半导体洁净车间管理制度

纯臻净化工程半导体洁净车间#管理#半导体洁净车间的环境与生产要求一、氧化（炉）（Oxidation）对硅半导体而言，只要在高于或等于1050℃的炉管中，通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dryz/gateoxide)或湿氧层(wet/fieldoxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中，最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一（他种半导体，如砷化镓GaAs，便无法用此法成长绝缘层，因为在550℃左右，砷化镓已解离释放出砷）硅氧化层耐得住850℃~1050℃的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述更高的温度成长；不过每生长出1微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44微米的厚度。以下是氧化制程的一些要点：（1）氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是较为重要之考量。（2）后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需之氧或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻碍也越大。一般而言，很少成长2微米以上之氧化层。（3）干氧层主要用于制作金氧半（MOS）晶体管的载子信道（channel）；而湿氧层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕（masking）。前者厚度远小于后者，1000~1500埃已然足够。（4）对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及时间下，{111}厚度≥{110}厚度＞{100}厚度。（5）导电性佳的硅晶氧化速率较快。（6）适度加入氯化氢（HCl）氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。（7）氧化层厚度的量测，可分破坏性与非破坏性两类。破坏性量测是在光阻定义阻绝下，泡入缓冲过的氢氟酸（BOE，BufferedOxideEtch，系HF与NH4F以1：6的比例混合而成的腐蚀剂）将显露出来的氧化层去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅量测仪，得到有无氧化层之高度差，即其厚度。（8）非破坏性的测厚法，以椭偏仪(ellipsometer)或是毫微仪（nano-spec）最为普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractiveindex；用以评估薄膜品质之好坏)及起始厚度b与跳阶厚度a(总厚度t=ma+b)，实际厚度(需确定m之整数值)，仍需与制程经验配合以判读之。后者则还必须事先知道折射率来反推厚度值。（9）不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，且有2000埃左右厚度即循环一次的特性。有经验者也可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。不过若超过1.5微米以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。纯臻净化工程二、扩散（炉）（diffusion）1、扩散搀杂半导体材料可搀杂n型或p型导电杂质来调变阻值，却不影响其机械物理性质的特点，是进一步创造出p-n接合面（p-njunction）、二极管（diode）、晶体管（transistor）、以至于集成电路（IC）世界之基础。