD57C 100 30 30 45 60 60 80 100 1.2 20 20~140 1.2 3                       表8　3DD低频大功率硅管及其他同类型硅管（NPN型） 部标新型号 旧型号 极限参数 直流参数 交流参数 PCM /W ICM /mA BUCBO /V BUCEO /V ICBO /mA V CES /V hFE /β fT /MHZ 3DD59A 3DD5A 25 5 ≥30 ≥3 ≤1.5 ≤1.2 ≥10   3DD59B 3DD5B DD11A ≥50 3DD59C 3DD5C ≥80 3DD59D 3DD5D DD11B ≥110 3DD59E 3DD5E DD11C ≥150 测试条件 TC= 75℃   IC=5mA IE=10mA UCE=20V IC=1.25mA IB=0.25mA UCE=5V IC=1.25mA   3DD101A 3DD12A 50 5 ≥150 ≥100 ≤2 ≤0.8 ≥20 ≥1 3DD101B 3DD15C ≥200 ≥150 ≤0.8 3DD101C 3DD03C ≥250 ≥200 ≤1.5 3DD101D 3DD15D ≥300 ≥250 ≤1.5 3DD101E 3DDE~G ≥350 ≥300 ≤1.5 测试条件 TC= 75℃   IC=5mA IE=5mA UCE=50V IC=2.5A IB=0.25A UCE=5V IC=2A UCE=12V IC=0.5A                     表9　3DG高频小功率硅管及其他同类型硅管（NPN型） 旧型号 部标新型号 极限参数 直流参数 交流参数 PCM /W ICM /mA BUCBO /V BUCEO /V ICBO /μA ICEO /μA hFE /β fT /MHZ 3DG6A 3DG100M 100 20 20 15 ≤0.01 ≤0.01 25～270 ≥150 3DG6A 3DG100A 30 20 ≥30 ≥150 3DG6B 3DG100B 40 30 ≥30 ≥150 3DG6C 3DG100C 30 20 ≥30 ≥300 3DG6D 3DG100D 40 30 ≥30 ≥300   3DG103M 100 20 ≥15 ≥12 ≤0.1 ≤0.1 25～270 ≥500 3DG11A,B 3DG103A ≥20 ≥15 ≥30 ≥500 3DG104B 3DG103B ≥40 ≥30 ≥30 ≥500 3DG104C 3DG103C ≥20 ≥15 ≥30 ≥700 3DG104D 3DG103D ≥40 ≥30 ≥30 ≥700 测试条件     Ic= 100μA Ic= 100μA UCB=10V UCE=10V UCE=10V Ic=30mA UCE=10V IE=50mA fT=100MHZ   3DG121M 500 100 ≥30 ≥20 ≤0.1 ≤0.2 25～270 ≥150 3DG5A 3DG121A ≥40 ≥30 ≥30 ≥150 3DG7C 3DG121B ≥60 ≥45 ≥30 ≥150 3DG5C～F 3DG121C ≥40 ≥30 ≥30 ≥300 3DG7B，D 3DG121D ≥60 ≥45 ≥30 ≥300 测试条件     Ic= 100μA Ic= 100μA UCB=10V UCE=10V UCE=10V Ic=30mA UCE=10V IE=50mA fT=100MHZ   3DG130M 700 300 ≥30 ≥20 ≤1 ≤5 25～270 ≥150   3DG130A ≥40 ≥30 ≤0.5 ≤1 ≥30 ≥150   3DG130B ≥60 ≥45 ≤0.5 ≤1 ≥30 ≥150   3DG130C ≥40 ≥30 ≤0.5 ≤1 ≥30 ≥300   3DG130D ≥60 ≥45 ≤0.5 ≤1 ≥30 ≥300 测试条件     Ic= 100μA Ic= 100μA UCB=10V UCE=10V UCE=10V Ic=50mA UCE=10V IE=3mA fT=100MHZ