[精品]半导体制造专业英语术语

[精品]半导体制造专业英语术语 半导体术语表 第1页 共85页 A 1st level packaging 第一级封装 2nd level packaging 第二级封装 aberration 象差/色差 absorption 吸收 acceleration column 加速管 acceptor 受主 Accumulate v. 积聚, 堆积 acid 酸 acoustic streaming 声学流 active region 有源区 activate 激活 activated dopant 激活杂质 active component 有源器件 adsorption 吸附 aerosol 悬浮颗粒 air ionizer 空气电离化器 alignment mark 对准标记 alignment 对准 alloy 合金 半导体术语表 第2页 共85页 alternate adj. 交替的, 轮流的, 预备的 v. 交替, 轮流, 改变 aluminum 铝 aluminum subtractive process 铝刻蚀工艺 ambient 环境 ammonia(NH3) 氨气 ammonium fluoride(NH4F) 氟化氨 ammonium hydroxide(NH4OH) 氢氧化氨 amorphous 非晶的，无定型 analog 模拟信号 angstrom 埃 anion 阴离子 anisotropic etch profile 各向异性刻蚀剖面 anneal 退火 antimony(sb) 锑 antirelective coating(ARC) 抗反射涂层 APCVD 常压化学气向淀积 application specific IC(ASIC) 专用集成电路 aqueous solution 水溶液 area array 面阵列 argon(Ar) n. [化]氩 半导体术语表 第3页 共85页 arsenic(As) 砷 arsine(AsH3) 砷化氢，砷烷 ashing 灰化，去胶 aspect ratio 深宽比，高宽比 aspect ratio dependent etching(ARDE) 与刻蚀相关的深宽比 asphyxiant 窒息剂 assay number 检定数 atmospheric adj. 大气的 atmospheric pressure 大气压 atmospheric pressure CVD(APCVD) 常压化学气向淀积 atomic force microscopy(AFM) 原子力显微镜 atomic number 原子序数 attempt n. 努力, 尝试, 企图 vt. 尝试, 企图 auger electron spectroscopy(AES) 俄歇电子能谱仪 autodoping 自掺杂 automatic defect classification(ADC) 缺陷自动分类 B back-end of line(BEOL) (生产线)后端工序 backgrind 减薄 半导体术语表 第4页 共85页 backing film 背膜 baffle vt. 困惑, 阻碍, 为难(挡片) baffle assembly n. 集合, 装配, 集会, 集结, 汇编 (挡片块) ball grid array(BGA) 球栅阵列 ballroom layout 舞厅式布局，超净间的布局 barrel reactor 圆桶型反应室 barrier metal 阻挡层金属 barrier voltage 势垒电压 base 基极，基区 batch 批 bay and chase layout 生产区和技术夹层区 beam blow-up 离子束膨胀 beam current 束流 beam deceleration 束流减速 beam energy 离子束能量 beol (生产线)后端工序 best focus 最佳聚焦 BGA 球栅阵列 Biasing 电压拉偏 BICMOS 双极CMOS 半导体术语表 第5页 共85页 bincode number 分类代码号 bin map 分类图 bipolar junction transistor(BJT) 双极晶体管 bipolar technology 双极技术(工艺) bird’s beak effect 鸟嘴效应 blanket deposition 均厚淀积 blower 增压泵 boat 舟 BOE 氧化层刻蚀缓冲剂Bon voyage [法]再见, 一路顺风[平安] bonding pads 压点 bonding wire 焊线，引线 boron(B) 硼 boron trichloride(BCL3) 三氯化硼 boron trifluoride(BF3) 三氟化硼 borophosphosilicate glass(BPSG) 硼磷硅玻璃 borosilicate glass(BSG) 硼硅玻璃 bottom antireflective coating(BARC) 下减反射涂层 boule 单晶锭 bracket n. 墙上凸出的托架, 括弧, 支架 v. 括在一起 半导体术语表 第6页 共85页 breakthrough step 突破步骤，起始的干法刻蚀步骤 brightfield detection 亮场检查 brush scrubbing 涮洗 bubbler 带鼓泡槽 buffered oxide etch(BOE) 氧化层腐蚀缓冲液 bulk chemical distribution 批量化学材料配送 bulk gases 大批气体 bulkhead equipment layout 穿壁式设备布局 bumped chip 凸点式芯片 buried layer 埋层 burn-box 燃烧室(或盒) burn-in 老化 C CA 化学放大(胶) cantilever n. [建]悬臂 cantilever paddle 悬臂桨 cap oxide 掩蔽氧化层 capacitance 电容 capacitance-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试 capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体 capacitor 电容器 半导体术语表 第7页 共85页 carbon tetrafluoride(CF4) 四氟化碳 caro’s acid 3号液 carrier 载流子 carrier-depletion region 载流子耗尽层 carrier gas 携带气体 cassette (承)片架 cation 阳离子 caustic 腐蚀性的 cavitation 超声波能 CD 关键尺寸 CD-SEM 线宽扫描电镜 Celsius adj. 摄氏的 center of focus(COF) 焦点 焦平面 center slow 中心慢速 central processing unit(CPU) 中央处理器 ceramic substrate 陶瓷封装 CERDIP 陶瓷双列直插封装 Channel 沟道 channel length 沟道长度 channeling 沟道效应 charge carrier 载流子 半导体术语表 第8页 共85页 chase 技术夹层 chelating agent 螯合剂 chemical amplification(CA) 化学放大胶 chemical etch mechanism 化学刻蚀机理 chemical mechanical planarization(CMP) 化学机械平坦化 chemical solution 化学溶液 chemical vapor deposition(CVD) 化学气相淀积 chip 芯片 chip on board(COB) 板上芯片 chip scale package(CSP) 芯片尺寸封装 circuit geometries 电路几何尺寸 class number 净化级别 cleanroom 净化间 cleanroom protocol 净化间操作规程 Clearfield mask 亮场掩膜板 Cluster tool 多腔集成设备 CMOS 互补金属氧化物半导体 CMP 化学机械平坦化 Coater/developer track 涂胶/显影轨道 Cobalt silicide 钴硅化合物 半导体术语表 第9页 共85页 coefficient n. [数]系数 Coefficient of thermal expansion(CTE) 热涨系数 Coherence probe microscope 相干探测显微镜 Coherent light 相干光 coil v. 盘绕, 卷 Cold wall 冷壁 Collector 集电极 Collimated light 平行光 Collimated sputtering 准直溅射 Compensate v. 偿还, 补偿, 付报酬 Compound semiconductor 化合物半导体 Concentration 浓度 Condensation 浓缩 Conductor 导体 constantly adv. 不变地, 经常地, 坚持不懈地 Confocal microscope 共聚焦显微镜 Conformal step coverage 共型台阶覆盖 Contact 接触(孔) Contact alignment 接触式对准(光刻) Contact angle meter 接触角度仪 Contamination 沾污、污染 半导体术语表 第10页 共85页 conti boat 连柱舟 conticaster [冶]连铸机 Continuous spray develop 连续喷雾显影 Contour maps 包络图、等位图、等值图 Contrast 对比度、反差 contribution n. 捐献, 贡献, 投稿 Conventional-line photoresist 常规I线光刻胶 Cook’s theory 库克理论 Copper CVD 铜CVD Copper interconnect 铜互连 Cost of ownership(COO) 业主总成本 Covalent bond 共价键 Critical dimension 关键尺寸 Cryogenic aerosol cleaning 冷凝浮质清洗 Cryogenic pump(cryopump) 冷凝泵 Crystal 晶体 Crystal activation 晶体激活 Crystal defect 晶体缺陷 Crystal growth 晶体生长 Crystal lattice 晶格 Crystal orientation 晶向 半导体术语表 第11页 共85页 CTE 热涨系数 Current-driven current amplifier 电流驱动电流放大器 CVD 化学气相淀积 Cycle time 周期 CZ crystal puller CZ拉单晶设备 Czochralski(CZ) method 切克劳斯基法 D damascene 大马士革工艺 darkfiled detection 暗场检测 darkfiled mask 暗场掩膜版 DC bias 直流偏压 decompose v. 