具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存储器
具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存
储器 TexasInstruments 电话:800—8208682
矗fto:llwww.ti.COITI 低电压高精度运算放大器
0PAx320系列的首款产品双通道
OPA2320提供20MHz增益带宽与0.2pA 输入偏置电流(Ib),可为高阻抗光学及 化学传感器前端,可编程逻辑控制器, 电机控制环路以及测量测试设备实现极 高的精度及动态范围.
性能特点:提供0.9pA最大输入偏 置电流,可支持高阻抗传感器信号调 节;可实现支持零交叉失真的高精度, 支持150V最大偏置电压,114dB高 共模抑制比以及轨至轨输人/输出, 从而可驱动AD$8319,AD$8327以及 ADS7279等低功耗逐次逼近(SAR)模数 转换器(ADC),速率可达1MSPS;将 10kHz下7nV/sqrHz的低噪声与单位通 道1.45mA低静态电流下的20MHz高增 益带宽进行完美结合,可用作自动测试 设备中的有源滤波器.
TexesInstruments 电话:8008208682
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应用于国防领域的高可靠性模拟 复用器
DG408是8通道单端模拟复用器高 可靠性,扩充其按照MIIPRF38535 64令8毒手+20钊霉4是
规范进行筛选的模拟开关和复用器系 列.高可靠性DG408与此前发布的 DG409~是按照新规范生产的产品.新 的DG408为高速数据采集,音频信号路 由,以及电池供电的远程仪
进行了优 化,可按照3位二级制地址,将8路输入 中的一路接到一个公用的输出上. 器件的最高供电等级为44V,导
通电阻为100,,电荷注入低至20pC. DG408的使能引脚使多个器件可以一起
增加应用中输入信号的数量. 使用,
VishayIntertechnoIogy Email:businessasia@vishay.
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白://www.vishay.com 具有更宽工作电压范围的串并口 F-RAM存储器
w系列F—RAM存储器带有串口 12C
,SPI接15和并行接口,能够提供
2.7,5.5V的更宽电压范围.此外, w系列具有更高的性能,如有功电流 (activecurrent)需求降低了25%, 50%,串口器件的首次存取启动(上
电初始化)速度加快20倍.该系列中 FM24W256~NFM25W256器件分别带 有256Kb串口12C与和SPI接L1.64Kb
FM16W08~H256KbFM18W08器件则 带有一个并行通信接口.
该系列产品基于先进的高可靠性铁 电工艺,具有无延迟(NODelay)写入, 几乎无限的读/写次数以及38年数据保 存期等特性.这些新推器件采用业界
"绿色"封装,其中串口器件采 用8脚sOIC封装,并口器件采用28引脚 SOIC封装.w系列非常适合需要频繁 或快速写入数据或实现低功耗工作的非 易失性存储器应用,应用范围从高频数 据采集直到要求严苛的工业控制应用. Ramtron
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密度高达2Gb的Nor闪存
SpansionGLS系列针对快速数据 访问,提升互动性和启动性能而开发, 使得电子设备在按键后几乎能够立即启 动,提供极快的交互用户体验.这次扩 大的GLS系列密度范围包括l28Mb, 2Gb.
2GbGL—S产品是目前业内首款单 芯片2GbNOR闪存产品.GLS的编 程速度相较传统GL产品提高了2倍,此 外,根据第三方评定标准,GL—S产品 的速度比同类产品提升了30%.新产品
具备的更快编程速度同时可以提升用户
生产线的吞吐量,大幅降低成本.