太阳能标准测试条件AM1.5、1000W m2、25℃解释

太阳能标准测试条件AM1.5、1000W/m2、25℃解释 1、标准测试条件AM1.5、1000W/m2、解释？ AM1.5、1000W/m2、是IEC61646--地面用薄膜型光伏组件和定型 (GB/T18911-2002)的测试标准。也是GB/T11011-1989--非晶硅太阳电池电性能 测试的一般规定的测试标准。 AM的意思是air-mass（大气质量）， 定义是： Path-lengththroughtheatmosphererelativetoverticalthicknessof theatmosphere，就是光线通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度。AM1.5就 是光线通过大气的实际距离为大气垂直厚度的1.5倍。 1000W/m2是标准测试太阳电池的光线的辐照度。 25?C就是在25?C的温度下工作。太阳电池效率会随温度升高有一定下降，它在 使用时温度会升高，再由温度系数就可以得出他工作时的电压电流和输出功率。 2、为什么会有光致衰减（S-W效应）? 光致衰减也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，在其 内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为Staebler-Wronski效应 （D.L.Staebler和C.R.Wronski最早发现的）。 对S-W效应的起因，至今仍有不少争议，造成衰退的微观机制也尚无定论， 成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为，S-W效应起因于光 照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级)，这种缺陷态会影响a-Si∶H 薄膜材料的费米能级Ef的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面 引起光学性能的变化，另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电 子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降。 http://hi.baidu.com/photovoltaic 在a-Si∶H薄膜材料中，能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si 键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序，使得 一些Si-Si键的键长和键角发生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si 键的化学势与H相当，可以被外界能量打断，形成Si-H键或重新组成更强的 Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构，则a-Si∶H薄膜的悬挂键密度增 加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-Si∶H薄膜中的悬挂键，以期 寻找稳定化处理方法和工艺，20多年来，国内外科学工作者进行了不懈的努力， 提出了大量的物理模型，主要有弱键断裂(SJT)模型、?H玻璃?模型、H碰撞模 型、Si-H-Si桥键形成模型、?defectpool?模型等，但至今仍没有形成统一 的观点。 3、晶体硅太阳电池使用寿命、衰减趋势、衰减率？ 常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺20或25年（一般组件出厂有质保，保 证什么时候衰减到多少），晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入杂质，对 电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、铁等杂质形成复合中心，从而使硅 片的少子寿命降低，引起电池转换效率下降，发生较大幅度的光致衰减。另外还 与封装材料的退化有关。 衰减趋势应该和非晶硅类似，初期衰减大，以后衰减慢。