分解, (使)腐烂 deep UV(DUV) 深紫外光 default n. 默认(值), 缺省(值), 食言, 不履行责任, [律]缺席 v. 疏怠职责, 缺席, 拖欠, 默认 defects density 缺陷密度 defect 缺陷 deglaze 漂氧化层 degree of planarity(DP) 平整度 dehydration bake 去湿烘培，脱水烘培 半导体术语表 第12页 共85页 density 密度 deplention mode 耗尽型 degree of focus 焦深 deposit n. 堆积物, 沉淀物, 存款, 押金, 保证金, 存放物 vt. 存放, 堆积 vi. 沉淀 deposition 淀积 deposited oxide layer 淀积氧化层 depth of focus 焦深 descum 扫底膜 design for test(DFT) 可测试设计 desorption 解吸附作用 develop inspect 显影检查 development 显影 developer 显影液 deviation n. 背离 device isolation 器件隔离 device technology 器件工艺 DI water 去离子水 Diameter n. 直径 diameter grinding 磨边 diborane (B2H6)乙硼烷 半导体术语表 第13页 共85页 dichlorosilane(H2SiCL2) 二氯甲硅烷 die 芯片 die array 芯片阵列 die attach 粘片 die-by-die alignment 逐个芯片对准 dielectric 介质 dielectric constant 介电常数 die matrix 芯片阵列 die separation 分片 diffraction 衍射 diffraction-limited optics 限制衍射镜片 diffusion 扩散 diffusion controlled 受控扩散 digital/analog 数字/模拟 digital circuit diluent direct chip attach( DCA) directionality discrete dishing dislocation dissolution rate 半导体术语表 第14页 共85页 dissolution rate monitor(DRM) 溶解率监测 DNQ-novolak 重氮柰醌,酚醛树脂 Donor 施主 dopant profile 掺杂刨面) doped region 掺杂区 doping 掺杂 dose monitor 剂量检测仪 dose,Q 剂量 downstream reactor 顺流法反应 drain 漏 drive-in 推进 dry etch 干法刻蚀 dry mechanical pump 干式机械泵 dry oxidation 干法氧化 dummy n. 哑巴, 傀儡, 假人, 假货 adj. 虚拟的, 假的, 虚构的 n. [计] 哑元 dynamic adj. 动力的, 动力学的, 动态的 E economies of scale 规模经济 edge bead removal 边缘去胶 edge die 边缘芯片 半导体术语表 第15页 共85页 edge exclusion 无效边缘区域 electrically erasable PROM电可擦除EPROM electrode 电极 electromigration 电迁徙 electron beam lithography 电子束光刻 electron cyclotron resonance 电子共振回旋加速器 electron shower 电子簇射，电子喷淋 electron stopping 电子阻止 electronic wafer map 硅片上电性能分布图 electroplating 电镀 electropolishing 电解抛光 electrostatic chuck 静电吸盘 electrostatic discharge(ESD) 静电放电 ellipsometry 椭圆偏振仪，椭偏仪 emitter 发射极 endpoint detection 终点检测 engineering n. 工程(学) electrostatic discharge(EDX) 能量弥散谱仪 enhancement mode 增强型 epi 外延 epitaxial layer 外延层 半导体术语表 第16页 共85页 epoxy underfill 环氧树脂填充不足 erasable PROM 可擦除可编程只读存储器 erosion 腐蚀，浸蚀 establish vt. 建立, 设立, 安置, 使定居, 使人民接受, 确定 v. 建立 etch 刻蚀 etch bias 刻蚀涨缩量 etch profile 刻蚀刨面 etch rate 刻蚀速率 etch residue 刻蚀残渣 etch uniformity 刻蚀均匀性 etchant 刻蚀剂 etchback planarization 返刻平坦化 eutectic attach 共晶焊接 eutectic temperature 共晶温度 evaporation 蒸发 even adj. 平的, 平滑的, 偶数的, 一致的, 平静的, 恰好的, 平均的, 连贯的 adv. [加强语气]甚至(...也), 连...都, 即使, 恰好, 正当 vt. 使平坦, 使相等 vi. 变平, 相等 n. 偶数, 偶校验 exceed vt. 超越, 胜过 vi. 超过其他 半导体术语表 第17页 共85页 excimer laser 准分之激光 exposal n. 曝光, 显露 exposure 曝光 exposure dose 曝光量 extraction electrode 吸极 extreme UV 极紫外线 extrinsic silicon 掺杂硅 F Fables 无制造厂公司 fabrication 制造 facilities 设施 factor n. 因素, 要素, 因数, 代理人 fast ramp furnaces 快速升降温炉 fault model 失效模式 FCC diamond 面心立方金刚石 feature size 特征尺寸 FEOL 前工序 Fick’s laws FICK定律 field-effect transistor 场效应晶体管 field oxide 场氧化 field-by-field alignment 逐场对准 半导体术语表 第18页 共85页 field-programmable PROM 现场可编程只读存储器 film 膜 film stress 膜应力 final assembly and packaging 最终装配和封装 final test 终测 first interlayer dielectric(ILD-1)第一层层间介质 fixed oxide charge 固定氧化物电荷 flats 定位边 flip chip 倒装芯片 float zone 区熔法 fluorosilicate glass(FSG) 氟化玻璃 focal length 焦距 focal plane 焦平面 focal point 焦点 focus 聚焦 focus ion beam(FIB) 聚焦离子束 footprint 占地面积 formula n. 公式, 规则, 客套语 forward bias 正偏压 four-point probe 四探针 frenkel defect Frenkel缺陷 半导体术语表 第19页 共85页 front-opening unified pod(FOUP) 前开口盒 functional test 功能测试 furnace flat zone 恒温区 G g-line G线 gallium(Ga) 镓 gallium arsenide(GaAs) 砷化镓 gap fill 间隙填充 gas 气体 gas cabinet 气柜 gas manifold 气瓶集装 gas phase nucleation 气相成核 gas purge 气体冲洗 gas throughput 气体产量 gate 栅 gate oxide 栅氧化硅 gate oxide integrity 栅氧完整性 germanium(Ge) 锗 getter 俘获 glass 玻璃 glazing 光滑表面 半导体术语表 第20页 共85页 global alignment 全局对准 global planarization 全局平坦化 glow discharge 起辉放电 gray area 灰区，技术夹层 gross defect 层错 grove n. 小树林 grown oxide layer 热氧化生长氧化层 H Halogen 卤素 hardbake 坚膜 hardware n. 五金器具, (电脑的)硬件, (电子仪器的)部件 HEPA filter 高效过滤器 hermetic sealing 密封 heteroepitaxy 异质外延 heterogeneous reaction 异质反应 hexamethyldisilazane(HMDS)六甲基二硅氨烷 high-density plasma(HDPCVD) 高密度等离子体化学气相淀积 high-density plasma etch 高密度等离子刻蚀 high-pressure oxidation 高压氧化 半导体术语表 第21页 共85页 high-temperature diffusion furnace 高温扩散炉 high vacuum 高真空 high vacuum pumps 高真空泵 hillock 小丘(铝)尖刺 homoepitaxy 同质外延 homogeneous reaction 同质反应 horizontal adj. 地平线的, 水平的 horizontal furnace 卧式炉 hot electron 热电子 hot wall 热壁 hydrochloric acid(HCL) 盐酸 hydrofluoric acid(HF) 氢氟酸 hydrogen(H2) 氢气 hydrogen chloride(HCL) 氯化氢 hydrogen peroxide(H2O2) 双氧水 hydeophilic 亲水性 hydrophobic憎水性，疏水性 hyperfiltration 超过滤 I i-line I线 IC packaging 集成电路封装 半导体术语表 第22页 共85页 IC reliability 集成电路可靠性 Iddq testing 静态漏电流测试 image resolution 图象清晰度 图象分解力 implant v. 灌输(注入) impurity 杂质 increment n. 增加, 增量 initial adj. 最初的, 词首的, 初始的 n. 