ICP与RIE相比有什么优点？结构有什么区别呢

ICP与RIE相比有什么优点？结构有什么区别呢 ICP与RIE相比有什么优点,结构有什么区别呢 发布日期: 20050825 浏览次数:1306 camry1 :ICP:Inductively coulpled plasma RIE:Reactive ion etching Garfield ::ICP和RIE相比主要是微波源不同。ICP是用线圈状的微波源盘绕在石英窗口上。ICP激发的离子浓度比RIE高，因此在同样的腐蚀速度下，单个离子的能量可以较低，这样刻蚀过程中对样品表面的物理伤害较小，可以得到很平整的表面。而RIE刻蚀过程中表面一般不会很平整，需要用湿法再处理一下。 ICP的设备我没有看见过，但在APOC上看见过罗毅老师演示的一张ICP刻蚀InP样品图，真是很漂亮。 camry1 :多谢楼上的兄弟指教，不过，ICP与MRIE有什么关系没有, MRIE好像是在RIE基础上，在阴极版下加一用磁铁，好像东芝公司做过，刻蚀速率也不低，但是应用并不广泛，能跟我们说说么,