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芯片命名规则

2022-03-26 3页 doc 32KB 7阅读

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芯片命名规则芯片命名规则一、分立器件(除三系列)及集成路芯片命名方式XxXXxxxxXxxxXxXX表示必X表示可(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1)1位大写英文字母,表示晶尺寸。W表示5吋晶;S表示6吋晶;E表示8吋晶。(2)1位数字或大写英文字母,表示芯片种。1表示二极管;2表示三极管、MOS管;3表示可控硅;B代表双极型集成路;C代表MOS型集成路;M...
芯片命名规则
芯片命名规则一、分立器件(除三系列)及集成路芯片命名方式XxXXxxxxXxxxXxXX示必X表示可(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1)1位大写英文字母,表示晶尺寸。W表示5吋晶;S表示6吋晶;E表示8吋晶。(2)1位数字或大写英文字母,表示芯片种。1表示二极管;2表示三极管、MOS管;3表示可控硅;B代表双极型集成路;C代表MOS型集成路;M代表混淆型集成路等。1位大写英文字母,表示品版。代表新企业自主开品;其余代表客定制品。1位大写英文字母,表示系列代三极管系列:N表示NPN双极型晶体管、P表示PNP双极型晶体管、D表示达林管;二极管系列:A表示阻尼二极管、K表示开关二管/快恢复二极管、T表示TVS二极管、S表示平面构肖特基二极管、Z表示整流二极管、V表示沟槽构肖特基二极管;W表示二极管;可控硅系列:R表示可控硅;MOS构系列:M表示VDMOS管、B表示超MOS构二极管(SBR);集成路系列:表示不同版构,A、B、C、D、⋯⋯依次划分。4位数字,表示管芯尺寸。管芯正方形,采用表示管芯尺寸;管芯方形,用面的平方根表示管芯尺寸。其中末位数字0、5表示正方形,其余表示方形。①或面的平方根<10mm,管芯尺寸xxxx×1μm,精准到1μm。如:0.215mm表示0215、1.5mm表示1500;或面的平方根>10mm,管芯尺寸xxxx×10μm,精准到10μm,首位用大写英文字母代替。如:10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。1位大写英文字母,表示系列特点。NPN/PNP双极型晶体管:B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR构造三极管、F表示高频三极管、W表示音响管(包括中功率管);达林顿管:N表示N型外延、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料;阻尼二极管:N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管:N表示N型材料、P表示P型材料;TVS二极管:N表示N型材料、P表示P型材料;平面构造肖特基二极管:代表不同金属势垒;沟槽构造肖特基二极管(TMBS):代表不同金属势垒;MOS构造系列::N表示N沟道、P表示P沟道;稳压二极管:N、E、W等表示测试电流代码;整流二极管:N表示N型材料、P表示P型材料;集成电路系列:N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。3位数字,表示击穿电压规格。击穿电压<10V,3位数字中间1位用大写英文字母V取代,详细为xVx表示,精准到0.1V,如:3.3V表示为3V3、5V表示为5V0;10V≤击穿电压<1kV,3位数字xxx×1V,精准到1V,如:22V表示为022、200V表示为200;③击穿电压≥1kV,xxx×10V,首位数字用大写英文字母取代,精准到10V,如:1050V表示为A05、3600V表示为C60。1位大写英文字母,表示正面电极金属。L表示Al、Y表示Ag等。1位数字,表示系列特点,可缺省。开关/快恢复二极管:表示单双胞构造,2表示双胞、缺省表示单胞;TVS二极管:表示通道数量,如1表示单通道、2表示双通道、5表示5通道;肖特基二极管:表示单双胞构造,2表示双胞、缺省表示单胞。1位大写英文字母,表示系列特点,可缺省。NPN/PNP双极型晶体管:表示材料种类,T表示三扩材料、缺省表示外延材料;TVS二极管:表示单双向构造,U表示单向、B表示双向;稳压二极管:表示测试精度,A表示2%测试精度、缺省表示5%测试精度;可控硅:表示单双向构造,U表示单向、B表示双向。阻尼二极管:表示材料种类,T表示三扩材料、缺省表示外延材料;MOS构造系列:T表示沟槽工艺、P表示平面工艺,其中P可缺省;开关/快恢复二极管:表示不同开关要求,于有两种及以上开关要求用A、B、C、⋯⋯依次划分。二、分立器件芯片命名方式(三系列)×××××××××大写英文字母,用于划分不同击穿,H代表BVCBO大于900V;针对惯例及惯例带二极管产品,仅用以划分不同BVCEO档位要求,为空代表BVCEO以410-480V为主;A代表BVCEO以480-550V为主;B代表BVCEO以450-520V为主;L代表BVCEO以350-450V为主阿拉伯数字,管芯的长边边长阿拉伯数字,关于新顺企业自主开发产品,9为惯例产品,8为惯例带二极管产品,7为低压产品,6为低压带二极管产品;0为惯例带二极管且终端采用JTE构造产品,1为惯例且终端采用JTE构造产品。导电种类,大写英文字母N或P大写英文字母,X代表新顺企业自主开发产品;其余代表客户定制产品。代表三极管1位字母,表示晶圆尺寸。W表示5吋晶圆,S表示6吋晶圆。三、5吋芯片6吋芯片命名方式芯片名称第一位大写英文字母行,详细由WS。四、品版本号命名命名方式:品名_xx1位数字,表示版本号;第一版缺省_x。版本号更:①同一版面的系列品,某一或几光刻版生化,整体管芯尺寸不的,系列品需一起增加版本号。②某一品种,某一或几光刻版生化,整体管芯尺寸不的,需增加版本号。③某一品种,波及到多条工路并存,新增的工路需增加版本号。五、多管芯划片品命名命名方式:①品名_X合用于第一版品,X1位大写英文字母,表示多管芯数量:D表示双管芯、F表示四管芯、S表示6管芯、E表示8管芯等。②品名_xX合用于非第一版品,第一位x数字,表示品版本号;第二位X1位大写英文字母,表示多管芯数量:D表示双管芯、F表示四管芯、S表示6管芯、E表示8管芯等。
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