RAM大全

ＲＡＭ ＲＡＭ 　　CPU使用RAM當作資料儲存區，計算結果和程式指令都放在這兒，如果程式執行需要時，也可以取用儲存區。為了儲存資料和從儲存區讀取資料，CPU會為所需資訊定義記憶體的位址。CPU 透過位址匯流排將位址送到 RAM，然後資料匯流排就會把對應的正確資料送往 CPU。這個匯流排指的是兩種設備之間的連接通道，供它們作通訊之用。量測 RAM效能最重要的指標是讀取時間，從CPU發出指令給RAM，要求取用特定位址的特定資料，記憶體回應後送資料給CPU，到CPU確實收到資料為止，這個程序所花的時間便是讀取時間。目前的 RAM晶片讀取時間，大多是60 ns，這意謂著完成上述程序所需的時間是60奈秒（或稱毫微秒，十億分之一秒），這比起幾年前100或120 ns的晶片可要快得多了，但是和理想的零讀取時間那又差得遠，如果CPU能自己儲存資料就可以達到此一境界。為了加速這一程序，CPU會連往「快取記憶體」，它的讀取時間低於20 ns，遠較系統主記憶體為快，不過系統裏並沒有裝太多的快取（因為它很貴），因此只有被選定的資料，那些CPU下一次可能會處理的資料，才能在其中佔有一席之地，至於選定的工作則由快取控制器來處理。 各種不同的RAM ■RAM（隨機存取記憶體） 這個字眼是所有可進行非線性模式讀寫動作的記憶體名詞總匯。不過，它通常指的特別是那些以晶片為主的記憶體，因為所有晶片型記憶體都可以作隨機存取。它和ROM並不是天平的兩端，電腦照樣可以從ROM讀取資料，但電腦可以對RAM作讀取和寫入的動作。 ■SIMM（Single In-line Memory Module，單線記憶模組）、DIMM（Dual In-line Memory Module，雙線記憶模組） SIMM和DIMM指得並不是記憶體的型式，而是RAM包裝的模組（電路板再加上晶片）。SIMM是這兩者中較老的一種，提供的是32位元資料通路，因為Pentium的設計可以處理更寬的資料流量，所以在Pentium的主機板上，SIMM必須成對出現（如果是在486或較慢的主機板上，就可以單獨存在）。DIMM出現的比較晚，採用64位元通路，所以更適合用在Pentium或更新的處理器。以買方的眼光來看，好消息是一片DIMM就可以處理兩片SIMM的工作，當然在Pentium主機板上就可以單獨存在。以長遠來看，DIMM是比較合乎經濟效益的，因為你隨時可以再加一條上去。 ■DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取記憶體） DRAM是今日電腦標準的系統主記憶體，當你告訴別人，自己的電腦是32MB RAM時，指的就是它。在DRAM裏，資訊是存放在電容器裏的一系列電荷。在幾微秒內，它就可以充電完畢，但是電容器會漏電，所以需要不斷地充電以維持電位。就是因為要不斷充電，所以它才叫作「動態」。 ■FPM RAM（Fast Page-Mode，快速頁模式RAM） 在EDO RAM出現之前，所有在PC裏的主記憶體都是快速頁模式的變型。為何取這個名字已不可考，反正也就只有這麼一種類型。隨著技術日漸成熟，FPM RAM的讀取時間從120奈秒掉到目前最常見的60奈秒。只不過Pentium處理器所允許的匯流排速度是66 MHz，FPM RAM還是追不上這樣的速度，60-ns的RAM模組是以低於30MHz的速度進行隨機頁讀取（所謂的「頁」指的是某一區的位址空間），這比匯流排的速度要慢，所以DRAM製造商便出現了所謂「RAM Cache」的概念。 ■EDO RAM（Extended-data-out RAM，延伸資料輸出RAM） 不必理會那些誇大的宣傳，其實EDORAM也不過是另一種形式的FPM RAM，簡要地說，在CPU在讀取某一位址的資料時，有相當大的機會在下一次動作時，會動用附近位址的資料。因此EDORAM利用這種特性，每次的記憶體讀取，它並不會強迫都來次重新充電，EDO RAM會記著前一次讀取動作的位址，取用附近位址資料時便可以加速進行。EDO RAM可加速記憶讀取周期，在記憶體效能改進可達百分之四十。但是EDO RAM最多只能跟上66MHz的效率，很快地，最新一代的CPU，如AMD、Cyrix和Intel的處理器，就把它給拋在後面了。 ■BEDO RAM（Burst EDO RAM，連發式EDO RAM） 由於讀取DRAM的速度要求愈來愈快，自然也就有相應的技術不斷開發出來。