词首大写字母 in situ measurements 在线测量 index of refraction 折射率 indium 铟 inductively coupled plasma(ICP) 电感耦合等离子体 inert gas 惰性气体 infrared interference 红外干涉 ingot 锭 ink mark 墨水标识 in-line parametric test 在线参数测试 input/output(I/O)pin 输入/输出管脚 institute n. 学会, 学院, 协会 vt. 创立, 开始, 制定, 开始(调查), 提起(诉讼) insulator 绝缘体 半导体术语表 第23页 共85页 integrate vt. 使成整体, 使一体化, 求...的积分 v.结合 integrated circuit(IC)集成电路 integrated measurement tool 集成电路测量仪 interval n. 间隔, 距离, 幕间休息 n. 时间间隔 interconnect 互连 interconnect delay 互连连线延迟 interface-trapped charge 界面陷阱电荷 interferometer 干涉仪 interlayer dielectric(ILD) 层间介质 interstitial 间隙(原子) intrinsic silicon 本征硅 invoke v. 调用 ion 离子 ion analyzer 离子分析仪 ion beam milling or ion beam etching(IBE) 离子铣或离子束刻蚀 ion implantation 离子注入 ion implantation damage 离子注入损伤 ion implantation doping 离子注入掺杂 ion implanter 离子注入机 ion projection lithography(IPL) 离子投影机 半导体术语表 第24页 共85页 ionization 离子化 ionized metal plasma PVD 离子化金属等离子PVD IPA vapor dry 异丙醇气相干燥 isolation regions 隔离区 isotropic etch profile 各向同性刻蚀刨面 J JEFT 结型场效应管 junction(pn) PN结 junction depth 结深 junction spiking 结尖刺 K Kelvin 绝对温度 killer defect 致命缺陷 kinetically controlled reaction 功能控制效应 L laminar air flow 层状空气流，层流式 lapping 抛光 latchup 闩锁效应 lateral diffusion 横向扩散 law of reflection 反射定律 LDD 轻掺杂漏 Leadframe 引线框架 半导体术语表 第25页 共85页 leakage cuttent 漏电流 len 透镜 lens compaction 透镜收缩 light 光 light intensity 光强 light scattering 光散射 lightly doped drain(LDD) 轻掺杂漏 linear 线性 linear accelerator 线性加速器 linear stage 线宽阶段，线性区 linewidth 线宽 liquid 液体 lithography 光刻 loaded brush 沾污的毛刷 loaded effect 负载效应 loadlock 真空锁 local interconnect(LI) 局部互连 local planarization 局部平坦化 local oxidation of silicon(LOCOS) 硅局部氧化隔离法 logic 逻辑 lot 批 半导体术语表 第26页 共85页 low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) 低压化学气相淀积 LSI 大规模集成电路 M magnetic CZ(MCZ)磁性切克劳斯基晶体生长法 magnetically enhanced RIE(MERIE) 磁增强反应离子刻蚀 magnetron sputtering 磁控溅射 Magnification n. 扩大, 放大倍率 magnificent adj. 华丽的, 高尚的, 宏伟的 majority carrier 多子 make-up loop 补偿循环 mask 掩膜版 n. 面具, 掩饰, 石膏面像 vt. 戴面具, 掩饰, 使模糊 vi. 化装, 戴面具, 掩饰, 参加化装舞会 mask-programmable gate array 掩膜可编程门阵列 mass flow controller(MFC) 质量流量计 mass spectrometer 质谱仪 mass-transport limited reaction 质量传输限制效应 mathematical adj. 数学的, 精确的 mean free path(MFP) 平均自由程 medium vacuum 中真空 半导体术语表 第27页 共85页 megasonic cleaning 超声清洗 melt 熔融 membrane contactor 薄膜接触器，隔膜接触器 membrane filter 薄膜过滤器，隔膜过滤器 merchant n. 商人, 批发商, 贸易商, 店主 adj. 商业的, 商人的 mercury arc lamp 汞灯 MESFET 用在砷化镓结型场效应晶体管中的金属栅 metal contact 金属接触孔 metal impurities 金属杂质 metal stack 复合金属，金属堆叠 metallization 金属化 metalorganic CVD 金属有机化学气相淀积 metrology 度量衡学 microchip 微芯片 microdefect 微缺陷 microlithography 微光刻 microloading 微负载，与刻蚀相关的深宽比 micron 微米 microprocessor n. [计]微处理器 microprocessor unit 微处理器 半导体术语表 第28页 共85页 microroughness 微粗糙度 Miller indices 密勒指数 minienvironment 微环境 minimum geometry 最小尺寸 minority carrier 少子 mix and match 混合与匹配 mobile ionic contaminants(MIC)可动离子沾污 mobile oxide charge 可动氧化层电荷 module n. 模数, 模块, 登月舱, 指令舱 modify vt. 更改, 修改 v. 修改 molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延 molecular flow 分子流 monitor wafer(test wafer) 陪片，测试片，样片 monocrystal 单晶 monolithic device 单片器件 Moore's law 摩尔定律 MOS 金属氧化物半导体 MOSFET 金属氧化物半导体场效应管 motor curreant endpoint 电机电流终点检测(法) MSI 中规模集成电路 Multiplier n. 增加者, 繁殖者, 乘数, 增效器, 乘法器 半导体术语表 第29页 共85页 multichip module(MCM) 多芯片模式 multilenel metallization 多重金属化 Murphy's model 墨菲模型 N nanometer(nm) 纳米 native oxide 自然氧化层 n-channel MOSFET n沟道MOSFET negatine resist 负性光刻胶 negative n. 否定, 负数, 底片 adj. 否定的, 消极的, 负的, 阴性的 vt. 否定, 拒绝(接受) negatine resist development 负性光刻胶显影 neutral beam trap 中性束陷阱 next-generation lithography 下一代光刻技术 nitric acid(HNO3) 硝酸 nitrogen(N2) 氮气 nitrogen trifluoride(NF3) 三氟化氮 nitrous oxide (N2O) 一氧化二氮、笑气 nMOS n沟道MOS场效应晶体管 noncritical layer 非关键层 nonvolatile memory 非挥发性存储器 normality 归一化 半导体术语表 第30页 共85页 notch 定位槽 novolak 苯酚甲醛聚树脂材料 npn npn型(三极管) n-type silicon n型硅 nuclear stopping 离子终止 nucleation 成核现象，晶核形成 nuclei coalescence 核合并 numerical aperture(NA) 数值孔径 n-well n阱 O objective (显微镜的)物镜 off-axis illumination(OAI) 偏轴式曝光，离轴式曝光 ohmic contact 欧姆接触 op amp 运算放大器 optical interferometry endpoint 光学干涉法终点检测 optical lithography 光学光刻 optical microscope(light microscope) 光学显微镜 optical proximity correction(OPC) 光学临近修正 optical pyrometer 光学高温计 optics 光学 organic compound 有机化合物 半导体术语表 第31页 共85页 out-diffusion 反扩散 outgassing 除气作用 overdrive 过压力 overetch step 过刻蚀 overflow rinser 溢流清洗 overlay accuracy 套准精度 overlay budget 套准偏差 overlay registration 套刻对准 oxidation 氧化 oxidation-induced stacking faults(OISF) 氧化诱生层积缺陷，氧化诱生堆垛层错 oxide 氧化物、氧化层、氧化膜 oxidezer 氧化剂 oxide-trapped charge 氧化层陷阱电荷 ozone(O3) 臭氧 P package 封装管壳 pad conditioning 垫修整 pad oxide 垫氧化膜 paddle 悬臂 n. 短桨, 划桨, 明轮翼 vi. 划桨, 戏水, 涉水 vt. 