《VDMOS基本工艺流程》课件PPT模板

（Excellenthandouttrainingtemplate）VDMOS基本工艺器件的基本结构及实物图工艺初始氧化环光刻与环注入环P推结与有源区光刻JFET注入与栅氧化和JFET推结多晶淀积与多晶激活与多晶光刻P-注入与P阱推结与N+光刻RGRG：此为栅极电阻。R=ρL/S其中，S电阻截面积、L电阻的长度、ρ电阻率；反观MOS器件的结构，L为栅极厚度，S为栅极二维平面的横截面。ρ电阻率与栅极电导率σ成倒数关系。σ=nqμ，以F2KN65NC为例，栅极分为SiO2层和多晶Si层，而多晶激活是用POCL3，所以认为栅极是N型半导体，多子为电子，迁移率μ取电子迁移率μn，式中n为掺杂浓度，q为单位电荷。综上，R=1/nqμn×L/S由于栅氧厚度的改变会使其它参数随之改变，器件尺寸固定，故L与S不变；而电子迁移率μn与单位电荷q为常数，故想要改变栅极电阻，目前只能改变掺杂浓度n。CISS：此为功率MOS在截止状态下的源极与漏极之间的输入容量，即源栅电容CGS与栅漏电容CGD之和。CISS=CGS+CGD观察VDMOS结构发现，CGS分为栅极与N型区电容CGS1和栅极与P型区电容CGS2部分。CGD为栅极与漏极电容，从结构上看，即是栅极与JFET区的电容，而整个电容结构为并联。故CISS=CGS1+CGS2+CGDCISS理论结构CISS理论计算电容为C=εS/d其中，ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。反观MOS器件结构，S为器件二维平面截面积，此为固定值，d为PN结空间电荷区长度W。单边突变结PN结空间电荷区长度W，热平衡时受杂质浓度影响；当对PN结施加正向电压时，W变小；当施加负向电压时，W变大。器件尺寸不变的情况下，我们只考虑单位面积电容即可，即S取1；C=ε/WPN结正偏时，V为正；负偏时，V为负。从式中可以看出，介电常数ε，内建电势ψbi等均为定值，电容C与杂质浓度成正比，可以通过改变掺杂浓度的方法来改变电容。CRSS理论分析CRSS：即CGD，为栅极与漏极之间电容，从MOS结构上看，即为栅极与JFET区域电容。根据上面对CISS的分析，目前最有效改变电容的方式就是改变注入剂量，即半导体中的掺杂浓度，来改变电容。COSS理论分析COSS：为栅极与漏极电容CGD同源极与漏极电容CDS之和。而源漏间电容CDS大体上可以认为是P阱区域与JFET区域形成的PN结的电容。想要改变CDS，只要改变PN结电容即可。而PN结理论计算公式以及影响因素上面已经给出。导通时间TON定义：演讲结速，谢谢观赏！Thankyou.常用编辑图使用方法1.取消组合2.填充颜色3.调整大小选择您要用到的图标单击右键选择“取消组合”右键单击您要使用的图标选择“填充”，选择任意颜色拖动控制框调整大小商务图标元素商务图标元素商务图标元素商务图标元素