這類技術中有一種叫做連發（Bursting），這種作法就像是射擊裏的連發一樣，大區塊的資料以連續的分式，分成一小段一小段地送到CPU作處理。這代表DRAM裏面，連續發射出來的不只是第一頁裏的詳細位址，還包括後面幾頁的。BEDO RAM在一陣連發中最多可處理四個資料片段，這樣一來，後面三段資料就可以避開如第一段資料送出前的延遲，因為它們早就在那兒待命了。DRAM在收到第一個位址後，其它三個可以用10奈秒的間隔處理，只不過，BEDO RAM實際上雖有速度的增進，但那 66MHz的障礙依舊是難以跨越的鴻溝。BEDO RAM之所以能存活，完全拜 SDRAM製造商並不打算把價錢降到可和 EDO RAM競爭的價位，結果投入改進 EDO技術的資源不斷湧進，於是才出現這個「連發」的技術，以便和 SDRAM在速度上一拼高下，這就是BEDO RAM的由來。 ■SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步動態隨機存取記憶體） 目前已有大量的資源轉投入SDRAM 的發展，並且已經出現在PC的廣告宣傳上，而它之所以會備受矚目，有兩個因素：第一、SDRAM可以處理高達100MHz的匯流排速度，而很快我們就會看到這樣的機器出現。第二、SDRAM是和系統時脈同步，這種精巧的技術即便是現在，也仍舊讓工程師十分困惑。SDRAM的技術可以讓兩頁的記憶體同時開啟，而目前SDRAM還發展出一種新的標準，這是Santa Clara大學（位在加州）的SCSzzLAssociation和許多工業領先廠商一起發展出來的，稱作SLDRAM。這種技術使用較高的匯流排速度，在處理送給DRAM的指令、位址請求和時序時，則採用封包（Packets，一小塊資料）技術。結果是它不需靠DRAM晶片設計技術改善來增進效率，更棒的是它乃是成本低但效能高的記憶體，請密切注意未來SLDRAM的出現。 ■SRAM（Static RAM，靜態隨機記憶體） SRAM和DRAM的差異在於，DRAM得隨時充電，而SRAM儲存記憶不必作自動充電的動作，會出現充電動作的唯一時刻是有寫入動作時。如果沒有寫入的指令，在SRAM裏不會有任何東西被更動，這也是它為什麼被稱為靜態的原因。SRAM的優點是它比DRAM快得多，和BFDO的50ns相較，它甚至可以達到12ns。缺點則是它比DRAM貴許多，在PC裏最常用到SRAM的地方就是第二層快取（L2 Cache）。 ■L2 Cache 預測那些資料是下次動作所需，並且將其準備好，好加速執行的速度，這可算是一種快取的藝術。當CPU作出資料請求，資料可在下列四個地方之一找到：L1 Cache（第一層快取）、L2Cache、主記憶體和實體儲存系統（像硬碟）。L1快取位在CPU內，比起其他三者要小得多，L2快取則是另一個獨立的記憶區，採用SRAM。主記憶體大得多，並且由DRAM組成，至於實體儲存系統就更大了，但是速度自然要慢得很多。資料搜尋會先從L1快取開始，然後再到L2快取、DRAM，最後才是實體儲存系統。每下一層，速度就慢了一些，L2快取的功能處在DRAM和CPU之間，讀取速度比DRAM來得快，但得靠複雜的預測技術才能發揮功效。一般所稱的「快取命中」（Cache Hit）指的是，在L2裏找到資料，而非L1。快取系統的目的，就在於把記憶體讀取的速度，盡可能提昇到CPU的水準。 ■Async SRAM（Asynchronous SRAM，非同步SRAM） 從386時代起，Async SRAM就已經和我們共存了，時到今日，仍有很多PC裏的L2快取可以看見它們的身影。被稱為非同步，是因為它並不是和系統時脈同步，然後CPU就得等著L2快取回應資料請求。和DRAM比，這種等待並不算長，但還是得等。Sync SRAM（Syncronous Burst SRAM，同步連發SRAM），Sync SRAM會和系統時脈同步，所以比起廣泛使用在L2快取上的非同步SRAM要快，速度大約是8.5ns。不幸的是，Sync SRAM的生產量並沒有大到足以降低成本的地步，因此它似乎註定是個短命的傢伙，尤其匯流排速度高於66MHz時，它就沒辦法維持同步的能力，所以在新一代的機器裏，就有待另一種記憶體來填補空隙。 ■PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線化連發SRAM） 利用連發技術，SRAM的記憶體請求可以加以「管線化」，或者用「收集」的，因此在某一連發裏的請求，可以在一瞬間就被執行完畢。