第3 讲软磁材料和应用

Vol.10 No.9 September 2007 第 10卷第 9期 2007年 9月 POWER SUPPLY TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS （a） 铁磁物质未磁化 （b） 被磁化 图 3-1 铁磁物质被磁化前后的磁畴排列 图 3-2 磁材料初始磁化曲线 收稿日期院2007-05-21 第 3讲 软磁材料和应用 赵修科 （南京航空航天大学， 江苏 南京 210016） 中图分类号：TN911 文献标识码：B 文章编号：0219-2713（2007）09-0048-07 〔编者按〕电源师最头痛的问之一是磁元件问题。磁元件不同于其它电子元件，大多数磁元 件是量身定制的，这要求电源工程师必须具有电磁基本知识，尤其是高频下磁元件特性，以及工艺 结构对磁元件特性的影响等。而在学校磁的知识学习得很少，尤其高频下磁元件学习更少。本刊特 邀赵修科教授就此专题展开系列讲座，系统地介绍了磁的基本原理和高频磁元件设计的有关问 题，本讲座共分为六讲。 在前面磁场中可以看到，在线圈中加入 磁芯后，将磁通限制在低磁阻的磁芯内，用较小激 励电流，产生比没有磁芯时大得多的磁通，这就大 大减少了电磁元件的体积。因此，加磁芯的基本目 的是为链合或耦合两个或多个磁单元的磁通，提 供容易通过的路径，将磁源和磁“负载”连接起来， 作为磁通“汇流条”。同时减少磁元件的体积。 3.1 磁性材料的磁化和磁化曲线 3.1.1 磁化 物质的磁化需要外磁场。相对外磁场而言，被 磁化的物质称为磁介质。将磁介质放到磁场中，磁 感应强度显著增大。磁场使得磁介质呈现磁性的 现象称为磁介质的磁化。铁磁物质之所以能被磁 化，是因为其内部有许多自发磁化的小区域——— 磁畴。在没有外磁场作用时，这些磁畴排列的方向 是杂乱无章的如图 3-1（a）所示，小磁畴间的磁场 是相互抵消的，整个磁介质对外不呈现磁性。 3.1.2 磁性物质磁化过程 为了测量磁特性，一般将测试样件做成环形， 绕上线圈。应用电磁两个基本定理原全电流定理和 电磁感应定理通过测量计算出材料的 B越f（H）关 系———磁化曲线，如图 3-2所示。 完全无磁状态的磁环线圈通入电流，电流从 零逐渐增大，磁场强度从零逐渐增加，磁芯中磁感 应强度 B也逐渐增大，当磁场强度 H 较小时，磁 芯中与外磁场方向相差不大的那部分磁畴逐渐转 向外磁场方向，磁感应强度 B随外磁场增加而增 加，如图 3-2中 oa段。如果将外磁场 H逐渐减少 到零时，B仍能沿 ao回到零，即磁畴发生了“弹 性”转动，故这一段磁化是可逆的。 当外磁场继续增大时，与外磁场方向相近的磁 48 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn 畴已经趋向于外磁场方向，那些与磁场方向相差较 大的磁畴克服磁畴壁“摩擦”，也开始转向外磁场方 向，因此磁感应 B随 H急剧增大，如磁化曲线 ab 段。如果把 ab段放大了看，曲线呈现阶梯状，说明 磁化过程是跳跃式进行的。如果这时减少外磁场， B将不再沿 ba段回到零，过程是不可逆的。 磁化曲线到达 b点后，大部分磁畴已趋向了 外磁场，从此再增加磁场强度，可转动的磁畴越来 越少了，故 B值增加的速度变缓，这段磁化曲线附 近称为磁化曲线膝部。从 b点进一步增大磁场强 度，只有很少的磁畴可以转向，因此，磁化曲线缓 慢上升，材料磁性能进入所谓饱和状态，随磁场强 度增加 B增加很少，如图 3-2中 bc所示，该段磁 化曲线称为饱和段。这段磁化过程也是不可逆的。 铁磁材料的 B和 H的关系可表示为 B=J+滋0H （3-1） 式中：滋0为真空磁导率； J为磁化强度。 式（3-1）表示磁芯中磁通密度是磁性介质的 磁感应强度 J（也称磁化强度）和介质所占据的空 间磁感应强度之和。当磁场强度很大时，磁化强度 达到最大值，即饱和，如图 3-2曲线 J所示，而空 间的磁感应强度不会饱和，仍继续增大，如图 3-2 中曲线 A所示。合成磁化曲线随着磁场强度 H增 大，B仍稍有增加，如图 3-2曲线 S所示。 从材料的零磁化状态，磁化到饱和的磁化曲 线通常称为初始磁化曲线。 