复旦大学微电子学与固体电子学专业导师信息

12005年复旦大学微电子学与固体电子学专业导师信息（设计方向）姓名职称导师资格电话Email地址研究领域硕士招生限额博士招生限额拟招硕士人数拟招博士人数周电特聘教授博导转811zhoud@fudan.edu.cn高速低功耗集成电路设计，数模混合集成电路，SOC系统；集成电路CAD算法和工具，电路模拟和建模，集成电路设计验证；高清数字电视机系统和芯片，无线通讯系统和芯片；计算机算法分析。54洪志良教授博导转846zlhong@fudan.edu.cn集成电路和集成系统的研究和设计，主要是模拟集成电路、RF电路和数模混合集成电路的研究和设计。33闵昊教授博导转835hmin@shhic.com专用集成电路与系统设计。33任俊彦教授博导转838jyren@fudan.edu.cn低功耗、低电压、数模混合信号及射频电路设计、通信集成电路。包括：高速模数/数模转换、CMOS锁相环及频率综合器、高速网络宽带数据通信芯片、CMOS射频收发电路等。33唐璞山教授博导转845pstang@fudan.edu.cnVLSI设计与计算机辅助设计,包括版图设计理论和算法研究（如NP完全问题等）；设计自动化软件开发与实用化；VLSI设计方法和芯片开发。33童家榕教授博导转836jrtong@fudan.edu.cn集成电路计算机辅助系统和模块设计，数字集成电路设计和数字逻辑电路设计。33曾璇教授博导转837xzeng@fudan.edu.cnSOC系统集成和CAD算法研究，包括模拟集成电路自动化设计，高速大规模电路的模拟和建模，高清数字电视芯片设计。33程君侠教授硕导转810chengjunxia@fmsh.com.cn30孙承绶教授硕导转844cssun@fudan.edu.cn数字集成电路的设计和测试。30张国权主管技师硕导转839gqzhang@fudan.edu.cn20曾晓洋*副教授硕导转815xyzeng@fudan.edu.cn信息安全芯片设计与芯片安全防护技术研究，数字信号与数字图像处理及其VLSI实现，低功耗集成电路设计，SOC可测性设计。22周晓方*高级师硕导转827xiaofangzhou@fudan.edu.cn22许俊副教授硕导转828jxu@fudan.edu.cn20杨莲兴副教授硕导转842lxyangb@online.sh.cn20俞军副教授硕导转804yujun@fmsh.com.cn20赵文庆副教授硕导转825wqzhao@fudan.edu.cn20周锋副教授硕导转813fengzhou@fudan.edu.cn20李宁高级工程师硕导转826li_ning@fudan.edu.cn20李文宏工程师硕导转816wenhongli@etang.com20李巍D副教授硕导转814w-li@fudan.edu.cn射频集成电路设计与测试。20Administrator下划线2沈泊D讲师硕导转819boshen@fudan.edu.cn多媒体通信芯片设计、SoC芯片设计方法学、多媒体处理SoC平台20黄群满**副教授转829huangqunman@sina.com20黄煜梅**讲师转817yumeihuang@fudan.edu.cn20来金梅**副教授转824jmlai@fudan.edu.cn20陆伟成**副教授转816luk@fudan.edu.cnVLSICAD算法和电路模仿。20唐长文**讲师转819zwtang@fudan.edu.cn20易婷**讲师转814yiting@fudan.edu.cn20叶凡**助教转818fye625@hotmail.com20注：专用集成电路与系统国家重点实验室的总机为65642765，65643906、65643893、65643452，地点为复旦大学计算机中心，上述电话为分机。*院内博导：经微电子研究院院务委员会审批可以直接指导博士生，但博士生需挂名在正式博导下（不占该博导招生名额）。**院内硕导：符合由微电子研究院院务委员会制定的《2005年微电子学与固体电子学专业研究生招生及培养原则》硕士生导师要求，可以直接指导硕士生，但硕士生需挂名在正式硕导下（不占该硕导招生名额）。D信息学院学术委员会已通过其硕导申请，正待研究生院审批。32005年复旦大学微电子学与固体电子学专业导师信息（方向）姓名职称导师资格电话Email地址研究领域硕士招生限额博士招生限额拟招硕士人数拟招博士人数刘冉特聘教授博导55664548rliu@fudan.edu.cn微纳电子器件与工艺。54黄宜平教授博导65642069yphuang@fudan.edu.cn微电子机械系统（MEMS）以及半导体材料和器件等方面的研究。33茹国平教授博导65643561gpru@fudan.edu.cn微电子薄膜及接触技术。33阮刚教授博导65643765gruan@fudan.ac.cn纳米CMOS电路的器件及互连仿真研究。33汤庭鳌教授博导65643761tatang@fudan.edu.cn新型铁电薄膜的制备技术，特性分析及其在不挥发存储器、传感器中的应用；VLSI中小尺寸MOS器件模型、模拟技术研究。33张卫教授博导65642389dwzhang@fudan.edu.cn超大规模集成电路工艺与材料的研究，具体有化学气相淀积超大规模集成电路用低介电常数介质以及气相淀积金刚石薄膜理论。33姜国宝副教授硕导65643766gbjiang@fudan.ac.cn铜互连工艺。20林殷茵*副教授硕导65654796yylin@fudan.edu.cn铁电及其它新型存储器工艺技术。22屈新萍*副教授硕导65643561xpqu@fudan.edu.cn铜互连工艺及薄膜技术。22权五云*副教授硕导65654796qwy@fudan.edu.cnCMOS器件模型、模拟及参数提取，VLSI芯片的电热效应及可靠性，非挥发半导体存储器（NOR-typeFlashEEPROM、SONOS）。22周嘉D副教授硕导55664601jia2000@fudan.edu.cn20丁世进**副教授65654577sjding@fudan.edu.cn高介电常数介质及原子层淀积技术20黄维宁**副教授65643766wnhuang@fudan.ac.cnMEMS工艺及传感器。20於伟峰**副教授65643764wf_yu@sohu.comIC剖析，PECVD和RIE工艺。20虞惠华**副教授65643761hhyu@fudan.edu.cn电路与系统的设计与应用，可编程逻辑器件设计与应用、微处理器控制系统等，铁电不挥发存储器测试，和非破坏性读出“MFIS存储单元”中的虚拟仪器测试等。20汪礼康**顾问教授55664324lkwang@fudan.edu.cnSOC及SIP封装技术，电路设计和可靠性分析，铜互联后端工艺与封装的界面结合。20注：*院内博导：经微电子研究院院务委员会审批可以直接指导博士生，但博士生需挂名在正式博导下（不占该博导招生名额）。**院内硕导：符合由微电子研究院院务委员会制定的《2005年微电子学与固体电子学专业研究生招生及培养原则》硕士生导师要求，可以直接指导硕士生，但硕士生需挂名在正式硕导下（不占该硕导招生名额）。D信息学院学术委员会已通过正待研究生院审批的硕导。