而扩散是完成导电杂质搀染的初期重要制程。众所周知，扩散即大自然之输送现象(transportphenomena)；质量传输(masstransfer)、热传递(heattransfer)、与动量传输(momentumtransfer；即摩擦拖曳)皆是自然的三种已知现象。杂质扩散即属于质量传输之一种，唯需要在850摄氏度以上的高温环境下，效应才够明显。2、前扩散(pre-deposition)第一种定浓度边界条件的浓度解析解是所谓的互补误差函数，其对应之扩散步骤称为「前扩散」，即我们一般了解的扩散制程；当高温炉管升至工作温度后，把待扩散晶圆推入炉中，然后开始释放扩散源(p型扩散源通常是固体呈晶圆状的氮化硼芯片，n型则为液态POCl3之加热蒸气)进行扩散。其浓度剖面外形之特征是杂质集中在表面，表面浓度最高，并随深度迅速减低，或是说表面浓度梯度(gradient)值极高。3、后驱入(postdrive-in)第二种定搀杂量的边界条件，具有高斯分布(Gaussiandistribution)的浓度解析解。对应之扩散处理程序叫做「后驱入」，即一般的高温退火程序；基本上只维持炉管的驱入工作温度，扩散源却不再释放。或问曰：定搀杂量的起始边界条件自何而来？答案是「前扩散」制程结果；盖先前「前扩散」制作出之杂质浓度集中于表面，可近似一定搀杂量的边界条件也！至于为什么扩散要分成此二类步骤，当然不是为了投数学解析之所好，而是因应阻值调变之需求。原来「前扩散」的杂质植入剂量很快达到饱和，即使拉长「前扩散」的时间，也无法大幅增加杂质植入剂量，换言之，电性上之电阻率特性很快趋稳定；但「后驱入」使表面浓度及梯度减低(因杂质由表面往深处扩散)，却又营造出再一次「前扩散」来增加杂质植入剂量的机会。所以，借着多次反复的「前扩散」与「后驱入」，既能调变电性上之电阻率特性，又可改变杂质电阻之有效截面积，故依大家熟知之电阻公式；其中是电阻长度，可设计出所需导电区域之扩散程序。4、扩散之其它要点，简述如下：(1)扩散制程有批次制作、成本低廉的好处，但在扩散区域边缘，有侧向扩散的误差，故限制其在次微米(sub-micron)制程上之应用。(2)扩散之后的阻值量测，通常以四探针法（four-pointprobemethod）行之，示意参见图2-5。目前市面已有多种商用机台可供选购。(3)扩散所需之图形定义（pattern）及遮掩（masking），通常以氧化层（oxide）充之，以抵挡高温之环境。一微米厚之氧化层，已足敷一般扩散制程之所需。三、化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition；CVD)到目前为止，只谈到以高温炉管来进行二氧化硅层之成长。至于其它如多晶硅(poly-silicon)、氮化硅(silicon-nitride)、钨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？基本上仍是采用高温炉管，只是沿着不同的化学沉积过程，有着不同的工作温度、压力与反应气体，统称为「化学气相沉积」。纯臻净化工程即是化学反应，故免不了「质量传输」与「化学反应」两部份机制。由于化学反应随温度呈指数函数之变化，故当高温时，迅速完成化学反应。换言之，整体沉积速率卡在质量传输(diffusion-limited)；而此部份事实上随温度之变化，不像化学反应般敏感。所以对于化学气相沉积来说，如图2-11所示，提高制程温度，容易掌握沉积的速率或制程之重复性。然而高制程温度有几项缺点：1.高温制程环境所需电力成本较高。2.安排顺序较后面的制程温度若高于前者，可能破坏已沉积之材料。3.高温成长之薄膜，冷却至常温后，会产生因各基板与薄膜间热胀缩程度不同之残留应力(residualstress)。所以，低制程温度仍是化学气相沉积追求的目标之一，惟如此一来，在制程技术上面临之问题及难度也跟着提高。以下，按着化学气相沉积的研发历程，分别简介「常压化学气相沉积」、「低压化学气相沉积」、及「电浆辅助化学气相沉积」：1、常压化学气相沉积(AtmosphericPressureCVD；APCVD)最早研发的CVD系统，顾名思义是在一大气压环境下操作，设备外貌也与氧化炉管相类似。