[教学]8寸单晶硅片规格

[教学]8寸单晶硅片规格 8? 单晶硅片技术规格 156×156Mono-crystalline Silicon Wafer Specification 晶体生长方式 CZ 类型 Crystal Growth Method Type 型 号 P Conductance Type 电阻率 (Ω?cm) 1.0,3.0 Resistivity 3氧含量 (atoms/cm) 18 ?0.9 × 10 Oxygen 3碳含量 (atoms/cm) 16 ?5.0 × 10 Carbon 性能 capability 少子寿命 (μs) ?10 surface passivation 单晶晶向 <100>? 2.5? Pulled Ingot Orientation 3位错密度 ( / cm) ?1000 Dislocation density 硅片外形 (mm) 156×156 ?0.4 Dimensions Tolerance 硅片直径 (mm) 200?0.4 Wafer Diameter 硅片中心厚度(μm) 200?20 Center Thickness 外形 总厚度变化-TTV(μm) ?40 externality Total Thickness Variation 硅片相邻边垂直度(?) 90?0.3 perpendicularity 硅片边长极差(mm) ?1.5 Length difference 硅片弯曲度 (μm) ?30 BOW 线痕(μm) ?30 Sawmark 边缘缺陷: Edge defect quantity 深度?0.8 mm， Edge defect width ? 0.8mm 外观 ?2 长度?0.5mm Edge defect extensionappearance ?0.5mm 间隔?30mm Distance ?30mm 面污点/斑点 None Dirt 表面穿孔/裂纹 None Hole/Crack 目视翘曲 None Obvious tactility