3.1.3 饱和磁滞回线和基本参数 将磁芯沿磁化曲线 OS由完全无磁状态磁化 到饱和 Bs，如图 3-3所示，此时如将外磁场 H 减 小，B值将不再按照原来的初始磁化曲线（OS）减 小，而是更加缓慢地沿较高的 B减小，这是因为磁 芯在磁化时发生刚性转动，磁畴保留了磁化方向， 因此，相同的磁场强度去磁时的 B比磁化的 B 高。即使外磁场 H=0时，B屹0，即尚有剩余的磁感 应强度 Br存在。这种磁化曲线与去磁曲线不重合 特性称为磁化的不可逆性。磁感应强度 B的改变 滞后于磁场强度 H的现象称为磁滞现象。 如要使 B减少，必须加一个与原磁场方向相 反的磁场强度-H，当这个反向磁场强度增加到- Hc时，才能使磁介质中 B=0。这并不意味着磁介质 恢复了杂乱无章状态，而是一部分磁畴仍保留原 磁化磁场方向，而另一部分在反向磁场作用下改 变为外磁场方向，两部分相等时，合成磁感应强度 为零。 如果再继续增大反向磁场强度，铁磁物质中 反转的磁畴增多，反向磁感应强度增加，随着-H 值的增加，反向的 B也增加。当反向磁场强度增加 到-Hs时，则 B=-Bs达到反向饱和。如果使-H=0， B=-Br，要使-Br为零，必须加正向 Hc。如 H再增大 到垣Hs时，B达到最大值 Bs，磁芯又达到正向饱和， 形成了一个对原点 O对称的回线，如图 3-3所示， 称为饱和磁滞回线，或最大磁滞回线。 在饱和磁滞回线上可确定的特征参数为： （1）饱和磁感应强度 Bs国是在指定温度（25益 或 100益）下，用足够大的磁场强度磁化磁性物质 时，磁化曲线达到接近饱和水平时，不再随外磁场 增大而明显增大（对于高磁导率的软磁材料，在 滋r=100处）对应的 B值； （2）剩余磁感应强度 Br国铁磁物质磁化到饱 和后，又将磁场强度下降到零时，铁磁物质中残留 的磁感应强度，即为 Br，称为剩余磁感应强度，简 称剩磁； （3）矫顽力Hc国铁磁物质磁化到饱和后，由于 磁滞现象，要使磁介质中 B为零，需有一定的反向 磁场强度-H，此磁场强度称为矫顽磁力 Hc。 如果用小于 Hs的不同的磁场强度磁化铁磁 材料时，此时 B与 H的关系在饱和磁滞回线以内 的一族磁滞回线。各磁滞回线上的剩磁感应和矫 顽磁力将小于饱和时的 Br和 Hc。如果要使具有磁 性的材料恢复到去磁状态，用一个高频磁场对材 料磁化，并逐渐减少磁场强度 H 到 0，或将材料加 到居里温度以上即可去磁。 如果磁滞回线很宽，即 Hc 很高，需要很大的 绎 电源讲座 ———第 3讲 软磁材料和应用 ——— 图 3-3 磁芯的磁滞回线 49 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn Vol.10 No.9 September 2007 第 10卷第 9期 2007年 9月 POWER SUPPLY TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS 磁场强度才能将磁材料磁化到饱和，也就是说这类 材料磁化困难，去磁也困难，我们称这类材料为硬 磁材料，如铝镍钴、钐钴、钕铁硼合金等永久磁铁。 另一类材料在较弱外磁场作用下，磁感应强 度达到很高的数值，同时很低的矫顽磁力，既容易 磁化，又很容易退磁。我们称这类材料为软磁材 料。开关电源主要应用软磁材料。属于这类材料的 有电工纯铁、电工硅钢、铁镍软磁合金、铁钴钒软 磁合金和软磁铁氧体等。 3.2 磁芯损耗 铁磁物质在交流磁化过程中，因消耗能量发 热，磁材料损耗功率（P）由磁滞损耗（Ph）、涡流损 耗（Pe）和剩余损耗（Pc）组成，即 Pc=Ph+Pe+Pc （3-2） 磁材料磁化时磁畴要克服磁畴壁的摩擦发生刚 性转动，克服摩擦使磁芯发热，这就是磁滞损耗 Ph。 单位体积（质量）磁滞损耗正比于磁化频率 f和工作 磁感应B幅度。磁材料的 Hc越大，损耗也越大。 磁芯线圈中加上交流电压时，磁芯中磁通 渍 也时交变的，如果磁芯是导体，磁芯本身截面周围 也将链合全部磁通 渍而构成单匝的次级线圈。当 交流激励电压为 u1时，根据电磁感应定律有 u1=N1 d渍dt 一匝导体的感应电势，即磁芯截面最大周边 等效一匝感应电势为 u1 N1 = d渍dt （3-3） 这个电势在磁芯中产生感生电流 ie，绕着磁 芯周边流过，这个电流 ie就是涡流，引起 ie2R损 耗，这就是涡流损耗。