准备成长的材料化学蒸汽自炉管上游均匀流向硅晶，至于何以会沉积在硅晶表面，可简单地以边界层(boundarylayer)理论作定性说明：当具黏性的化学蒸汽水平吹拂过硅芯片时，硅芯片与炉管壁一样，都是固体边界，沿着靠近芯片表面约1mm的边界层内速度的大量变化(由边界层外缘之蒸汽速度减低到芯片表面之0速度)，会施予一拖曳外力，拖住化学蒸汽分子；同时，因为硅芯片表面温度高于边界层外缘之蒸汽温度，芯片将释出热量，来供给被拖住之化学蒸汽分子在芯片表面完成薄膜材质解离析出所需能量。所以基本上，化学气相沉积就是大自然「输送现象」(transportphenomena)的应用。常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外，如果晶圆不采用水平摆放的方式(太浪费空间)，薄膜之厚度均匀性(thicknessuniformity)不佳。2、低压化学气相沉积(LowPressureCVD；LPCVD)为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不合适，化学蒸汽在经过第一片晶圆后，黏性流场立即进入分离(separation)的状态，逆压力梯度(reversedpressuregradient)会将下游的化学蒸汽带回上游，而一团混乱。在晶圆竖放于晶舟已不可免之情况下，降低化学蒸汽之环境压力，是一个解决厚度均匀性的可行之道。原来依定义黏性流特性之雷诺数观察，动力粘滞系数ν随降压而变小，如此一来雷诺数激增，而使化学蒸汽流动由层流(laminarflow)进入紊流(turbulentflow)。有趣的是紊流不易分离，换言之，它是一种乱中有序之流动，故尽管化学蒸汽变得稀薄，使沉积速度变慢，但其经过数十片重重的晶圆后，仍无分离逆流的现象，而保有厚度均匀，甚至质地致密的优点。以800℃、1torr（托；真空度单位）成长之LPCVD氮化硅薄膜而言，其质地极为坚硬耐磨，也极适合蚀刻掩膜之用(沉积速度约20分钟0.1微米厚。)3、电浆辅助化学气相沉积(PlasmaEnhancedCVD；PECVD)尽管LPCVD已解决厚度均匀的问题，但温度仍太高，沉积速度也不够快。为了先降低沉积温度，必须寻找另一能量来源，供化学沉积之用。由于低压对于厚度均匀性的必要性，开发低压环境的电浆能量辅助(电浆只能存在于10~0.001托下)，恰好补足低温环境下供能不足的毛病，甚至于辅助的电浆能量效应还高于温度之所施予，而使沉积速率高过LPCVD。以350℃、1Torr成长之PECVD氮化硅薄膜而言，其耐磨之质地适合IC最后切割包装(packaging)前之保护层(passivationlayer)使用(沉积速度约5分钟0.1微米厚。)纯臻净化工程PECVD与RIE两机台之运作原理极为相似，前者用电浆来辅助沉积，后者用电浆去执行蚀刻。不同之处在于使用不同的电浆气源，工作压力与温度也不相同。四、洁净车间（cleanroom）一般的机械加工是不需要洁净车间(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净车间的来由。洁净车间的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英寸的洁净车间空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净车间的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净车间中。2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净车间内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。