电子元器件采购需求

附件：元器件采买需求以下表序需求数目技术指标产品名称及规格号BM3803FMGRH型SPARCV8辐照加固微办理器432位RISC办理器，指令集与SPARCV8兼容，5级流水构造，片上带有32KB指令Cache及16KB数据Cache、单双精度浮点办理单元，片上外设包含支持PROM、SRAM、SDRAM和I/O映照空间的储存器控制器，2个24位的准时器，1个看门狗，3个串行通讯接口，32个通用I/O接口，PCI总线接口符合PCI2.3规范。1a)抗总剂量：不小于1×103Gy（Si）；b)单粒子锁定（SEL）阈值：不小于75MeV·cm2/mg；c)单粒子错误率：GEO轨道优于8×10-5次/天·器件。三温测试合格B54ACS164245SARH型辐射加固多用途双向收发器18B54ACS164245SARH为性能提高的多用途双向收发器，为一种通用电路，具有双向异步通讯、信号缓冲、电平变换、冷备份电路保护（ColdSparing）、温备份电路保护（WarmSparing）及上电保护功能。5V总线到3.3V总线；5V总线到5V总线；3.3V总线到5V总线；3.3V总线到3.3V总线；冷备份：电路关断状态时，IO端等效为高阻抗；温备份：2电路单端电源上电时，IO端等效为高阻抗；上电保护采纳0.5umCMOS工艺总剂量：100Krad(Si)抗单粒子闩锁：LET≥75MeVcm2/mg高速低功耗施密特触发输入端，更好的电平噪声克制封装：引脚陶瓷扁平封装（CFP48）质量等级CASTB54AC08RHF型辐射加固四路2输入与门2B54AC08RH是一款辐射加固四路2输入与门，拥有驱动能力高、功耗低、高靠谱性等特色，与NSC、STM企业DIP、FP封装的54AC08产品兼容电源电压范围：+2.0V～6.0V3工作温度范围：-55℃～125℃输出驱动：24mA抗总剂量：≥100krad（Si）抗单粒子锁定LET：≥75MeV·cm2/mg抗单粒子翻转LET：≥75MeV·cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP14（B54AC08RHF）质量等级CASTB54AC138RHF型辐射加固3-8线译码器2B54AC138RH是一款辐射加固3-8线译码器，拥有驱动能力高、功耗低、高靠谱性等特色，与NSC、STM企业DIP、FP封装的54AC138产品兼容电源电压范围：+2.0V～6.0V工作温度范围：-55℃～125℃输出驱动：24mA4抗总剂量：≥100krad（Si）抗单粒子锁定LET：≥75MeV·cm2/mg抗单粒子翻转LET：≥75MeV·cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP16（B54AC138RHF）质量等级CASTB54AC14RHF型辐射加固六路施密特触发输入反相9B54AC14RH是一款辐射加固六路施密特触发输入反相器，拥有驱动能力高、器功耗低、高靠谱性等特色，与NSC、STM企业DIP、FP封装的54AC14产品兼容。电源电压范围：+2.0V～6.0V工作温度范围：-55℃～125℃5输出驱动：24mA抗总剂量：≥100krad（Si）抗单粒子锁定LET：≥75MeV·cm2/mg抗单粒子翻转LET：≥75MeV·cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP14（B54AC14RHF）质量等级CASTB54AC32RHF型辐射加固四路2输入或门1B54AC32RH是一款辐射加固四路2输入或门，拥有驱动能力高、功耗低、高靠谱性等特色，与NSC、STM企业DIP、FP封装的54AC32产品兼容电源电压范围：+2.0V～6.0V6工作温度范围：-55℃～125℃输出驱动：24mA抗总剂量：≥100krad（Si）抗单粒子锁定LET：≥75MeV·cm2/mg抗单粒子翻转LET：≥75MeV·cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP14（B54AC32RHF）质量等级CASTB54AC245RHF型辐射加固八位三态输出双向缓冲4B54AC245RH是一款辐射加固八位三态输出双向缓冲器，拥有驱动能力高、器功耗低、高靠谱性等特色，与NSC、STM企业DIP、FP封装的54AC245产品兼容。电源电压范围：+2.0V～6.0V工作温度范围：-55℃～125℃7输出驱动：24mA抗总剂量：≥100krad（Si）抗单粒子锁定LET：≥75MeV·cm2/mg抗单粒子翻转LET：≥75MeV·cm2/mgESD等级：2000V封装形式：FP20（B54AC245RHF）质量等级CASTB65170S6RH型辐射加固1553B总线远程终端控制4包含完好的主机与1553B总线接口逻辑、办理逻辑、储存器管理逻辑、中断办理逻辑、双通道收发器以及4K×16位的SRAM；器内部达成了1553B总线远程终端（RT）功能。