DDR2布线指导

nullnullDDR2布线指导 null 在现代高速数字电路的设计过程中，工程师总是不可避免的会与DDR或者DDR2打交道。DDR2的工作频率很高，因此，DDR的Layout也就成为了一个十分关键的问题，很多时候，DDR2的布线直接影响着信号完整性。下面本文针对DDR2的Layout 问题进行讨论。 null1、DDR2的信号及分组以上数据取自于Zentel的A3R1GE4CFFnull1、DDR2的信号及分组null2、印制电路板叠层null2、印制电路板叠层4层板叠层示意图null2、印制电路板叠层null3、端接技术为满足信号完整性要求，信号线往往需要进行端接处理，端接方式分为以下三种null3、端接技术SSTL_18电平端接示意图null3、端接技术差分端接示意图null4、布线顺序null导线长度要求5、导线宽度和间距null导线间距要求5、导线宽度和间距nullVREF及VTT布线要求5、导线宽度和间距null6、导线宽度与可承载的电流 目前由于成本的原因，PCB 面积越来越小化，这给工程师带来很大的挑战，除了考虑电路精简、合理布局、改变元件封装等外，也要考虑走线的宽度， 主板上有多组电源，占用不少的面积，如何使电源的走线占用更少面积呢就成为我们一个关注的问题。 null6、导线宽度与可承载的电流null6、导线宽度与可承载的电流 通流能力的计算公式如下： 式中,Imax——最大通流，单位为安培 K——降额参数，一般取0.024 T——通流路径上的最大容许的温度，单位是度 A——路径的横截面积，单位是平方米尔(mil2)null6、导线宽度与可承载的电流导线宽度100mil,厚度1oz，容许温升5度，它能通过的电流为多大？ 根据上面的公式，K=0.024，T=5， A=100mil*1.4mil=144mil2 因此I=0.024*2.03*36.71=1.78A 需要注意的是： 1.公式只能用于参考，必须充分降额使用 2.谨慎地对各项参数取值，尤其是容许温升的值。null6、导线宽度与可承载的电流铜皮厚度,走线宽度和电流的关系null6、导线宽度与可承载的电流 对于过孔来说，也可以用此公式来计算通过电流的能力，需要注意的是其中过孔面积的计算。null7、VTT电源芯片的选择当负载较大的时候，DDR2拓扑结构中必须加入并联终结电阻及VTT电源，这就涉及到VTT电源芯片的选择。我们将从功耗的角度来考虑VTT电源芯片的选取。null7、VTT电源芯片的选择假设Rs=20ohm,Rt=25ohm,DDR2源端内串联电阻为10ohm,则 DDR2输出高电平时，VTT吸收电流为： (VDDQ-VTT)/(Rs+Rt+Rin)=(1.8-0.9)/(25+20+10)=16.4mA DDR2输出低电平时，VTT驱动电流为： VTT/(RS+Rt+Rin)=0.9/(25+20+10)=16.4mAnull7、VTT电源芯片的选择对于DDR2来讲，因为有ODT功能，数据线无需VTT，只有地址线及控制线需要终结于VTT。对于DDR2来讲，举例来讲，BA信号3根，ADDR信号14根，CAS、RAS、WE三根，及ODT、CS、CKE三根，总共23根。需要总电流为16.4*23=377.2mA谢谢谢谢