科 技 博 览
夏红钗 施晓钟
浙江省嵊州市中等职业技术学校
浙江,嵊州 312400议晶体三极管的工作状态
[摘 要]用结偏置的判定法、电流关系判定法和电位判定法三种
来判定晶体三极管的工作状
态,以及三极管的放大工作状态的应用、饱和与截止工作状态的应用电路。
[关键词]工作状态 发射结 集电结 放大 截止 饱和 反相器
第四阶段 中升温阶段
低温保温时间达到后,进入中升温阶段,此时关闭冷却水阀门,将
辅剂加入反应釜中,进入自然升温,当时间到达 H6后,加入第二种辅
剂,记录此时的釜温 Th6,此时需要对反应釜进行补温,需要在 H7时
间内将釜温由Th6线性升到T8。
本
仍然采用釜温外环、夹套内环的串级控制,此时的执行机
构为蒸汽阀门,温度设定值的目标函数为:Ty5=k5Hx5+Th6,其中 k5=
(T8-Th6)/H7。该阶段中反应釜升温缓慢,夹套温度基本上要求高于釜
温2℃~3℃,夹套温度升的过快或过慢,都不利于釜温的线性升温,此
阶段参考 PID为:内环 P=7~10,I=30~40mins,D=15~25secs;外环
P=20~40,I=10~20mins,D=0secs。
第五阶段 高温保温阶段
中升温阶段温度达到后,进入高温保温阶段,此时关闭蒸汽阀和
冷却水阀,釜内的聚合反应已经基本上结束,整个保温阶段釜温基本
保持不变,只需在检测到釜温超高到危险值时间歇开启大冷却水阀,
保持釜温稳定。
第六阶段 大冷却阶段
高温保温阶段时间达到后,进入大冷却阶段,与低温加热阶段一
样,为了缩短降温时间以缩短聚合周期,增加产量,希望冷却速度越快
越好,因而在该阶段实行位式控制,全开大冷却水阀,使温度尽快下
降。釜温冷却到达到出料温度,一个温控周期结束。
三、总结与展望
本方案在某工厂EPS项目中实施应用,控制效果较好、自动投运
率较高。通过专家经验控制方案的实施,缩短了升温到恒温的时间,使
低温升温到大冷却的整个过程,由原来的 16小时以上缩短为 14~15
个小时,提高了生产效率。
虽然本方案取得了一些成果,但由于时间的限制,许多工作还来
不及展开,还有很多细节有潜力可以挖掘,包括对中温保温阶段的温
度控制精度、配方管理、区段变PID控制等,可以作进一步的研究。
参考资料
翁维勤、孙洪程等《过程控制系统及工程》化学工业出版社 2001
王常力 廖道文《集散控制系统设计与应用》清华大学出版社 1993
田华 蒋慰孙 《间歇反应罐的智能控制系统结构探讨》化工自动化及仪
1992.2
晶体三极管是电子线路中的一个重要元器件,按半导体材料类型
分类,有NPN型和PNP型;可以用锗材料制造,也可以用硅材料制造。
三极管的工作状态是正确地运用三极管的前提和基础。本文针对三极
管工作状态的判断方法及在不同工作状态下三极管的应用作一个阐
述。
三极管根据发射结和集电结偏置状态的不同,其工作状态可分为
截止、放大和饱和三种。怎样判定三极管处于何种工作状态可用下述
三种方法。
一、三极管结偏置的判定法
三极管发射结、集电结的偏置和管子工作状态的关系示于表一。
二、三极管电流关系判定法
三极管的 电流和工作状态间的关系如表二所示。其中的参量IBS
称为三极管临界饱和时基极应注入的电流,IBS大小为
IBS=(VCC-VCES)/βRC
通常对硅管而言,临界饱和时三极管集电极、发射极间的饱和压
降VCES=0.7V,深饱和时的VCES≈0.1~0.3V。当基极偏置电流 IB*≥IBS
时,三极管V饱和,而当0
题计算。
例1.NPN型三极管接成图例1所示的三种电路,试分析电路中三
极管处于何种工作状态。设V的VBE=0.7V。
解:
根据以上介绍的判定三极管工作状态的第二种方法,通过比较基
极电流IB和IBS的大小来判定图1中的三极管V的状态。
图1(a)
基极偏置电流IB为
IB=(VCC-VBE)/RB=(5-0.7)/100=0.043mA=43uA
临界饱和时的基极偏置电流IBS为
IBS=(VCC-VCES)/βRC=(5-0.7)/40×2=0.54mA=54uA
由于IB