答案 模电 第四版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V四、UO1＝6V UO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、UO＝UCE＝2V。2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习1.1（1）AC （2）A （3）C （4）A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。1.3 ui和uo的波形如图所示。1.4 ui和uo的波形如图所示。1.5 uo的波形如图所示。1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。（2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。1.10（1）S闭合。（2）1.11 波形如图所示。1.12 60℃时ICBO≈32μA。1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。（e）可能1.20根据方程逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。1.211.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。1.24（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能第二章基本放大电路自测题一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）×二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。（e）不能。因为输入信号被C2短路。（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。（g）可能。              （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。（i）不能。因为T截止。三、（1）（2）四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，DE （2）B （3）ACD （4）ABDE （5）C （6）BCE，AD六、习题2.1    e b c 大 大 中 大c b c 小 大 大 小b e c 大 小 小 大2.2（a）将－VCC改为＋VCC。     （b）在＋VCC与基极之间加Rb。（c）将VBB反接，且加输入耦合电容。 （d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.6（1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V2.72.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。（b）截止失真，减小Rb。（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。2.9（a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真2.10（1）（2）2.11空载时，2.12② ① ② ① ③③ ② ① ③ ①③ ③ ① ③ ③2.13（1）静态及动态分析：(2)Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。2.142.15 Q点：动态：2.162.17   图略。2.18（1）求解Q点：（2）求解电压放大倍数和输入电阻：（3）求解输出电阻：2.19 (1)(2)2.20（a）源极加电阻RS。    （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。（c）输入端加耦合电容   （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD2.21（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。（2）2.22（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V（2）求电压放大倍数：2.23 2.24（a）× （b）× （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。（d）× （e）× （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。第三章 多级放大电路自测题一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√二、（1）AA （2）DA （3）BA （4）DB （5）CB三、（1）BD （2）C （3）A （4）AC （5）B （6）C四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mA  IE1＝IE2＝0.15mA（2）减小RC2。当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE/RC4＝0.6mA。习题3.1（a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基（e）共源，共集 （f）共基，共集3.2 图（a）图（b）图（c）图（d）3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e）3.4图（a）图（b）3.5图（c）图（e）3.63.73.83.9（1）（2） △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V3.10