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什么是MB、GB、TS、AS芯片
一(MB芯片定义与特点
定义:MB 芯片:Metal Bonding (金属粘着)芯片,该芯片属于UEC 的专利产品。 特点:
1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
ThermalConductivity
GaAs:46W/m-K
GaP:77W/m-K
Si:125,150W/m-K
Cupper:300~400W/m-k
SiC:490W/m-K
2:通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬...
什么是mb、gb、ts、as芯片[精彩]
什么是MB、GB、TS、AS芯片
一(MB芯片定义与特点
定义:MB 芯片:Metal Bonding (金属粘着)芯片,该芯片属于UEC 的专利产品。 特点:
1: 采用高散热系数的材料---Si 作为衬底、散热容易。
ThermalConductivity
GaAs:46W/m-K
GaP:77W/m-K
Si:125,150W/m-K
Cupper:300~400W/m-k
SiC:490W/m-K
2:通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。 3: 导电的Si 衬底取代GaAs 衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍),更适应于高驱动电流领域。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5: 尺寸可加大、应用于High power 领域、eg : 42mil MB 二、定义:GB 芯片:Glue Bonding (粘着结合)芯片,该芯片属于UEC 的专利产品 特点:
1:透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底、其出光功率是传统AS (Absorbable structure)
芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
2:芯片四面发光、具有出色的Pattern
3:亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)
4:双电极结构、其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片
三、TS芯片定义和特点
定义:TS 芯片: transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP 的专利产品。 特点:
1.芯片
制作复杂、远高于AS LED
2. 信赖性卓越
3.透明的GaP衬底、不吸收光、亮度高
4.应用广泛
四、AS芯片定义和特点
定义:AS 芯片:Absorbable structure (吸收衬底)芯片,经过近四十年的发展努力、{词语被屏蔽}LED光电业界对于该类型芯片的研发)生产)销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大.
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与业界还有一定的差距、在这里我们所谈的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等 特点:
1. 四元芯片、采用 MOVPE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮
2. 信赖性优良
3. 应用广泛
发光二极管芯片材料磊晶种类
1、LPE:LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP
2、VPE:VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs
3、MOVPE:MetalOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP、GaN
4、SH:GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5、DH:GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure,(双异型结构)GaAlAs/GaAs
6、DDH:GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure,(双异型结构)GaAlAs/GaAlAs
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