由於PBSRAM使用了管線化技術，所以儘管稍微落後在系統的同步速度，效能還是比Sync SRAM來得高些，主因在於它設計的運作速度，可以配合75MHz或更高的匯流排速度。可預見PB SRAM將會在Pentium II以後的系統裏，扮演重要的角色。 ■VRAM（Video RAM，視訊RAM） VRAM的目標正是瞄準了視訊的效能，主要是在影像加速卡或整合顯示技術的主機板裏，才可以看到它的出現。VRAM用來儲存圖形顯示裏的像素值，板上的控制器會持續地從這記憶體裏讀取資料來更新顯示資料。它設計的目的除了提供比標準影像卡更快的視訊效能，還得降低對CPU的需求，VRAM是雙埠的記憶體，也就是單位記憶區會有兩個存取埠，一個是用來不斷地更新顯示內容，另一個則是用來改變將會顯示的資料。雙埠也意味著頻寬加倍，和較快的視訊效能，像DRAM和SRAM都只有單埠存取。 ■WRAM（Windows RAM，視窗RAM） 和VRAM一樣，WRAM也是雙埠的RAM，而且專門用在提升圖形顯示效能。在操作上，WRAM和VRAM類似，不過整個使用頻寬還要更高（大約高出百分之二十五），除了好幾個應用程式發展人員可資利用的好幾種圖形顯示功能，這裏面包括了比VRAM緩衝區快上好幾倍的雙緩衝區資料系統，於是在螢幕更新速率便有相當高的表現。 ■SGRAM（Synchronous Graphic RAM，同步圖形RAM） SGRAM不同於VRAM和WRAM，但卻都是用於影像加速卡。SGRAM是單埠型的RAM，它的加速是採用了雙欄位功能，也就兩頁記憶體區可以同時開啟，因此和雙埠的作法有些類似。在3D影像技術上，SG-RAM証實是個頗有分量的競賽者，因為區塊寫入功能可以加速螢幕填入速度，同時記憶清除速度也會加快。三度空間的影像需要快速的記憶體清除，每秒大約要有30到40次。  ＲＯＭ ROM 唯讀記憶體 ROM的全名是Read Only Memory，中文稱作「唯讀記憶體」，是電腦最基本的儲存零件，即使在關掉電源後，儲存在內的資料也不會流失，是相當方便的小容量儲存元件。 ROM的介紹 唯讀記憶體ROM的設計電路上只能作讀取的功能，通常被用來長期的保存一些重要的程式，如電腦的BIOS（Basic Input Output System）、參數碼等。 ROM內包含必要的系統程式，如果ROM是空白的，開啟電源後電腦就不會有任何動作。因此ROM內必須要有啟動的指令（Startup Instructions），這通常是由基本輸出輸入系統（BIOS）執行，規劃出包括電源開/關自我測試及記憶體測試程式、鍵盤處理程式、開放式擴充I/O程式及偵測、將BIOS部份內容Copy到RAM（Ran-Dom Access Memory）內等動作，由此可知ROM的重要性。 ROM的種類 ROM根據製造及寫入資料方法的不同可分為：Factory Mask ROM（光罩式唯讀記憶體）、PROM/OTP（Programmable ROM，可程式唯讀記憶體）、EPROM（Erasable PROM，可擦拭唯讀記憶體）、EEPROM（Electrical Erase PROM，電氣擦拭唯讀記憶體）、Flash Memory（快閃記憶體）。 Factory Mask ROM（光罩式唯讀記憶體）是指在製造時，先將資料製作成光罩（Mask），再由此大量製造ROM，所以當出廠時已有不可更改的資料在ROM的IC裡面。 PROM（可程式唯讀記憶體）是由Mask ROM改良而成，因Mask ROM無法更改內部資料，所以改進內部IC設計後，使用者可利用專用燒錄器（Witter）將資料寫入ROM中，這就成了PROM，但只能更改一次。 因PROM只能更改一次，並不實用，因此發展出EPROM，可將內部資料洗掉，使用的方式是將其放在紫外線下照射15~20分鐘即可，再用燒錄器燒入，可重覆使用100次左右。 EEPROM（電氣擦拭唯讀記憶體）就更方便了，因EPROM（可擦拭唯讀記憶體）雖可重複使用，不過必須將其從電路板上拆下，再放到紫外線燈管下，而且又只能重複寫100次，所以為了讓ROM使用更方便，製造商又推出可用電器信號洗去內部資料的EEPROM，使ROM像RAM一樣可直接接受CPU的清除命令和寫入命令，但是和ROM和RAM不同，它在寫入EEPROM前必須先清除內部原有資料，而RAM可直接寫入，而且EEPROM可重複寫入10萬次，但單價太高。 