固体例4、设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近的能量Ec(k)和价带的极大值附近的能量Ev(k)分别为式中试求(1)价带顶电子跃迁至导带底时准动量的变化;(2)禁带宽度(3)价带顶和导带底电子的有效质量(4)对晶体施加一外电场求出导带底电子及价带顶空穴的加速度(5)求出外电场下空穴由价带顶漂移自kI处所需时间...
例4、设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近的能量Ec(k)和价带的极大值附近的能量Ev(k)分别为式中试求(1)价带顶电子跃迁至导带底时准动量的变化;(2)禁带宽度(3)价带顶和导带底电子的有效质量(4)对晶体施加一外电场求出导带底电子及价带顶空穴的加速度(5)求出外电场下空穴由价带顶漂移自kI处所需时间
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