由式（3-3）可见，涡流损耗与 磁芯磁通变化率成正比，频率提高是通过磁通变 化率提高而影响涡流损耗。例如一个变压器原边 工作在电压 50 V、脉宽 10滋s和 100 V、5 滋s，尽管 两者伏秒一样（即 驻B相同），但后者每匝伏特比 前者大一倍，涡流大一倍，则峰值损耗大 4倍，因 后者脉宽小一倍，所以平均损耗后者比前者大一 倍。因此，正确地说，涡流与每匝伏特和占空度有 关，而与频率无关。如果说与频率有关，那是因为 频率提高以后，匝数少了的缘故。 涡流一方面产生磁芯损耗，另一方面产生的 涡流所建立磁通阻止磁芯中主磁通变化，使得磁 通趋向磁芯的表面，导致磁芯有效截面积减少，这 种现象称之为集肤效应。 剩余损耗是由于磁化弛豫效应或磁性滞后效 应引起的损耗。所谓弛豫是指在磁化或反磁化的 过程中，磁化状态并不是随磁化强度的变化而立 即变化到它的最终状态，而是需要一个过程，这个 ‘时间效应’便是引起剩余损耗的原因。 从以上分析可见，在交变磁场中，磁芯单位体 积（重量）能量损耗既取决于磁介质本身的电阻 率、结构形状等因素，又取决于交变磁场的频率和 磁感应强度摆幅 驻Bm。对于合金铁磁物质而言，在 低频（50 Hz）和较高的 Bm范围内，损耗主要由 Ph 和 Pe决定。单位重量损耗可以表示为 PT=浊fBm1.6 （3-4） 式中：浊为损耗系数； f为工作频率； Bm为磁芯幅值磁感应强度。 在开关电源中，工作频率在 20 kHz耀1 MHz，涡 流损耗和剩余损耗超过了磁滞损耗。磁芯损耗可 表示为 PT=浊f琢Bm茁V （3-5） 式中：琢和 茁分别为大于 1的频率和磁感应损耗 指数。 3.3 相对磁导率 滋r 由式（1-3）得到材料的磁导率，也称为绝对磁 导率为 滋= B觶 H觶 对应于图 3-4中‘1’点磁导率为 滋1越B1/H1。 材料磁导率与真空磁导率之比称为相对磁导 率 滋r，即 滋r= 滋滋0 （3-6） 手册中所列材料磁导率都是相对磁导率。如 初始磁导率 滋i，最大磁导率 滋m，增量磁导率 滋驻，幅 值磁导率 滋a和有效磁导率 滋e。 如果一个高磁导率磁芯，在磁通路中存在气 隙，这时等效磁导率称为有效磁导率。如果是带有 气隙为 啄的环形磁芯，如图 3-5（a）所示，截面积 A c，有效磁路长度为 lc，线圈匝数为 N，线圈电流为 I，假设气隙 啄相对于截面的尺寸很小，忽略散磁 50 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn 通。根据全电流定律有 NI=H啄啄+Hclc （3-7） 式中：H啄和 Hc分别为气隙和磁芯中的磁场强度。 因为气隙很小，不考虑气隙的边缘磁通，则有 渍=BcA c=B啄A 啄 （3-8） 又因为忽略边缘磁通，故磁芯磁通密度 Bc=B啄（气 隙磁通密度），因此近似有 NI= Bc滋0滋r lc+ B啄 滋0 啄= Bclc滋0滋r 1+ 滋r 啄 lc蓸 蔀= Bclc滋0 滋e （3-9） 式中：滋e= 滋r1+ 滋r 啄lc = 11 滋r + 啄lc （3-10） 滋e为有效磁导率。这就是说，磁芯带有气隙后，等 效的磁导率降低了。如果 滋r>>lc/啄，则有效磁导率近 似为常数 滋e=lc/啄 （3-11） 可见，由于气隙存在，B和 H 的关系是近似线 性的，即磁导率近似常数，气隙磁芯电感在磁芯未 饱和前是线性电感。可通过改变气隙的大小，方便 地改变磁芯的有效磁导率。其次，由于气隙的去磁 作用，磁芯的剩磁感应（Br）大大下降了，这个性能 对单向磁化应用非常有用。 3.4 常用软磁材料 在开关电源中，常用的软磁材料有铁氧体、磁 粉芯、恒导合金、非晶态合金及硅钢片等。 3.4.1 合金磁材料 这类磁材料是铁、镍、钴或加入其它元素构成 的合金。除恒导合金外，这类材料一般具有极高的 相对磁导率（>40000），很高的饱和磁感应（0.6T~ 1.9T）和很窄的磁化曲线。最适宜作为变压器磁芯 材料。合金磁材料的缺点是电阻率非常低。为了减 少涡流效应，这类合金磁材料都是碾轧成带料，带 料表面相互绝缘。