Flash Memory（快閃記憶體）和EEPROM類似，但有著EPROM的低成本和EEPROM易修改的特性。 應用領域 ROM根據不同的類別會應用在不同的領域，但多半是電腦通訊領域，如EEPROM多用在FAX（傳真機）、影印機、數據機、電腦主機板，而Flash Memory則是手機、筆記型電腦的PCMCIA介面之記憶體、PDA等，所以隨著通訊科技愈發達，ROM的地位將更加重要。 Flash ROM？Flash RAM？ 除了Flash ROM之外，或許你也曾聽過Flash RAM這個名詞，這不禁讓人困惑，到底應該稱呼Flash ROM或Flash RAM？ 其實兩種名稱都沒錯，也都普遍使用。 因為早期認為RAM和ROM的差別在於： □ROM的資料在寫入後就不能更改，但即使關機後仍然存在。 □RAM的資料可以不斷更新，但關機後便消失無蹤。 可是Flash Memory（中譯為快閃記憶體）不但能夠隨時修改內容，而且在關機後仍維持不變，換言之，兼具ROM與RAM兩者的優點於一身，ROM與RAM的界線已經不像以前那麼清楚了，所以說它是Flash ROM沒錯，是Flash RAM也對，有人乾脆就統稱為Flash Memory，這樣或許比較沒有爭議性。不過在大多數廠商的主機板文件內仍使用Flash ROM。 各主機板規格列表 廠商 建碁 AOpen 華碩 Asus 友通 DFI 技嘉 Gigabyte 廠商網站 www.aopen.com.tw www.asus.com.tw www.dfi.com www.gigabyte.com.tw 主機板型號 AX4R Plus P4G8X NB80-EA GA-8INXP 晶片組部份 CPU插槽 Socket mPGA478 Socket mPGA478 Socket mPGA478 Socket mPGA478 實測時脈 （CPU/外頻） 3081.54 / 133.98 3067.15 / 133.35 3059.42 / 133.02 3059.42 / 133.02 北橋晶片 i7205 i7205 i7205 i7205 南橋晶片 i82801DB（ICH4） i82801DB（ICH4） i82801DB（ICH4） i82801DB（ICH4） 北橋風扇 有 無 無 有 尺寸規格 ATX ATX ATX ATX 記憶體部份 最大記憶體量 4096 MB 4096 MB 4096 MB 4096 MB DIMM插槽數 4 x DDR 4 x DDR 4 x DDR 4 x DDR 支援記憶體 DDR-SDRAM（非緩衝型） DDR-SDRAM（非緩衝型） DDR-SDRAM（非緩衝型） DDR-SDRAM（非緩衝型） 記憶體時脈 雙通道DDR200、DDR266 雙通道DDR200、DDR266 雙通道DDR200、DDR266 雙通道DDR200、DDR266 支援ECC功能 是 是 是 是 標準功能部份 尺寸（長x寬） 305 x 244 mm 305 x 244 mm 305 x 244 mm PCI插槽數 6 x PCI 2.2（32 Bit） 5 x PCI 2.2（32 Bit） 5 x PCI 2.2（32 Bit） 5 x PCI 2.2（32 Bit） AGP插槽 3.0 / AGP 8x 3.0 / AGP 8x 3.0 / AGP 8x 3.0 / AGP 8x AGP插槽卡榫 有 無 有 無 ACR / AMR / CNR插槽 無/無/有 有/無/無 無/無/有 無/無/無 平行埠數 1 1 1 1 序列埠數 2 2 2 2 USB 2.0內部/外接埠數 2 / 4 2 / 4 0 / 4 4 / 2 風扇插座數 2 3 3 3 IDE控制器 2 x UltraATA/100 2 x UltraATA/100 2 x UltraATA/100 2 x UltraATA/100 額外功能部份 內建蜂鳴喇叭 有 有 有 無 WOL網路喚醒 有 有 有 有 WOM數據機喚醒 有 有 有 有 IrDA埠 有 有 有 有 機身侵入偵測 有 有 有 有 溫度監控 有 有 有 有 風扇監控 有 有 有 有 網路功能晶片 Realtek RTL8100BL Broadcom BCM5702 Realtek RTL8100BL Intel RC82540EM IDE RAID控制晶片 