PSpice16.5 AD 教程七(常见元器件模型参数)
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PSpice A/D 教程七
(常见元器件模型参数)
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PSpice A/D 教程七
(常见元器件模型参数)
教程
:
二极管、三极管、场效应管的模型参数
电阻、电容、电感和磁心的模型参数
压控开关和流控开关的模型参数
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大家在编辑模型或创建模型时经常会遇到不了解一些基本半导体,比如半导体二
极管、三极管和场效应等,不知道 PSpice 模型中的各参数什么含义,应该如何设置
和修改。另外对于一些常用的器件:电阻、电容、电感等需要添加一些温度系数、电
压系数等时,应该如何来实现,这些都是本节要给大家讲解的内容。
一、二极管模型参数
当我们选择一个二极管,并对它进行模型编辑时,我们会看到该模型文件中包
含着很多参数,而当我们需要自己建模时也需要设置这些参数,如,我们打开二极管
库中型号为 1N4376 的二极管,看到它的模型文件:
.MODEL D1N4376 D
+ IS=857.8900E-12
+ N=1.88811
+ RS=2.53577
+ CJO=1.0000E-12
+ M=.3333
+ VJ=.75
+ ISR=40.817E-9
+ NR=6.32069
+ BV=20.375
+ IBV=10
+ TT=662.00E-12
这些参数代
什么含义?参看表一我们就清楚了。
表一 二极管模型参数
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二、三极管模型参数
双极型晶体三极管是由两个PN结组成,其工作方式可分为NPN型和PNP型两种,
两类晶体管都分为基区、发射区和集电区三个区,每个区分别引出了电极,称为基极
(B)、发射极(E)和集电极(C)。基区和发射区之间的PN结称为发射结;基区和
集电区之间的PN结称为集电结。不同型号的三极管使用共同的PSpice参数,只是不同
型号参数的数值是不相同的。如:在三极管库中型号为Q2N3227的三极管的PSpice模
型为:
.model Q2N3227 NPN(Is=498.7f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=100 Bf=281 Ne=4.612
Ise=65.64n
+ Ikf=33.8m Xtb=1.5 Br=4.851m Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1.5 Cjc=2.937p
+ Mjc=99.99m Vjc=.75 Fc=.5 Cje=3.184p Mje=.3171 Vje=.75 Tr=2.312u
+ Tf=385.5p Itf=0 Vtf=0 Xtf=0 Rb=10)
* Motorola pid=2N2368 case=TO18
* 88-09-14 bam creation
个参数的具体含义见表二。
表二 三极管模型参数
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续表
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三、场效应管模型和参数
场效应晶体三极管也是一种半导体三极管,简称场效应管(FET)。它的功能和
双极型晶体管相同,可用作放大元件或开关元件,其外形与双极型晶体管相似,但是
其工作原理却与双极型晶体管不同,在双极型晶体管中是电子和空穴两种极性的载流
子同时参与导电,而在场效应管中仅靠多数载流子一种极性的载流子参与导电,故场
效应管业称为单极型晶体管。两种晶体管的控制特性也有很大区别。双极型晶体管是
电流控制型元件,通过控制基极电流从而控制集电极电流或发射极电流,而场效应管
是电压控制型元件,它是利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流,因而得名
场效应管。
场效应管从结构上可分为绝缘栅和结型两大类,且每大类按其导电沟道分还分为
N 沟道和 P 沟道两类。场效应管的 PSpice 模型中同样包含很多参数,如某结型场效
应管 N4857 的 PSpice 模型型参数如下:
.MODEL N4857/PLP NJF
+ VTO = -3.1621E+000
+ BETA = 5.01519E-003
+ LAMBDA = 2.40112E-002
+ RD = 1.48485E+000
+ RS = 1.48485E+000
+ IS = 9.11151E-016
+ CGS = 1.05000E-011
+ CGD = 1.40000E-011
+ PB = 5.68050E-001
+ FC = 5.00000E-001
各参数的具体含义可以参考表三和表四。
表三 MOS 场效应管的模型参数