有效截面积与几何截面积之比 称为叠片系数，即 kc= A eA = nA cA （3-12） 式中：A e为有效磁芯面积； A c为每片带的截面积； n为叠片数； A 为由 n片带组成的磁芯的几何面积。 在低频（50~400 Hz）场合，硅钢带是最广泛应 用的磁芯材料。通常采用一定厚度定向碾轧晶粒 取向的带料。此材料的特点是饱和磁通密度 Bs 高，价格低廉。磁芯损耗取决于带的厚度和硅的含 量。硅含量越高，电阻率越大，则损耗越小。 非晶磁材料是上世纪 70年代发展起来的新 材料。除钴基非晶合金外，大部分非晶用于低频。 微晶（超微晶和纳米晶）可用于大功率开关电源， 因为单位体积损耗可与铁氧体相当，但价格要比 铁氧体贵。 其他合金材料如皮莫合金要么价格太高，要 么损耗太大很少用于开关电源。 3.4.2 磁粉芯 磁粉芯通常将磁性材料极细的粉末和粘结剂 混合在一起，通过模压、固化一般形成环状的粉末 金属磁芯。由于磁粉芯中存在大量非磁黏结剂，相 当于在磁芯中存在许多分布气隙，因此降低了有 效磁导率。 在低磁通密度时，磁通趋向集中于最容易通 过的路径（低磁阻），磁粒相互间靠近的部分，如图 3-6所示。当磁通密度增加时，这些容易经过的路 径区域首先饱和。这些首先饱和的磁粒部分的磁 导率变成 滋0，相当于气隙加宽了，因此有效磁导率 是非线性的。同时，其磁导率决定于磁粉的含量和 工艺，做成的磁芯初始磁导率是固定的，而且有较 大的公差。 磁粉芯根据含磁性材料粉末的不同有 4类： 绎 电源讲座 ———第 3讲 软磁材料和应用 ——— 图 3-4 B，滋=f（H）关系曲线 （a） 开口的环形磁芯 （b） 磁化特性 图 3-5 带有气隙啄的环形磁芯 51 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn Vol.10 No.9 September 2007 第 10卷第 9期 2007年 9月 POWER SUPPLY TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS 图 3-6 磁粒之间的易通路径 铁粉芯、铁硅铝 (Kool mu)，高磁通密度（铁镍磁 粉），坡莫合金磁粉芯（MPP）。铁粉芯最便宜，但高 频损耗最高。铁硅铝适中的价格和损耗，是磁粉芯 中应用最广泛的材料。高磁通密度粉芯损耗比铁 硅铝高，但具有所有粉芯中最高饱和磁感应，价格 较高，一般用于军工产品。MPP是所有粉芯中损耗 最小的，但价格也是最高的。一般用于要求体积小 和军工场合。 3.4.3 软磁铁氧体材料 在开关电源中，应用得最多的材料是软磁铁 氧体。主要有两类：锰锌铁氧体和镍锌铁氧体。 镍锌（NiZn）铁氧体具有更高的电阻率，因此它适 合工作在 1 MHz以上的场合；而锰锌（MnZn）铁氧 体电阻率较低，通常工作在 1 MHz以下。但具有很 高的磁导率（滋i）和较高饱和磁感应（Bs）。 铁氧体磁芯根据不同原料的配比，获得不同 的性能：如电阻率、初始磁导率、饱和磁感应、居里 温度、磁感应的温度特性、损耗的温度特性、剩磁 特性等，也就有各个公司的各种牌号的材料。 3.4.3.1 铁氧体应用参数 铁氧体除了一般磁材料的参数外，还有如下 参数。 （1）有效磁芯尺寸（A e，le，V e）国不同型号和结 构的磁芯，磁路尽管是按照等截面原则设计的，但 由于工艺和成本要求，一般磁芯磁路并不是等截 面。为了简化计算，在手册中列出了一组有效尺 寸。此尺寸是将不同规格型号的非均匀截面磁芯， 等效于一个等截面环形磁芯。等效环具有与非均 匀截面相同的磁特性，等效环的几何参数就是非 均匀截面磁芯的有效截面（A e）、有效长度（le）和有 效体积（V e）。分别用来计算线圈匝数、激磁电感和 磁芯损耗的参数。 （2）电感系数（A L）国为了使磁芯电感容易计 算，在手册中给出电感系数 A L，它表示磁芯具有 1 匝（或规定整数匝，例如 1000 匝）线圈时的电感 量。如果线圈为 N匝，电感量为 L=N2A L （3-13） 当 A L为 1000匝时电感量，N匝线圈电感量为 L=N2A L伊10-6 （3-14） 手册中给出了某结构尺寸磁芯的电感系数 A L 值，如果用作变压器，只要乘以初级的匝数平方 （N2），就可近似得到初级激磁电感量。