用桨划, 搅, 拌 半导体术语表 第32页 共85页 parabolic stage 抛物线阶段 parallel-plate(planar)reactor 平板反应 parallel testing 并行测试 parameter 参数 parametric test 参数测试 parasitic 寄生 parasitic capacitance 寄生电容 parasitic resistance 寄生电阻 parasitic transistor 寄生电阻器 partial pressure 分压 particle density 颗粒密度 particle per wafer per pass(PWP) 每步每片上的颗粒数 passivation 钝化 passivation layer 钝化层 passive components 无源元件 pattern sensitivity 图形灵敏性 patterned etching 图形刻蚀 pattern wafer 带图形硅片 patterning 图形转移，图形成型，刻印 pc board 印刷电路版 半导体术语表 第33页 共85页 p-channel MOSFET p沟道MOSFET PCM 工艺控制监测 PEB 曝光后烘焙 PECVD 等离子体增强化学气相淀积 PEL 允许曝露极限值 pellicle 贴膜 pentavalent 五价元素 perform vt. 履行, 执行, 表演, 演出 v. 完成任务 performing adj. 表演的, 履行的 perimete array 周边阵列式(封装) pH scale pH值 phase-shift mask(PSM) 相移掩膜技术 phosphine(PH3) 磷化氢 phosphoric acid(H3PO4) 磷酸 phosphorus(P) 磷 phosphorus oxychloride(POCL3) 三氯氧磷 phosphosilicate glass(PSG) 磷硅玻璃 photoacid generator(PAG) 光酸产生剂 photoacoustics 光声的 photoactive compound(PAC) 感光化合物 photography n. 摄影, 摄影术 光刻 半导体术语表 第34页 共85页 photolithography 光刻(技术) photomask 光掩膜 photoresist 光刻胶 photoresist stripping 去胶、光刻胶去除 physical etch mechanism 物理刻蚀机理 physical vapor deposition(PVD) 物理气相淀积 pigtail 引出头 pin grid array(PGA) 针栅阵列式(封装) pinhole 针孔 piranha 3号液 pitch 间距 planar 平面 planar capacitor 平面电容 planar process 平面工艺 planarization 平坦化 plasma 等离子体 n. [解]血浆, 乳浆,[物]等离子体,等离子区 plasma-based dry cleaning 等离子体干法清洗 plasma electron flood 等离子电子流 plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD plasma etch 等离子体刻蚀 半导体术语表 第35页 共85页 plasma-induced damage 等离子体诱导损伤 plasma potential distribution 等离子体势分布 plastic dual in-line package(DIP) 双列直插塑料封装 plastic leaded chip carrier(PLCC) 塑料电极芯片载体 plastic packaging 塑料封装 plug 塞，填充vt. 堵, 塞, 插上, 插栓 n 塞子, 插头, 插销 pMOS(p-channel) p沟道MOS pn junction diode pn 结型二极管 pnp pnp 型三极管 point defect 点缺陷 Poisson's model 泊松模型 polarization 极化，偏振 polarized light 极化光，偏振光 polish 抛光 polish rate 抛光速率 polished wafer edge(edge grind) 倒角 polishing loop 磨抛循环 polishing pad 抛光(衬)垫 polycide 多晶硅化物 polycrystal 多晶 半导体术语表 第36页 共85页 polymer n. 聚合体 polymer formation 聚合物方程式 polymerization 聚合作用 polysilicon 多晶硅 polysilicon gate 多晶硅栅 portion n. 一部分, 一分 positive lithography 正性光刻 positive resist 正性光刻胶 positive resist development 正性光刻胶显影 post-develop inspection 显影后检查 post-exposure bake(PEB) 曝光后烘焙 ppb 十亿分之几 ppm 百万分之几 万亿分之几 preamorphization 预非晶化 precursor 先驱物 predeposition 预淀积 premetal dielectric(PMD) 金属前介质 preston equation Preston方程 primary orientation flat 主定位边 print bias光刻涨缩量 半导体术语表 第37页 共85页 printed circuit boade(PCB) 印刷电路板 probe 探针 probe card 探针卡 prober 探针台 process 工艺 process chamber 工艺腔，工艺反应室 process chemical 工艺化学 process control monitor(PCM) 工艺控制监测(图形) process latitude 工艺水平，工艺能力 process recipe 工艺菜单 programmable array logic(PLA) 可编程阵列逻辑 programmable logic device 可编程逻辑器件 programmable read-only memory可编程只读存储器 projected range 投影射程 prompt n. 提示, 付款期限 vt. 提示, 鼓动, 促使, (给演员)提白 adj. 敏捷的, 迅速的, 即时的 adv. 准时地 n. DOS命令:改变DOS系统提示符的风格 proportion n. 比例, 均衡, 面积, 部分 vt. 使成比例, 使均衡, 分摊 proportional adj. 比例的, 成比例的, 相称的, 均衡的 半导体术语表 第38页 共85页 proportional band 比例区, 比例带, 比例尺范围 proximity aligner 接近式光刻机 p-type silicon P型硅 puddle develop 搅拌式显影 pump speed 抽气速率 punchthrough 穿通 purge (冲气)清洗 purge cycle (冲气抽气)清洗循环 PVD 物理气相淀积 p-well P阱 pyrogenic steam 热流 pyrogen 热原(质) pyrolytic热解 pyrophoric 自燃的 Q quad flatpack(QFP) 方型管壳封装 quadrupole mass analyzer(QMA) 四极质量分析仪 quality measure 质量测量 quarz 石英 quarz tube 石英管 quarz wafer boat 石英舟 半导体术语表 第39页 共85页 queue time 排队时间 R radiation damage 辐射损伤 radical 激发 random access memory(RAM) 随机存储器 range 射程 rapid thremal anneal(RTA) 快速热退火 rapid thermal processor(RTP) 快速热处理 RCA clean RCA清洗 reaction rate limited 反应速率限制 reactive ion etch(RIE) 反应离子刻蚀 reactivity 反应性 reactor 反应室，反应腔 read-only memory(ROM) 只读存储器 recombination 复合 redistribution 再分布 reflection spectroscopy 反射光谱仪 reflective notching 反射开槽 reflow 回流 refraction 折射 refractory metal 难融金属 半导体术语表 第40页 共85页 regeneration再生 regeneration套准精度 relative index of refraction,n removal n. 移动, 免职, 切除 repeat n. 重复, 反复 vt. 重做, 复述, 向他人转述, 复制, 使再现 vi. 重复, 留有味道 representation n. 表示法, 表现, 陈述, 请求, 扮演, 画像, 继承, 代表 reset v. 重新安排 residual gas analyzer(RGA) 残余气体分析器 resist 光刻胶 resist development 光刻胶显影 resistance 电阻 resistivity 电阻率 resolution 分辨率 reticle 掩膜版 retrograde well 倒掺杂阱 reverse bias 反偏 reverse osmosis(RO) 反向渗透 RF 射频 RF sputtering 射频溅射 半导体术语表 第41页 共85页 rinse v. 嗽口, (用清水)刷, 冲洗掉, 漂净 n. 清洗 嗽洗, 漂洗, 漂清, 冲洗 RO 反向渗透 Roots blower 罗茨(机械增压)泵 roughing pump 低真空泵，机械泵 RTA 快速热退火 RTP 快速热处理 S satisfy vt. 满足, 使满意, 说服, 使相信 v. 满意, 确保 Scaling 按比例缩小 SCALPEL 具有角度限制分散投影电子束光刻 Scanner 扫描仪 scanning electron microscope(SEM) 扫描电子显微镜 scanning projection aligner 扫描投影光刻机 schottky diode 肖特基二极管 screen oxide layer 掩蔽氧化层 scribe line 划片道 scribe line monitor(SLM) 划片线监测 scumming 底膜 secondary electron 二次电子 半导体术语表 第42页 共85页 secondary electron flood 二次电子流 secondary ion mass spectrometry(SIMS) 二次离子质谱(法) seed’s model SEED模型 selective etching 选择性刻蚀 selective oxidation 选择性氧化 selectivity 选择性 semiconductor grade silicon 半导体极硅 semiconductor 半导体 sensitivity灵敏度 shallow trench isolation(STI)浅沟槽隔离 sheet resistance,RS 方块电阻 sheet resistivity,ρs方块电阻率 shot size 胶(点)尺寸 shrinking 缩小 SI units 公制 Sidewall spacer 侧墙 Silane(siH4) 硅烷 Silicide 硅化合物 silicon 硅 silicon dioxide(SIO2) 二氧化硅 半导体术语表 第43页 共85页 silicon nitride(SI3N4) 氮化硅 silicon on sapphire 蓝宝石伤硅 silicon on insulator(SOI)绝缘体上硅 silicon tetrachloride(SIC4) 碳化硅 silicon tetrafluoride(SIF4)四氟化硅 silicon tetrachloride(SICL4)四氯化硅 single crystal silicon 单晶硅 silylation 硅烷化(作用) SIMOX 由注入氧隔离，一种SOI材料 single crystal 单晶 slip滑移 slurry 磨料 SMIF 机械接口 Sodium hydroxide(NaOH)氢氧化钠 soft bake 前烘 solid 固体 solvent 溶剂 SOS 蓝宝石上硅 Source 源 source drain implants 源漏注入 spacer n. 