抗闩锁能力≥200mA8抗静电能力≥2000V抗总剂量≥100krad（Si）抗单粒子锁定LET≥75MeVcm2/mg抗单粒子翻转LET≥37MeVcm2/mg三温测试合格B28F256LVRH型256kbit抗辐照PROM4抗辐射加固可编程异步只读储存器，储存容量为32kX8bit，兼容UT28F256LVQLE，需专用编程器进行编程90ns据读取时间（-55°C~125°C）输入输出接口CMOS电平，三态双向数据总线电源电压3.0V~3.6V9功耗：IOP@15.4MHz|max=50mAESD：≥2000V环境指标：抗电离总剂量：100kRad（Si）单粒子闩锁（SEL）LET阈值：不小于75MeV?cm2/mg单粒子功能错误（SEFI）LET阈值：不小于37MeV·cm2/mg三温测试合格B26LV31TERHF型辐射加固3.3V四路差分线驱动器7B26LV31TERH是一款辐射加固3.3V四通道差分线驱动器，接收3.3VCMOS数字信号，输出一对满足RS-422接口电平及时序要求的差分信号，用于驱动差分传输介质。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容TI企业DS26LV31WQML。兼容EIARS-422的输出兼容TI企业DS26LV31WQML3.3V工作电压兼容TTL输入10较低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad（Si）单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg封装形式FP16抗静电能力(HBM)≥2000V质量等级CASTB26LV32TERHF型辐射加固3.3V四路差分线接动器4B26LV32TERH是一款辐射加固3.3V四通道差分线接收器，接收RS-422差分电平信号，输出3.3VCMOS数字信号。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容TI企业DS26LV32AWQML。兼容EIARS-422的差分输入兼容TI企业DS26LV32AWQML3.3V工作电压11低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad（Si）单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg封装形式FP16抗静电能力(HBM)≥2000V质量等级CASTB26C31CERHF型辐射加固5V四路差分线驱动器2B26C31CERH是一款辐射加固5V四通道差分线驱动器，接收5VCMOS数字信号，输出一对满足RS-422接口电平及时序要求的差分信号，用于驱动差分传输介质。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容Intersil企业HS-26C31RH。兼容EIARS-422的输出兼容Intersil企业HS-26C31RH-Q5V工作电压12兼容CMOS输入较低的静态电流环境指标：抗电离总剂量：100KRad（Si）单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg封装形式FP16(B26C31CERHF)抗静电能力(HBM)≥2000V质量等级CASTB26C32CERHF型辐射加固5V四路差分线接收器2B26C32CERH是一款辐射加固5V四通道差分线接收器，接收RS-422差分电平信号，输出5VCMOS数字信号。接口电平满足TIA/EIA-422B协议规范。器件PIN口兼容Intersil企业HS-26C32RH。兼容EIARS-422的差分输入兼容Intersil企业HS-26C32RH-Q5V工作电压低的静态电流13环境指标：抗电离总剂量：100KRad（Si）单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg封装形式FP16(B26C32CERHF)抗静电能力(HBM)≥2000V质量等级CAST内容总结（1）高靠谱性等特色，与NSC、STM企业DIP、FP封装的54AC08产品兼容电源电压范围：+2.0V～6.0V3工作温度范围：-55℃～125℃输出驱动：24mA抗总剂量：≥100krad（Si）