半导体净化车间设计装修纯臻净化工程7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistively)来定义好坏，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！8、洁净车间所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再需要大笔的建造与维护费用!半导体洁净车间管理制度1.无尘车间管理的目的洁净室产品生产过程对车间有明确的洁净要求，为了满足生产工艺需要、保证产品质量、安全生产，必须要对车间的环境、人员、设备和生产过程等进行控制。2.无尘车间管理的原则进入车间的管理，包括对车间工作人员的进入、物料进入、各类设备的搬入以及相关的设备、管线的维护管理，应做到不得将微粒、微生物带入车间。操作管理技术。对车间人员用洁净工作服的制作、穿着和清洗；操作人员的移动和动作；室内设备及装修材料的选择和清扫、灭菌等，尽可能的减少、防止车间内尘粒、微生物的产生、滞留、繁殖等。严格各类设备、设施的维护管理，制定相应的操作规程，保证各类设备、设施按要求正常运转，包括净化空调系统，各类水气电系统、生产工艺设备和工器具等。以确保产品生产工艺要求和空气洁净度等级。清扫、灭菌管理，对车间内德各类设备、设施的清扫、灭菌以及方法、周期和检查作明确的规定，防止、消除车间内尘粒、微生物的产生、滞留、繁殖等。车间环境控制的内容包括：空气净化、洁净建筑、与产品直接接触的水或者气体或化学品和生产设备、工器具等污染物的控制。3适用范围洁净室产品所有生产区及辅助间（包括人员净化用室、物料净化用室和相关生活用室等）、车间内管理区（包括部分办公、值班、管理和休息室等）和将来新建、改建、扩建的厂房及其辅助用房。4.责任与义务1.车间人员有义务保持车间内的卫生干净整洁，严禁不通过风淋而直接走旁通道进入车间。2.作业人员在工作时要严格执行操作规程，不允许跑跳、打闹及喊叫，不做不必要的动作，不做易发尘和大幅的动作。3.作业人员在车间工作时，尽量避免人员聚集现象。若个别工位五特殊协作需求，其纯臻净化工程他工位员工禁止聚集、围观与自己工位工作不相干的其他工作正常工作时间。4.不允许将与生产无关和容易产生灰尘的物品带进车间，严禁在车间内部吸烟、饮食和进行非生产性活动。半导体洁净车间安全工作规范一、洁净车间须知1.进入洁净车间前，必须知会管理人，并通过基本训练。2.进入洁净车间严禁吸烟，吃(饮)食，外来杂物(如报章，杂志，铅笔...等)不可携入，并严禁嘻闹奔跑及团聚谈天。3.进入洁净车间前，需在规定之处所脱鞋，将鞋置于鞋柜内，外衣置于衣柜内，私人物品置于私人柜内，柜内不可放置食物。4.进入洁净车间须先在更衣室，将口罩，无尘帽，无尘衣以及鞋套按规定依程序穿戴整齐，再经空气洗尘室洗尘，并踩踏除尘地毯(洗尘室地板上)方得进入。5.戴口罩时，应将口罩戴在鼻子之上，以将口鼻孔盖住为原则，以免呼吸时污染芯片。6.穿著无尘衣，无尘帽前应先整理服装以及头发，以免着上无尘衣后，不得整理又感不适。7.整肃仪容后，先戴无尘帽，无尘帽的穿戴原则系(1)头发必须完全覆盖在帽内，不得外露。(2)无尘帽之下摆要平散于两肩之上，穿上工作衣后，方不致下摆脱出，裸露肩颈部。8.无尘帽戴妥后，再着无尘衣，无尘衣应尺吋合宜，才不致有裤管或衣袖太短而裸露皮肤之虞，穿衣时应注意帽之下摆应保平整之状态，无尘衣不可反穿。9.穿著无尘衣后，才着鞋套，拉上鞋套并将鞋套整平，确实盖在裤管之上。10.戴手套时应避免以光手碰触手套之手掌及指尖处(防止钠离子污染)，戴上手套后，应将手套之手腕置于衣袖内，以隔绝污染源。11.无尘衣着妥后，经洗尘，并踩踏除尘毯，方得进入洁净车间。12.不论进入或离开洁净车间，须按规定在更衣室脱无尘衣，不可在其它区域为之，尤不可在洁净车间内边走边脱。13.无尘衣，鞋套等，应定期清洗，有破损，脱线时，应即换新。14.脱下无尘衣时，其顺序与穿著时相反。15.脱下之无尘衣应吊好，并放于更衣室内上层柜子中;鞋套应放置于吊好的无尘衣下方。16.更衣室内小柜中，除了放置无尘衣等规定物品外，不得放置其它物品。