取间隔的装置, 逆电流器 半导体术语表 第44页 共85页 spatial coherence 空间相干 spatial signature analysis 空间信号分析 specialty gase 特种气体 species 种类 specific gravity 比重 specific heat 比热 speckle 斑点 spectroscipic ellipsometry 椭圆偏振仪 spin coating 光刻胶旋涂 spin dryer 旋转式甩干桶 spin-on-dielectric(SOD)旋转介质法 spin-on-glass(SOG)旋转玻璃法 spray cleaning 喷雾清洗 spray rinser 喷雾清洗槽 spreading resistance probe 扩散电阻探测 sputter n. 喷溅声, 劈啪声, 急语, 咕哝 vi. 唾沫飞溅, 发劈啪声, 急忙地讲 vt. 喷出, 飞溅出, 气急败坏地说 sputtering 溅射 sputter etch 溅射刻蚀 sputtered aluminum 溅射铝 半导体术语表 第45页 共85页 sputtering yield 溅射产额 SSI 小规模集成电路 stacking fault 层积缺陷，堆垛层错 standard clean 1(SC-1) 1号清洗液 standard clean 2(SC-2) 2号清洗液 standard mechanical interface(SMIF) 机械标准接口 standing wave 驻波 static RAM 静态存储器 statistical process control(SPC)统计过程控制 step coverage 台阶覆盖 step height 台阶高度 step-and-repeat aligner 分步重复光刻机 step-and-scan system 步进扫描光刻机 stepper 步进光刻机 stepping motor driver 步进电机驱动器电路 stepper 步进光刻机 stoichiometry 化学计量(配比) staggle 投射标准偏差 stress 应力 striation 条纹 strip vt. 剥, 剥去 n. 条, 带 半导体术语表 第46页 共85页 stripping 去胶 structure 结构 subatmospheric CVD 亚大气压化学气相淀积 submicron 亚微米 sub-quarter micron 亚0.25微米 substrate 衬底 sublimation 升华 substitutional atom 替位原子 subtract v. (, from)减去, 减 subwaverlength lithography 亚波长光刻 sulfur hexafluoride(SF6) 六氟化硫 sulfuric acid(H2SO4)硫酸 surface profiler 表面形貌 surface tension 表面张力 susceptor 基座 T target chamber 靶室 target 靶 temperature ramp rate 温度斜率 temperature温度 TEOS 正硅酸乙脂 半导体术语表 第47页 共85页 test algorithm 测试算法 test coverage 测试覆盖 test structure 测试结构 test vector 测试向量 thermal budget 热预算 thermal oxide 热氧化 thermocompression bonding 热压键合 thermocouple 热电偶 thermogravimetric analysis (TGA) 热重量分析 thermosonic bonding 热超声键合 thin film 薄膜 thin small outline package(TSOP) 薄小型封装 III-V compound 三/五族化合物 thorough adj. 十分的, 彻底的 Threshold 域值 threshold voitage 域值电压 threshold voltage adjustment implant 调栅注入，域值调整注入 throughput 产量 tilt [tilt] v. (使)倾斜, (使)翘起, 以言词或文字抨击 time of flight SIMS(TOF-SIMS) 飞行时间二次离子质谱 半导体术语表 第48页 共85页 titanium silicide 钛硅化合物 TLV 极限域值 top surface imaging 上表面图形 topography 形貌 torr 托 toxic 有毒 track system(also track) 轨道系统 transient enhanced diffusion(TED) 瞬时增强扩散 transistor 晶体管 trench 槽 trench capacitor 槽电容 trichlorosilane(TCS or SiHCL3) 三氯氢硅 triode planar reactor 三真空管平面反应室 triple well 三阱 trivalent 三价 tungsten(W) 钨 tungsten stch back 钨反刻 tungsten hexafluoride(WF6) 六氟化钨 tungsten plug 钨塞，钨填充 turbomolecular pump(turbo pump) 涡轮分子泵 twin planes(twinning) 双平面 半导体术语表 第49页 共85页 twin-well(twin-tub) 双阱 U ULSI 甚大规模集成电路 ultralow penetration air(ULPA)超低穿透空气 ultrafiltration 超过滤 ultrafine particle 超细颗粒 ultrahigh purity 超高纯度 ultrahigh vacuum 超高真空 ultrashallow junction 超浅结 ultrashallow junction 超声键合(压焊) ultraviolet 紫外线 undercut 钻蚀 uniformity 均匀性 unit cell 元包，晶胞 unpatterned etching(spripping) 无图形刻蚀(剥离) unpatterned wafer 无图形硅片 unplug v. 拔去(塞子,插头等), 去掉...的障碍物 UV 紫外线 V Vacancy 空位 vacuum 真空 vacuum wand 真空吸片棒，真空镊子 半导体术语表 第50页 共85页 van der pauw method 范德堡法 vapor phase epotaxy(VPE) 气相外延 vapor pressure 气压 vapor prime 气相熏增粘剂，气相成底膜 vaporization 气化 variable n. [数]变数, 可变物, 变量 adj. 可变的, 不定的, 易变的, [数]变量的 variable angle spectriscipic ellipsometry(VASE) 可变角度椭偏仪 variation n. 变更, 变化, 变异, 变种, [音]变奏, 变调 various adj. 不同的, 各种各样的, 多方面的, 多样的 vertical furnace 立式炉 via 通孔 viscous flow 粘滞流 VLSI 超大规模集成电路 volatile memory 挥发性存储器 volatile 挥发 voltage regulator 温压器 W wafer cassette 硅片架 wafer charging 硅片充电 半导体术语表 第51页 共85页 wafer electrical test(WET) 硅片电学测试 wafer etch 硅片刻蚀 wafer flat or notch 硅片定位边或定位凹槽 wafer flatness 硅片平整度 wafer-level reliability(WLR) 硅片可靠性 wafer slicing 硅片划片 wafer sort yield 硅片分选成品率 wafer sort 硅片分选 wafer test 硅片测试 wafer tilt 硅片倾斜 wafer to wafer non-uniformity(WTWNU)片间不均匀性 wafer-level packaging 圆片级封装 wafer deionization 水去除离子 wavelength dispersive spectrometer(WDX) 波长弥散谱仪 well 阱 WET 硅片电学测试 wet cleaning station 湿法清洗台 wet etch 湿法刻蚀 wet oxidation 湿法氧化 wet sink 清洗槽 半导体术语表 第52页 共85页 wirebonding 引线键合 wiring 连线 within-wafer nonuniformity(WIWNU) 片内不均匀性 X X-ray X射线 X-ray fluorescence(XRF) X射线荧光性 X-ray lithography X射线光刻 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) X射线光电能谱仪 Y Yield 成品率 Yield management system 成品率管理系统 Z Zeta potential zeta电势 zone n. 地域, 地带, 地区, 环带, 圈 vt. 环绕, 使分成地带 vi. 