如果有气隙， 可由磁芯系数和有效磁导率来计算电感系数，即 A L= 0.4仔滋e移A /l = 0.4仔滋eA ele （nH） （3-15） 式中：长度单位为 mm。 如果气隙 啄相对磁芯截面尺寸很小时，由式 （3-10）和式（3-11）有效磁导率 滋e可写为 滋e= le啄 这时电感系数 A L简化为 A L=滋0 A啄 （nH） （3-16） 从式（3-16）可知，对于一定的结构，已知有效 尺寸和电感系数，就知道材料的有效磁导率 滋e。 3.4.3.2 磁化曲线 铁氧体的低频磁滞回线如图 3-7所示。国际 上一般规定大约磁场强度为 Hs=1 200 A/m所达到 的磁感应强度时的磁通密度为磁芯材料的饱和磁 感应 Bs。 图 3-8为磁化曲线与温度的关系。在 100益 时，饱和磁感应由常温（25益）的 0.42T下降到 0.34T。磁芯总是工作在较高温度场合时，高温 Bs 图 3-7 铁氧体低频磁滞回线 52 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn 图 3-9 比损耗与峰值磁感应关系 较高才具有实际意义。 3.4.3.3 损耗 由式（3-5）得到磁芯比损耗 Pt（mW/cm3=kW/ m3）表示为 Pt=PT/V=浊f琢Bm茁 （3-17） 对于大多数磁材料工作在 50 kHz以上时，式 （3-17）中的 琢大约为 1.5耀1.7，而 茁越2耀2.7。适当增 加工作频率，同时相应减少磁感应摆幅使磁芯温 升不超过允许值。表 3-1给出不同公司损耗数据。 根据提供的数据，可以在工作频率附近解出 100益 时 浊，琢和 茁。 图 3-8是在不同的磁感应摆幅和频率时，比 损耗与磁材料温度的关系；图 3-9 是磁材料在 100益时，不同工作频率下，比损耗与磁感应摆幅 的关系。 从图 3-8可见，比损耗随温度增加有一个最 小值。对于功率铁氧体一般在 80~100益左右之间 达到谷点。在谷点温度以下，磁材料温度增加，损 耗减少，是一个负反馈过程。在谷点温度以上温度 增加，损耗增加，是一个正反馈过程。因此一般功 率磁芯温度控制在谷点温度以下比较合理。 磁芯生产厂通常提供比损耗与磁通摆幅、频 率（变化量）关系损耗曲线，曲线中损耗包含了磁 滞、涡流和剩余损耗。还应当指出的是图 3-8和图 3-9的损耗关系是磁材料在正弦波电源激励下， 双向对称磁化测试结果，该曲线是高频应用选择 磁感应摆幅的依据。 从以上分析可见，对于使用者来说，磁芯总是 工作在高温下，为了减少体积，磁元件设计时，总 是按最高温升选取参数。因此，铁氧体高温性能才 是设计者感兴趣的：磁化曲线的高温饱和磁感应， 是电感或变压器工作磁感应最大限值；损耗的温 度特性限制了磁芯最大工作温度；损耗与频率、磁 感应摆幅的关系限制了高频下可选择的磁通密度 摆幅。 铁氧体与其它软磁材料比较，虽然饱和磁感 应比较低（0.5T），而且温度影响大。但其电阻率 高，高频损耗小。在高频时，由于损耗限制磁感应 摆幅，工作磁感应远小于饱和磁感应。因此饱和磁 感应低的缺点显得不重要了。又因铁氧体材料已 有多种材料和磁芯规格满足各种要求，加之价格 较其它材料低廉，铁氧体是目前在开关电源中应 用最为广泛的材料。从功率变压器磁芯、滤波电 感、磁放大器、电流互感器以及电磁兼容滤波电 感，都可以找到它的踪影。 作者简介 赵修科（1937-），男，南京航空航天大学自动化学院教 授。长期从事电力电子技术教学、研发和开发。主持和参加 国家重点科研、开发和协作项目 20余项，已鉴定或投产 10 项（航空主电源系统、应急电源、通信电源及电力操作电源 等）。发表 50余篇，主编、编写 8种，如开关电源 中的《磁性元器件》，编写的《电力电子技术》荣获航空优 秀教材奖。现为中国电源学会理事、《电源技术学报》主 编、江苏省电工技术学会副理事长、南京市电工技术学会 理事长、台达科教发展基金委员会委员、《电源技术应用》 编委。 