17.除规定纸张及物品外，其它物品一概不得携入洁净车间。18.无尘衣等不得携出洁净车间，用毕放置于规定处所。19.口罩与手套可视状况自行保管或重复使用。20.任何东西进入洁净车间，必须用洒精擦拭干净。21.任何设备的进入，请知会管理人，在洁净车间外擦拭干净，方可进入。22.未通过考核之仪器，禁止使用，若遇紧急情况，得依紧急处理步骤作适当处理，例如关闭水、电、气体等开关。23.洁净车间内绝对不可动火，以免发生意外。二、洁净车间操作须知1.处理芯片时，必须戴上无纤维手套，使用清洗过的干净镊子挟持芯片，请勿以手指或其它任何东西接触芯片，遭碰触污染过的芯片须经清洗，方得继续使用:(1)任何一支镊子前端(即挟持芯片端)如被碰触过，或是镊子掉落地上，必须拿去清洗请勿用纸巾或布擦拭脏镊子。(2)芯片清洗后进行下一程序前，若被手指碰触过，必须重新清洗。(3)把芯片放置于石英舟上，准备进炉管时，若发现所用镊子有污损现象或芯片上有显眼由纯臻净化工程镊子所引起的污染，必须将芯片重新清洗，并立即更换干净的镊子使用。2.芯片必须放置盒中，盖起来存放于规定位置，尽可能不让它暴露。3.避免在芯片上谈话，以防止唾液溅于芯片上，在芯片进扩散炉前，请特别注意，防止上述动作产生，若芯片上沾有纤维屑时，用氮气枪喷之。4.从铁弗龙(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等载具(Carrier)上，取出芯片时，必须垂直向上挟起，避免刮伤芯片，显微镜镜头确已离芯片，方可从吸座上移走芯片。5.芯片上，若已长上氧化层，在送黄光室前切勿用钻石刀在芯片上刻记。6.操作时，不论是否戴上手套，手绝不能放进清洗水槽。7.使用化学站或烤箱处理芯片时，务必将芯片置放于铁弗龙晶舟内，不可使用塑料盒。8.摆置芯片于石英舟时，若芯片掉落地上或手中则必须重新清洗芯片，然后再进氧化炉。9.请勿触摸芯片盒内部，如被碰触或有碎芯片污染，必须重作清洗。10.手套，废纸及其它杂碎东西，请勿留置于操作台，手套若烧焦、磨破或纤维质变多必须换新。11.非经指示，绝不可开启不熟悉的仪器及各种开关阀控制钮或把手。12.奇怪的味道或反应异常的溶液，颜色，声响等请即通知相关人员。13.仪器因操作错误而有任何损坏时，务必立刻告知负责人员或老师。14.芯片盒进出洁净车间须保持干净，并以保鲜膜封装，违者不得进入。15.洁净车间内一律使用原子笔及无尘笔记本做记录，一般纸张与铅笔不得携入。三、黄光区操作须知1.湿度及温度会影响对准工作，在黄光区应注意温度及湿度，并应减少对准机附近的人，以减少湿、温度的变化。2.上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得携出黄光区以免感光。3.己上妥光阻，而在等待对准曝光之芯片，应放置于不透明之蓝黑色晶盒之内，盒盖必须盖妥。4.光罩使用时应持取边缘，不得触及光罩面，任何状况之下，光罩铬膜不得与他物接触，以防刮伤，光罩之落尘可以氮气枪吹之。5.曝光时，应避免用眼睛直视曝光机汞灯。四、镊子使用须知1.进入实验室后，应先戴上手套后，再取镊子，以免沾污。2.唯有使用干净的镊子，才可持取芯片，镊子一旦掉在地上或被手触碰，或因其它原因而遭污染，必须拿去清洗，方可再使用。3.镊子使用后，应放于各站规定处，不可任意放置，如有特殊制程用镊子，使用后应自行保管，不可和实验室内各站之镊子混合使用。4.持镊子应采"握笔式"姿势挟取芯片。5.挟取芯片时，顺序应由后向前挟取，放回芯片时，则由前向后放回，以免刮伤芯片表面。6.挟取芯片时，"短边"(锯状头)置于芯片正面，"长边"(平头)置于芯片背面，挟芯片空白部分，不可伤及芯片。7.严禁将镊子接触酸槽或D.IWater水槽中。8.镊子仅可做为挟取芯片用，不准做其它用途。五、化学药品使用须知1.化学药品的进出须登记，并知会管理人，并附上物质安全资料表(MSDS)于实验室门口。2.使用化学药品前，请详读物质安全资料表(MSDS)，并告知管理人。3.换酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸长袖手套，头戴护镜，脚着塑料防酸鞋，始可进行换酸工作。纯臻净化工程4.不得任意打开酸瓶的盖子，使用后立即锁紧盖子。5.稀释酸液时，千万记得加酸于水，绝不可加水于酸。6.勿尝任何化学药品或以嗅觉来确定容器内之药品。7.不明容器内为何种药品时，切勿摇动或倒置该容器。8.所有化学药品之作业均须在通风良好或排气之处为之。9.操作各项酸液时须详读各操作规范。10.酸类可与碱类共同存于有抽风设备的储柜，但绝不可与有机溶剂存放在一起。11.废酸请放入废酸桶，不可任意倾倒，更不可与有机溶液混合。12.废弃有机溶液置放入有机废液桶内，不可任意倾倒或倒入废酸桶内。13.勿任意更换容器内溶液。14.欲自行携入之溶液请事先告知经许可后方可携入，如果欲自行携入之溶液具有危险性时，必须经评估后方可携入，并请于容器上清楚标明容器内容物及保存期限。15.废液处理:废液分酸、碱、氢氟酸、有机、等，分开处理并登记，回收桶标示清楚，废液桶内含氢氟酸等酸碱，绝对不可用手触碰。16.漏水或漏酸处理:漏水或漏酸时，为确保安全，绝对不可用手触碰，先将电源总开关与相关阀门关闭，再以无尘布或酸碱吸附器处理之，并报备管理人。六、化学工作站操作1.操作时须依规定，戴上橡皮手套及口罩。2.不可将塑料盒放入酸槽或清洗槽中。3.添加任何溶液前，务必事先确认容器内溶剂方可添加。4.在化学工作站工作时应养成良好工作姿势，上身应避免前倾至化学槽及清洗槽之上方，一方面可防止危险发生，另一方面亦减少污染机会。5.化学站不操作时，有盖者应随时将盖盖妥，清洗水槽之水开关关上。6.化学药品溅到衣服、皮肤、脸部、眼睛时，应即用水冲洗溅伤部位15分钟以上，且必须皮肤颜色恢复正常为止，并立刻安排急救处理。7.化学品外泄时应迅速反应，并做适当处理，若有需要撤离时应依指示撤离。8.各化学工作站上使用之橡皮手套，避免触碰各机台及工作台，及其它器具等物，一般操作请戴无尘手套。七、RCAMethod1.DIWater5min2.H2SO4:H2O2=3:1煮10~20min75~85℃，去金属、有机、油3.DIWater5min4.HF:H2O10~30sec，去自然氧化层(NativeOxide)5.DIWater5min6.NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5煮10~20min75~85℃，去金属有机7.DIWater5min8.HCl:H2O2:H2O=1:1:6煮10~20min75~85℃去离子9.DIWater5min10.SpinDry八、清洗注意事项1.有水则先倒水﹐H2O2最后倒﹐数字比为体积比。2.有机与酸碱绝对不可混合﹐操作平台也务必分开使用。3.酸碱溶液等冷却后倒入回收槽﹐并以DIWater冲玻璃杯5min。4.酸碱空瓶以水清洗后﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分开置于室外回收筒。纯臻净化工程5.氢氟酸会腐蚀骨头﹐若碰到立即用葡萄酸钙加水涂抹，再用清水冲洗干净，并就医。碰到其它酸碱则立即以DIWater大量冲洗。6.清洗后之Wafer尽量放在DIWater中避免污染。7.简易清洗步骤为1-2-9-10;清洗SiO2步骤为1-2-10;清洗Al以HCl:H2O=1:1。8.去除正光阻步骤为1-2-10，或浸入ACE中以超音波振荡。9.每个玻璃杯或槽都有特定要装的溶液﹐蚀刻、清洗、电镀、有机绝不能混合。10.废液回收分酸、碱、氢氟酸、电镀、有机五种，分开回收并记录，倾倒前先检查废弃物兼容性表，确定无误再倾倒。半导体洁净车间现场改善方法研究某半导体企业是量产工厂，员工人数多、规模大、产品种类多、生产工艺复杂，必须有相应的规章制度来管理公司的日常生产运作。公司在引进精益生产管理思想之前，曾经效仿某企业提倡“6S”管理。但由于每个部门的职责不同，对“6S”的理解与落实也不同，又加上没有相应的考核体系，导致“6S”管理流于形式。