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表四 结型场效应管模型参数
四、电阻模型参数
电阻是电路中使用最多的元件,一般我们使用电阻值考虑其阻值,所以在
analog.lib 库中选取的电阻是不可编辑器模型的,需要考虑电阻的温度参数和容差参
数时,我们需要在 breakout.lib 库中调用 Rbreak 元件,对其进行温度参数和容差参
数的设置。编辑时可以添加以下的参数:
电阻因子 R 缺省值为1
线性温度系数 Tc1 缺省值为0
二次温度系数 Tc2 缺省值为0
指数温度系数 Tce 缺省值为0
器件容差 Dev 缺省值为0
批容差 Lot 缺省值为0
其中,Tce未指定时电阻值与温度的关系为:
Rnew=Value*R*[1+Tc1*(T-T0)+Tc2*(T-T0)2]
Tce指定时电阻值与温度的关系为:
Rnew=Value*R*1.01Tce*(T-T0)
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五、电容模型参数
电容也是最基本的电路元件,普通电容在 analog.lib 库中选取,当需要添加其
他参数时,同样需要在 breakout.lib 库中选择 CBreak 元件,该元件可以进行模型编
辑,可以添加的参数有:
电容因子 C 缺省值为1
线性电压系数 Vc1 缺省值为0
二次电压系数 Vc2 缺省值为0
线性温度系数 Tc1 缺省值为0
二次温度系数 Tc2 缺省值为0
器件容差 Dev 缺省值为0
批容差 Lot 缺省值为0
电容值与电压和温度的关系为:
Cnew=Value*C* [1+Vc1*V+Vc2*V2]*[1+Tc1*(T-T0)+Tc2*(T-T0)2]
注:电容容值会受到电容电压和环境温度的影响,在电容的模型中充分考虑了这一点。
六、电感模型参数
电感也是最基本的电路元件,普通电感在 analog.lib 库中选取,当需要添加其
他参数时,同样需要在 breakout.lib 库中选择 LBreak 元件,该元件可以进行模型编
辑,可以添加的参数有:
电感因子 L 缺省值为 1
线性电流系数 IL1 缺省值为 0
二次电流系数 IL2 缺省值为 0
线性温度系数 Tc1 缺省值为 0
二次温度系数 Tc2 缺省值为 0
器件容差 Dev 缺省值为0
批容差 Lot 缺省值为0
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电感值与电流和温度的关系为:
Lnew=Value*L* [1+IL1*I+IL2*I2]*[1+Tc1*(T-T0)+Tc2*(T-T0)2]
注:电感感值会受到电感电流和温度的影响,影响的关系符合上述表达式。
七、磁心的模型参数
PSpice 中有专门的磁心库,如果库中没有包含所需的磁心,也可以在
Breakout.lib 中选取 KBreak 元件,对其进行模型编辑,添加如下参数值:
平均磁通横截面积 AREA 缺省值为0.1
平均磁路长度 PATH 缺省值为1
有效气隙长度 GAP 缺省值为0
叠层因子 PACK 缺省值为1
磁化强度饱和值 MS 缺省值为 1E+6
平均磁场参数 ALPHA 缺省值为1E-3
形状参数 A 缺省值为1E+3
磁畴壁折曲常数 C 缺省值为0.2
磁畴壁约束常数 K 缺省值为 500
八、压控开关的模型参数
在 Breakout 库中还包含 SBreak 的器件,就是压控开关,该开关的参数包括:
闭合状态控制电压 VON 缺省值为 1
断开状态控制电压 VOFF 缺省值为 1E6
闭合电阻 RON 缺省值为 1
断开电阻 ROFF 缺省值为 0
开关噪声是在假设频率带宽为 1Hz 时计算的。电压控制开关产生热噪声是由于在
偏置点相当于一个有限电阻,其每单位带宽的功率谱密度 : i2=4kT/RS
注:模型参数中 RON 必须大于 0,ROFF 必须比 1/GMIN 小。ROFF 与 RON 之
比应该小于 1012
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在容许的精度范围内,相对于其它的电路元件,通过选择 RON 尽可能高,ROFF
尽可能低,可以使由于理想开关的高增益所带来的困难减到最小。
GMIN 见下图所示,可以再 simulation settings 中的 options 中找到。
九、流控开关的模型参数
和压控开关一样,在 Breakout 库中还包含 WBreak 的器件,就是流控开关,该开
关的参数包括:
闭合状态控制电流 ION
断开状态控制电流 IOFF
闭合电阻 RON
断开电阻 ROFF
注意事项同压控开关。
结束语:
有些元器件几乎每个电路都会用到,比如电阻,电容,三极管,二极管等,但是
当要用到具体一些个别参数时,很多
师就会很茫然,因为越是简单的器件,越是
不知道设置,比如要对电阻进行温度分析,或是对某个三极管的电流放大倍数进行参
数扫描时,就需要知道这些器件的个别参数是如何设置的。这就是这篇教程的用意。
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