绎 电源讲座 ———第 3讲 软磁材料和应用 ——— 图 3-8 不同频率/磁感应时比损耗与温度的关系 53 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn Vol.10 No.9 September 2007 第 10卷第 9期 2007年 9月 POWER SUPPLY TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS 表 3-1 不同磁芯材料 100益时损耗与频率、峰值磁通密度关系 频率 /kHz 材料型号 磁芯损耗/mW/cm3 Bm=160mT Bm=140mT Bm=120mT Bm=100mT Bm=80mT Bm=60mT 20 20 20 20 20 20 20 20 Ferroxcube 3C80 Ferroxcube 3C85 Ferroxcube 3F3 Magnetics R Magnetics P TDK H7C1 TDK H7C4 Siemens N27 85 82 28 20 40 60 45 50 60 25 20 12 18 40 29 — 40 18 12 7 13 30 18 — 25 13 9 5 8 20 10 24 15 10 5 3 5 10 — — — — — — — — — — 50 50 50 50 50 50 50 50 Ferroxcube 3C8 Ferroxcube 3C85 Ferroxcube 3F3 Magnetics R Magnetics P TDK H7C1 TDK H7C4 Siemens N27 270 80 70 75 147 160 100 144 190 65 50 55 85 90 65 — 130 40 30 28 57 60 40 — 80 30 22 20 40 45 28 96 47 18 12 11 20 25 20 — 22 9 5 5 9 20 — — 100 100 100 100 100 100 100 100 100 Ferroxcube 3C8 Ferroxcube 3C85 Ferroxcube 3F3 Magnetics R Magnetics P TDK H7C1 TDK H7C4 Siemens N27 Siemens N47 850 260 180 250 340 500 300 480 — 600 160 120 150 181 300 180 — — 400 100 70 85 136 200 100 — — 250 80 55 70 96 140 70 200 190 140 48 30 35 57 75 50 — — 65 30 14 16 23 35 — — — 200 200 200 200 200 200 200 200 200 Ferroxcube 3C8 Ferroxcube 3C85 Ferroxcube 3F3 Magnetics R Magnetics P TDK H7C1 TDK H7C4 Siements N27 Siemens N47 — 700 600 650 850 1400 800 960 — — 500 360 450 567 900 500 — — — 350 250 280 340 500 300 — — 700 300 180 200 227 400 200 480 480 400 180 85 100 136 200 100 — — 190 75 40 45 68 100 45 — — 500 500 500 500 500 500 Ferroxcube 3C85 Ferroxcube 3F3 Magnetics R Magnetics P TDK H7F TDK H7C4 — — — — — — — 1800 2200 4500 — 2800 — 1200 1300 3200 — 1800 1800 900 1100 1800 — 1200 950 500 700 1100 — 980 500 280 400 570 100 320 1000 1000 1000 1000 Ferroxcube 3C85 Ferroxcube 3F3 Magnetics R Magnetics P — — — — — — — — — — — — — 3500 5000 — — 2500 3000 — 2000 1200 1500 6200 54 PDF 文件使用 "pdfFactory" 试用版本创建 www.fineprint.cn