只有在客户或上级来检查时，才会突击打扫一下卫生，但没过几天，又会回到原来脏乱的样子。由于现场“6S”管理未做到位，混料的情况时有发生，并因此多次遭到客户的投诉。作业人员对现场的脏乱状况习以为常，没有改进工作环境的意愿。脏乱的工作环境会直接影响作业人员的工作习惯和工作质量，降低了工作效率，增加了质量事故的发生几率。建立一套合理、高效、实用的生产现场管理制度是本文主要探讨的问题。问题描述某公司多年以前就已引入“6S”，但从现场的调查情况发现，“6S”管理做得不到位，现场人员对“6S”的重要性认识不够，员工行为多停留在运动式的层面，不能按“6S”的基本要求实施操作，规范化程度低。问题主要表现在以下几个方面。1.1随意摆放工具，定置管理差不加分类地随意摆放工具，增加了工人寻找工具的时间，降低了工作效率；通常情况下，越复杂的生产工序，需要使用的工具就越多，在工具的找寻过程中工作人员过多地走动，容易造成现场工作秩序出现混乱。此外，随意摆放工具也容易使工具损坏。1.2各种品质的产品随意混放各种品质的产品随意混放，容易使车间管理出现混乱，影响产品的品质；操作工需要花费大量的时间判断产品品质的好坏，降低了生产效率；管理人员无法准确统计货品数量，造成管理的混乱和无序。1.3物流布局不畅所示为改善前的现场布局。产品的生产、加工过程就是物料或半成品在各道工序之间传输的过程，如果在工作现场没有一个通畅的物流布局，就会影响工作现场的秩序，造成生产现场秩序混乱，作业流程不畅。各种物料运输相互干扰，增加了搬运时纯臻净化工程间，降低了生产效率，也容易产生安全隐患和生产事故。1.4闲置物品未及时清理在生产现场，大量不经常使用的物品长期滞留占用生产场【作者简介】蔡伯承，同济大学机械与能源工程学院工程硕士生。半导体制造车间现场改善方法研究（同济大学机械与能源工程学院，上海200092）要】半导体制造企业是量产工厂，企业员工多、规模大、产品种类多、生产工艺复杂，必须有相应的规章制度来管理公司的日常生产运作。文章通过对半导体制造生产现场进行观察和后提出，用消除浪费的精益生产思想来改善现有的“6S”管理，可以解决生产现场定置管理差、产品混料、物流不畅及浪费的问题。企业科技与发展应用技术2012年第21期（总第339NO.21,2012（CumulativelyNO.339）理论2.1现场“6S”管理在精益生产中，“6S”是现场管理的基础，是TPM员生产维护）的前提，是TQM（全员质量管理）的第一步。“6S”起源于日本，是在“5S”管理的基础上衍生出来的，通过实施整理（Seiri）、整顿（Seieon）、清扫（Seiso）、清洁（Seiketsu）、素养（Shitsuke）、安全（Safety）6个项目，规范现场管理，营造良好的工作环境，培养员工良好的工作习惯，以及提高企业的管理水平和员工的素质。“6S”具体指以下几个方面。（1）整理：区分必需品和非必需品，现场不能放置非必（2）整顿：减少寻找必需品的时间。（3）清扫：保持无垃圾、无灰尘、干净、整洁的状态。（4）清洁：将整理、整顿、清扫工作制度化。（5）素养：对于公司制定的规定，大家都要遵守执行。（6）安全：清除事故隐患，排除险情，保证员工的人身安全和生产活动的正常运行。“6S”活动不仅能够改善生产环境，还能提高生产效率、产品品质、服务水准及员工士气，是减少浪费、提高生产力的基本要求，也是有效展开其他管理活动的基础。因此，该半导体企业需要系统地引进“6S”管理，为接下来的改进活动打好基础。2.2精益生产的核心思想消除浪费是精益思想的核心。精益生产的核心目标是消除一切浪费，通过改进实现利润最大化。去除生产活动中所有不能增加产品价值的要素，每个工作环节和与其配备的工作人员的安排必须是增值的，清除一切不增值的岗位。“精益”中的“精”指少而精，不投入多余的生产要素，只在必要的时候生产被市场（或后工序）需要的产品；“精益”中的“益”指生产经营活动要有益、有效且具有经济性。精益生产理论中的7种浪费是指过量生产的浪费、等待时间的浪费、运输的浪费、库存的浪费、工序的浪费、动作的浪费、产品缺陷的浪费。