分成区 半导体术语表 第53页 共85页 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统 4. Acid:酸 5. Active device:有源器件，如MOS FET(非线性，可以对信号放大) 6. Align mark(key):对位标记 7. Alloy:合金 8. Aluminum:铝 9. Ammonia:氨水 10. Ammonium fluoride:NH4F 11. Ammonium hydroxide:NH4OH 12. Amorphous silicon:α-Si，非晶硅(不是多晶硅) 13. Analog:模拟的 14. Angstrom:A(1E-10m)埃 15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH) 16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率) 半导体术语表 第54页 共85页 17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻) 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher:去胶机 24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比) 25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层) 26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前) 27. Baseline:标准 28. Benchmark:基准 29. Bipolar:双极 30. Boat:扩散用(石英)舟 31. CD: (Critical Dimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛 半导体术语表 第55页 共85页 光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip:碎片或芯片。 36. CIM:computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom:一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 39. Compensation doping:补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 40. CMOS:complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 41. Computer-aided design(CAD):计算机辅助设计。 42. Conductivity type:传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。 43. Contact:孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。 半导体术语表 第56页 共85页 44. Control chart:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45. Correlation:相关性。 46. Cp:工艺能力，详见process capability。 47. Cpk:工艺能力指数，详见process capability index。 48. Cycle time:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。 49. Damage:损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。 50. Defect density:缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 51. Depletion implant:耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。) 52. Depletion layer:耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。 53. Depletion width:耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。 54. Deposition:淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。 55. Depth of focus(DOF):焦深。 半导体术语表 第57页 共85页 56. design of experiments (DOE):为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验。 57. develop:显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程) 58. developer:?)显影设备; ?)显影液 59. diborane (B2H6):乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源 60. dichloromethane (CH2CL2):二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。 61. dichlorosilane (DSC):二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。 62. die:硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 63. dielectric:?)介质，一种绝缘材料; ?)用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。 64. diffused layer:扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料 半导体术语表 第58页 共85页 反型的杂质离子层。 65. disilane (Si2H6):乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 66. drive-in:推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 67. dry etch:干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 68. effective layer thickness:有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 69. EM:electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 70. epitaxial layer:外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶半导体层即为外延层。 71. equipment downtime:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。 72. etch:腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。 半导体术语表 第59页 共85页 73. exposure:曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 74. fab:常指半导体生产的制造工厂。 75. feature size:特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 76. field-effect transistor(FET):场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。 77. film:薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。 78. flat:平边 79. flatband capacitanse:平带电容 80. flatband voltage:平带电压 81. flow coefficicent:流动系数 82. flow velocity:流速计 83. flow volume:流量计 84. flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数 85. forbidden energy gap:禁带 86. four-point probe:四点探针台 87. functional area:功能区 88. gate oxide:栅氧 89. glass transition temperature:玻璃态转换温度 半导体术语表 第60页 共85页 90. gowning:净化服 91. gray area:灰区 92. grazing incidence interferometer:切线入射干涉仪 93. hard bake:后烘 94. heteroepitaxy:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 95. high-current implanter:束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter:高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒 97. host:主机 98. hot carriers:热载流子 99. hydrophilic:亲水性 100. hydrophobic:疏水性 101. impurity:杂质 102. inductive coupled plasma(ICP):感应等离子体 103. inert gas:惰性气体 104. initial oxide:一氧 105. insulator:绝缘 半导体术语表 第61页 共85页 106. isolated line:隔离线 107. implant : 注入 108. impurity n : 掺杂 109. junction : 结 110. junction spiking n :铝穿刺 111. kerf :划片槽 112. landing pad n :PAD 113. lithography n 制版 114. maintainability, equipment : 设备产能 115. maintenance n :保养 116. majority carrier n :多数载流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版 118. material n :原料 119. matrix n 1 :矩阵 120. mean n : 平均值 121. measured leak rate n :测得漏率 122. median n :中间值 123. memory n : 记忆体 124. metal n :金属 125. nanometer (nm) n :纳米 126. nanosecond (ns) n :纳秒 半导体术语表 第62页 共85页 127. nitride etch n :氮化物刻蚀 128. nitrogen (N2 ) n: 氮气，一种双原子气体 129. n-type adj :n型 130. ohms per square n:欧姆每平方: 方块电阻 131. orientation n: 晶向，一组晶列所指的方向 132. overlap n : 交迭区 133. oxidation n :氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 134. phosphorus (P) n :磷 ，一种有毒的非金属元素 135. photomask n :光刻版，用于光刻的版 136. photomask, negative n:反刻 137. images:去掉图形区域的版 138. photomask, positive n:正刻 139. pilot n :先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 140. plasma n :等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体 141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n: 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n:TEOS 半导体术语表 第63页 共85页 淀积，淀积TEOS的一种工艺 143. pn junction n:pn结 144. pocked bead n:麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠 145. polarization n:偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语 146. polycide n:多晶硅 /金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构 147. polycrystalline silicon (poly) n:多晶硅，高浓度掺杂(>5E19)的硅，能导电。 148. polymorphism n:多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象 149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。 150. process control n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近X射线:一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。 152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。 153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构， 半导体术语表 第64页 共85页 其特性源于电子的波动性。 154. quartz carrier n :石英舟。 155. random access memory (RAM) n :随机存储器。 156. random logic device n :随机逻辑器件。 157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理(RTP)。 158. reactive ion etch (RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。 159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。 160. recipe n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。 161. resist n :光刻胶。 162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜(SEM)。 163. scheduled downtime n : (设备)预定停工时间。 164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。 165. scribe line n :划片槽。 166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。 167. semiconductor n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。 168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。 半导体术语表 第65页 共85页 169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。 170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片 171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。 172. source code:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。 173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。 174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。 175. sputter etch: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。 176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。 177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。 178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。 179. stepper: 步进光刻机(按BLOCK来曝光) 半导体术语表 第66页 共85页 180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。 181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。 182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。 183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。 184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。 185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。 186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。 187. thermal deposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。 188. thin film:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。 189. titanium(Ti): 钛。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、 半导体术语表 第67页 共85页 不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。 192. tungsten(W): 钨。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。 194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和:氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。 196. watt(W): 瓦。能量单位。 197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。 198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。 199. well: 阱。 200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。 201. trench: 深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。 半导体术语表 第68页 共85页 202. via: 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。 203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。 204. torr : 托。压力的单位。 205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。 206. vacuum: 真空。 