Silicon Image 3112AC Silicon Image 3112AC Promise PDC20265R Promise PDC20276、Silicon Image 3112AC 火線控制晶片 - TI DI278TT - - SCSI控制晶片 - - - - 音效系統部份 系統類型 AC97 AC97 AC97 AC97 廠商/晶片型號 Realtek ALC650 Realtek ALC650 Realtek ALC650 Realtek ALC650 環繞音效 6聲道 6聲道 6聲道 6聲道 外部接頭 Line-In、麥克風、Line-Out Line-In、麥克風、Line-Out Line-In、麥克風、Line-Out Line-In、麥克風、Line-Out 內部接頭 輔助輸入、CD音源 輔助輸入、CD音源 輔助輸入、CD音源 輔助輸入、CD音源 設定部份 CPU設定 BIOS BIOS BIOS BIOS 倍頻調整 自動 自動 自動 自動 外頻範圍/微調單位 66 - 255 / 1 100 - 400 / 1 133 - 200 / 1 133 - 355 / 1 電壓部份 Vcore範圍/微調單位 1.1 - 1.85 V / 0.025 V 1.55 - 1.975 / 0.025 V + 5%或 + 10% 1.575 - 1.775 / 0.025 V Vram範圍/微調單位 2.5 / 2.55 / 2.6 / 2.65 V 2.5 / 2.6 / 2.7 V - +0.1 / +0.2 / +0.3 V Vchipset範圍/微調單位 Vagp 1.5 / 1.55 / 1.6 / 1.65 V Vagp 1.5 / 1.6 / 1.7 V - Vagp +0.1 / +0.2 / +0.3 V 版本與BIOS資訊部份 BIOS廠商 Award/Phoenix Phoenix Award/Phoenix AMI BIOS版本 1.00e 1002 不明 F2 BIOS日期 2002年11月25日 2002年11月11日 2002年11月13日 2002年12月2日 可於Windows中更新BIOS 可 可 否 主機板版本 不明 1.02 不明 不明 可開機設備 IDE、軟碟、ZIP、網路、SCSI、LS120 軟碟、LS120、硬碟、SCSI、CDROM/DVD、ZIP、USB-ZIP、USB軟碟、USB-CDROM、USB硬碟、網路 軟碟、LS120、硬碟、SCSI、CDROM/DVD、ZIP、網路 軟碟、LS120、硬碟、SCSI、CDROM/DVD、ZIP、USB-ZIP、USB軟碟、USB-CDROM、USB硬碟、網路 手動中斷值指定 否 否 否 可 特殊功能 Dr.Voice偵錯功能、風扇轉速控制、Credits、OpenJukebox BIOS CD播放器 Speech Post Reporter偵錯功能、無風扇硬體偵測 SmartCard讀卡機 SmartCard/SD Card讀卡機 共用中斷資訊 ? ? ? ? 時脈產生器 CY283780C ICS-UJ260754 Realtek RTM360-408R CYP 620794 雜項資訊 佈線與配置 IDE位於PCI插槽前 - 類似型號 - - - 包裝與配件 說明手冊品質 良好 優秀 良好 優秀 說明手冊語言 英文 英文 英文 英文 快速安裝指南 有 有（多國語言版） 無 不明 內附排線 IDE-80 x 1、IDE-40 x 1、軟碟x 1、序列ATA x 1 IDE-80 x 1、IDE-40 x 1、軟碟x 1、序列ATA x 1 IDE-80 x 3、軟碟x 1、搖桿埠x 1 不明 轉接線 USB 數位音效、火線、搖桿/USB 外接序列ATA 隨附軟體 AOConfig、EzRestore/ProMagic、EzSkin、EzWInFlash、Norton Anti Virus 2002 WinCinema incl. WinDVD、WinRIP、WinCoder & WinProducer、PCProbe、PC Cillin 2002、Asus Screen Saver、E-Color 3Deep 其他備註 免進OS CD播放器、Dr.Voice偵錯功能（德、英、日、中文）、BIOS內風扇轉速控制 處理器未加風扇時BIOS硬體偵測會回報錯誤