用消除浪费的精益生产思想来改善现有的“6S”管理以上列举的“6S”管理中的缺陷，体现了在生产辅助器具的布局和“6S”环境管理的思想上缺乏精益思想。实施“6S”的管理者缺乏和生产一线员工的有效沟通。“6S”管理不能局限于前人的理论概念，而要结合实际的生产状况来制定相应的规章制度。“6S”的目的不是单纯地做好“6S”，而是要借助“6S”这个生产管理的工具实现生产现场的良好秩序，保证生产线的正常运营。因此，对于该公司的“6S”管理，我们可以做如下改善。首先，对于工具随意摆放的问题，可以采取划定摆放区域的方法，以就近原则，用醒目的颜色标注工具的类别或者名称并放置在对应设备的附近，这样工人一目了然，就不会在存取工具的环节浪费时间。其次，对于不同品质产品的存放问题，可以更改公司目前的规章制度，把需要做实验的货品纯臻净化工程编入被截住待处理（异常）的产品的范围内，被截住待处理的货品其实是等待工程师处理的产品，工程师自行处置的货品也是等待工程师处理的产品。这样，需要工程师做实验的货品就可以存放在被截住待处理（异常）的产品货架上，既减少了搬运时间，又不违反“6S”。再者，对于物流通道不畅的问题，可以做如下改善：根据物料加工的工艺流程，按照直线型为主、“U”形为辅的方法进行现场设备布置。将生产区域按面板生产流程自左向右排列，做到物料从进口到出口是按照一个方向流动。将原材料区和成品区设在产品流程方向的左边，既给各生产区取料带来了便利，又缩短了生产E区与成品区的运输距离，也缩短了各生产区之间的运输距离。合并工序COGM2，在空间上也将两者都放在生产D区。这样不仅减少了运输距离，也减少了工序L2和M2之间的Bank，从而避免了制品在此工序的堆积。经过改善后的布局消除了取料过程中人流和物流交错迂回的现象，缩短了取料距离；各生产区域按生产流程直线排列，减少了空间上的距离，取消了之前用于存放在制品的Bank，缩短了物流线路，保证工序间物料的先进先出；由于布局合理紧凑，节约了宝贵的生产场地。最后，改进留言单的管理。该半导体制造公司的留言单是用于夹在货物上说明货物的特殊用途、归属或其他一些重要的信息，用无尘纸制成，其价格比普通纸贵10倍。根据公司“6S”的规定，留言单只能写一面，若在反面写字并夹在货物上，就属于“6S”缺失。事实上，留言单的用途在于留下重要的信息，我们应该对反面加以利用，这样就能节约成本。结论“6S”可以为实施精益生产创造良好的工作环境，是一切生产1区（生产工艺：L1）原材料区成品区Bank生产2（生产工艺：M1）生产4（生产工艺：L2）Bank生产6（生产工艺：M3）Bank生产5（生产工艺：M2）生产3（生产工艺：A/C）BankBank传，增加农户订刊数量。与百度、搜狐等各大搜索引擎合作，建立期刊网站的搜索（竞价）排名或在网页上与同类期刊网站和农业网站建立友情链接，扩大期刊网站的知名度，增加读者的点击率。21世纪是信息时代，但因为信息闭塞，农民读者常遇到农产品无人问津的尴尬境地。农业科普期刊应找准这一切入点，充分利用新媒体的优势，开展全方位、多层次的信息咨询服务，让读者及时获得宝贵的信息，掌握市场走向，在市场竞争中始终占据主动地位。期刊要加强与相关机构合作，提供农业科技书籍、农用物资及相关产品等销售和咨询服务，为农民读者排忧解难，增加期刊的盈利点。结语在新形势下，面对市场的严峻挑战，农业科技期刊面临重重压力，农业科普期刊应审时度势，正确剖析自身问题，积极寻找解决，更新陈旧观念，采取切实可行的措施，下大力气提高办刊质量，努力打造品牌，力争在竞争激烈的传媒市场占有一席之地。〔责任编辑：许桂霞〕原材料区成品区生产A（生产工艺：L1）生产B（生产工艺：M1）生产C（生产工艺：A/C）生产D（生产工艺：L2、M2）生产E改善后的生产现场布局精益改善的前提。该半导体公司首先对全体员工进行培训，先从整理、整顿、清洁入手，由公司领导带头，将现场所有物品区分为必需的和非必需的，对整理之后的必需品进行分类，对非必需品予以清除，并清扫干净工作现场。每个部门都制定了“6S”的检查细则，并认真切实地反映到日常、月度、年度的各项考核机制中，与员工的绩效奖金直接挂钩。