RAM的扩展 1,静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介

RAM的扩展 1,静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介 , RAM的扩展 1,静态读写存储器(SRAM)集成电路6264简介 , 采用CMOS工艺制成，存储容量为8K×8位，典型存取时间为 100ns、电源电压，5V、工作电流40mA、维持电压为2V，维持电 流为2μA。 , 8K=213，有13条地址线A0~A12; , 每字有,位，有,条数据线I/O0,I/O7; , 图 6264引脚图 四条控制线 表 6264的工作方式表 2,扩展应用 ? 位扩展(即字长扩展):将多片存储器经适当的连接，组成位数增多、字数不变的存储器。 方法:用同一地址信号控制 n个相同字数的RAM 例:将256×8的RAM扩展为 256×16的RAM。 将2块256×8的RAM的所有地址线和CS(片选线)分别对应并接在一起，第一片的位输出作为整个RAM输出的低8位，第二片的位输出作为整个RAM输出的高8位。 ? 字扩展 将多片存储器经适当的连接，组成字数更多，而位数不变的存储器。 例:由1024×8的 RAM扩展为4096×8的RAM。 共需四片1024×8的 RAM芯片。 1024×8的 RAM有10根地址输入线A9,A0。 4096×8的RAM有12根地址输入线A11,A0。 选用2线-4线译码器，将输入接高位地址A11、A10，输出分别控制四片RAM的片选端。 由1024×8的 RAM扩展为4096×8的RAM (3)字位扩展 例:将1024×4的RAM扩展为2048×8 RAM。位扩展需2片芯片，字扩展需2片芯片，共需4片芯片。 字扩展只增加一条地址输入线A10，可用一反相器便能实现对两片RAM片选端的控制。 字扩展是对存储器输入端口的扩展， 位扩展是对存储器输出端口的扩展 将1024×4的RAM扩展为2048×8 RAM 期末复习 , 二极管 , 二极管导电原理、主要特性、伏安特性曲线 , 特殊二极管:稳压、发光、光电二极管 , 三极管及其放大器 , 放大实质、放大器性能指标 , 三极管结构，分类、输入输出特性曲线 , 基本放大器组成及原理:共射、共集、共基，重点掌握共射基本放大器 , 放大器分析方法，求解性能指标参数 , 数字电路 , 数制、码制 , 逻辑代数基本运算、逻辑函数表示方法、逻辑代数基本定律及逻辑函数化简 , 集成TTL门电路、集成MOS逻辑门电路及其两种门电路的匹配连接问题。 两种特殊的TTL门电路。 , 常用的组合逻辑电路、常用的时序逻辑电路分析设计方法 , 存储器 , 分类 , RAM、ROM电路组成部分 , 扩展应用 , A/D、D/A转换 , 转换基本原理 , A/D转换步骤 , 直流稳压电源 , 组成部分 , 按要求设计直流稳压电源 , 重点复习题 , 每章的目标测试、课堂讲过的例题 , 实验题 , 模拟电子部分占20~30%，数字电路部分70~80%