207. transition metals: 过渡金属 我也是DOWN来的，有好DD大家SHARE 半导体术语表 第69页 共85页 刍议实际利率法在债券筹 资业务核算中的运用 【摘要】按各期应付债券总账余额和实际利率确定应承担的债券利息费用按票面利率确定各期应付债券总面值的应付利息各期承担债券的利息费用与应付利息的差额形成了应摊销的债券溢折价额 【关键词】确定实际利率,债券利息费,摊销溢折价,账务处理 企业在发行长期债券筹资业务中产生的溢折价应当在到期前的各期间内按照实际利率分摊实际利率法核算应付债券的利息费用要求企业按照各期应付债券的负债总额和债券实际利率确定各期承担的债券利息费用采用实际利率确定各期承担的利息费用能更合理体现各期应付债券的负债资金应承担利息费用的配比性要求2006年财政部发布的《会计准则第22号,金融工具确认和计量》第十四条规定企业应当采 69 半导体术语表 第70页 共85页 用实际利率法确认各期应负担金融负债的利息费用从而分摊债券的溢折价笔者认为宜从以下方面把握实际利率法在核算长期债券筹资业务中的运用方法即长期债券筹资业务核算的初始计量、确认各期应承担债券利息费用的后续计量以及在应付债券转换处置业务中的运用 一、实际利率法在长期债券筹资业务初始计量中的运用 企业发行的长期债券也可以从多个角度分类比如按照付息方式可分为到期一次性还本付息和分期付息的债券,按照是否承诺未来转化为股票分为可转换债券和不可转换为股票的还本付息债券,按照发行价格方式可以划分为溢价、折价或平价方式发行的债券,按照计息方式分为单利法计息和复利法计息的债券等无论属于哪支类型的债券采用实际利率法核算债券的筹资业务都需要在“应付债券”总账下专设“面值”、“应计利息”、“利息调整”明细账对于按期付息的债券应当专设“应付利息”总账核算结算形成的未付利 70 半导体术语表 第71页 共85页 息额发行债券取得了筹资额的会计处理为 借银行存款,实收总额, 贷应付债券,面值 ,利息调整 举例说明如下假设光明公司在2007年1月1日经批准委托代理商在证券市场发行了5年期面值100元/张票面年利率9%到期一次性还本付息的债券100000张即总面值1000万元发行当日起开始按照单利法计息确定的发行价格为102元/张发行取得资金用于增补生产经营资金发行期间7天冻结全部申购资金所取得利息收入10万元承担的发行费用4万元已经签发了支票支付给代理商发行后直接在市场上市交易光明公司在发行期已经全部销售了债券并取得了筹资款发行债券手续费从发行债券取得资金和冻结申购资金取得利息的存款账户中支付在2007年初发行债券取得资金的会计处理为 借银行存款10260000 贷应付债券-面值10000000 71 半导体术语表 第72页 共85页 -利息调整260000 二、实际利率法在核算各期应承担债券利息费用中的运用 实际利率法在核算企业长期债券筹资业务中运用的核心内容是对债券利息费用的核算笔者认为应特别重视把握以下要点 第一确定应付债券筹资额的实际利率发行债券的筹资额应当等价于未来支付债券利息和偿还债券本金的总现值从而计算确定其中的折现率即通过下列关系式解方程确定实际利率 债券的发行价,未来各期支付债券利息额的总折现值，到期偿还债券本金额的折现值 72 半导体术语表 第73页 共85页 第二按照实际利率和应付债券结余额确定各期承担的债券利息费用 某年应确认的债券利息费用,应付债券额×实际年利率 第三确定各期应付债券利息与承担债券利息费用额之间的差额企业需按持有债券的面值及票面利率确定应付的债券利息,这反映了债券发行企业与债券购买者之间的利息结算关系,按应付债券额及实际利率水平确定当期应承担的债券利息这反映了企业形成的利息费用额,各期应付债券利息与债券利息费用额之间的差额形成为债券溢价或折价的摊销额 第四编制相应业务的会计分录 借财务费用或在建工程(应付债券余额×实际利率) 应付债券,利息调整,差额, 贷应付债券,应计利息,面值×票面利率, 73 半导体术语表 第74页 共85页 注对于符合资本化条件的借款费用应当形成在建工程,对于分期付息的债券应当计入到“应付利息”总账中 在上述举例条件中,光明公司各期应承担债券利息费用的会计处理方法如下 一是计算光明公司在2007年1月1日发行该债券筹资的实际年利率i 注如果债券发行的费用大于债券发行期间冻结申购资金的利息收入额规定该差额形成财务费用或在建工程等账户在计算实际利率时不需要考虑,但本题中的债券发行费用小于债券发行期间冻结申购资金得到的利息该差额作为债券发行的溢价并入应付债券账户核算 二是确定各期应承担的利息和应支付的利息、转回的债券数额、债券总账余额等项目额 2007年末结计当年形成的应付债券利息=债券总面 74 半导体术语表 第75页 共85页 值×票面年利率=10000000×9%=900000 2007年末确认当年应承担的债券利息费用额=该年初应付债券总账余额×实际利率=10260000×7.163%=734923.80 2007年应摊销转回债券溢价=应付利息-承担的债券利息费=900000-734923.8=165076.2元 2007年末应付债券总账余额=年初总账余额+当年应付利息-当年摊销溢价转回的债券数额 =10260000+900000-165076.2 =10994923.8 依次类推计算2008年后各年应付债券的利息下表反映各项目数额的计算过程和结果 三是承担债券利息费用的会计处理 2007年末结计利息和摊销债券溢价业务的会计分录 75 半导体术语表 第76页 共85页 借财务费用734923.80=10260000×7.163% 应付债券-利息调整165076.2=900000-734923.8 贷应付债券-应计利息900000=10000000×9% 2008年末结计利息和摊销债券溢价业务的会计分录 借财务费用787566.39=10994923.8×7.163% 应付债券-利息调整112433.61=900000-787566.39 贷应付债券-应计利息900000=10000000×9% 2009年末结计利息和摊销债券溢价业务的会计分录 借财务费用843979.77=11782490.19×7.163% 应付债券-利息调整56020.23=900000-843979.77 贷应付债券-应计利息900000=10000000×9% 76 半导体术语表 第77页 共85页 2010年末结计利息和摊销债券溢价业务的会计分录 借财务费用904434.04=12626469.96×7.163% 贷应付债券-应计利息900000=10000000×9% 应付债券-利息调整4434.04=900000-904434.04,表 示形成财务费用的利息大于应付利息, 2011年末结计利息和摊销债券溢价业务的会计分录 借财务费用969096=14500000×7.163% 贷应付债券-应计利息900000=10000000×9%应 付债券-利息调整69096=900000-969096,表示形成财务费用 的利息大于应付利息, 2011年末利息调整明细账余额=260000-165076.2 -112433.61-56020.23+4434.04+69096=0 2011年末应计利息明细账余额 77 半导体术语表 第78页 共85页 =900000×5=4500000元 2011年末应付债券总账余额=1000万元+450万元+0 =1450万元 2011年末应付债券到期还本付息业务的会计处理 借应付债券-面值10000000 -应计利息4500000 贷银行存款14500000 三、实际利率法在可转换债券业务核算中的运用 笔者认为应用实际利率法核算可转换债券业务应着重把握两个要点一是需要计算发行债券的实际收款额与债券 78 半导体术语表 第79页 共85页 按照发行当时市场利率确定现值的差额,该差额形成资本公积,再计算债券面值与债券现值,即公允价,之间的差额该差额形成利息调整,二是在条件具备时将可转换债券转换为股票从而解除债务但一般债券是在到期日偿还债券本息后解除了债务在转换股票之前各期间的账务处理方法与一般债券相同见下列核算案例 假设前进公司在2007年1月1日经过批准发行了总面值 1000万元票面年利率6%5年期按年付息每年12月31日付息发行时的市场年利率9%扣除发行费用后实际收到发行价款900万元发行2年后可以转换股票按照每10元债券转换1股股票股票面值为1元/股设在可转换股票日可转换债券的持有者都行权办理了转换股票手续 第一2007年初发行可转换债券需计算有关项目数额和编制的会计分录方法为 ___?_____________________?__________________?_ 79 半导体术语表 第80页 共85页 债券面值1000万元债券现值,公允价,883.4万元发行价900万 可转换债券的现值,即公允价,=到期前未来各年利息额的现值+到期债还本金的现值=1000万×6%×5 年及9%年利率的年金现值系数+1000万×5年及9%的复利现值系数=60万×3.89+1000万×0.65=233.4+650=883.4万元 发行可转换债券形成的折价,利息调整账户额,=面值-现值,公允价,=1000-883.4=116.6 发行债券实际收款与债券现值,公允价,之间的差额=900-883.4=16.6万元 借银行存款9000000 应付债券-可转换债券,利息调整,1166000 贷应付债券-可转换债券,面值,10000000 资本公积-其他资本公积166000 80 半导体术语表 第81页 共85页 注?以发行可转换债券当时的市场利率作为计算债券现值的实际利率,?实际收取可转换债券的发行价总额与计算的债券现值之间的差额形成资本公积构成净资产,?如果不是发行可转换债券发行债券取得价款与债券面值之间的差额全都在“应付债券-利息调整”账户核算不必分离出形成资本公积的差额和形成“利息调整”明细账户的差额 第二2007年12月31日确认本期间应承担的债券利息费用 借财务费用795060=,1000-116.6,万元×9% =883.4万元×9% 贷应付债券-可转换债券,应计利息,600000=1000万元×6% -可转换债券,利息调整,195060=79.506万元-60万元 第三2008年12月31日确认本期间应承担的债券利 81 半导体术语表 第82页 共85页 息费用 借财务费用866615.4=,1000-116.6+60+19.506,万元×9% 贷应付债券-可转换债券,应计利息,600000=1000万元×6% -可转换债券,利息调整,266615.4=86.66154 万元-60万元 第四2009年1月1日债券转换为股票的业务核算方法 转换股票前账面结余的利息调整额, 116.6-19.506-26.66154,70.43246万元 转换股票前形成的应计利息结余额,60，60,120万元 债券转换的股份数=该债券的总账余额 82 半导体术语表 第83页 共85页 /10=(1000+120 -70.43246)/10=104.956754万股=1049567.54股(不足1股的部分付现金结算,0.54股的债券额5.4元) 借应付债券-可转换债券(面值)10000000 -可转换债券(应计利息)1200000 资本公积-其他资本公积166000 贷应付债券-可转换债券(利息调整)704324.6 股本1049567=104.9567万股×1元/股 资本公积-资本溢价9612103 库存现金5.40 可转换债券转换成为股票之后企业在该债券上的偿债义务和风险才解除企业将按照接受股权投资的实收资本业务对其进行后续核算 83 半导体术语表 第84页 共85页 【参考文献】 1财政部会计资格评价中心编写.中级会计实务.经济科学出版社2007年1月. 2《企业会计准则第22号,金融工具确认和计量》2006年2月15日财政部颁布.2007年1月1日起施行. 3《企业会计准则,应用指南,2006,》2006年10月30日财政部颁布.自2007年1月1日起施行. 84 半导体术语表 第85页 共85页 85