BLT53A-Ver1.0-Notel

Tachyonics Semiconductors 产品规格书 UHF power transistor BLT53A BLT53A U波段功率放大器 Tachyonics Semiconductors UHF power transistor 最大限制值 与最大限制系统等同 (IEC 134). 产品规格书 BLT53A SYMBOL VCBO VCEO VEBO PARAMETER CBO CEO EBO CONDITIONS E极开路 B极开路 C极开路 − − − MIN. MAX. 20 10 3 V V V UNIT IC, IC(AV) C极电流 DC 或平均值 − 1.5 A ICM Ptot Tstg Tj 10 C极电流 总散耗 存储温度 焊接操作温度 MCD192 峰值 f  1 MHz RF 模式 Tmb = 25 C 50 − − −65 − 3.5 15.5 150 200 A W C C MCD193 handbook, halfpage IC (A) 1 10−1 1 Tmb = 25oC 70oC 10 102 handbook, halfpage Ptot (W) 40 30 20 10 0 0 (3) (2) (1) 40 80 120 160 VCE (V) (1) 连续 DC 模式. (2) 连续 RF 模式 (f= 1MHz). Tmb (oC) Fig.2 DC 走势. 热阻特性 SYMBOL 参数 (3) 短时间失配模式 (f= 1MHz). Fig.3 Power 负载线. 条件 最大. 单位 Rth j-mb(RF) May-2010 器件焊接在基板上 2 Ptot = 15.5 W; Tmb = 25 C 3 K/W Tachyonics Semiconductors UHF power transistor 特性曲线 温度 = 25 C. 产品规格书 BLT53A 标志 参数 条件 最小 典型. 最大. 单位 V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICES hFE fT Cc Cre Cc-mb 80 handbook, halfpage hFE 60 40 20 0 C-B 击穿电压 C-E 击穿电压 E-B 击穿电压 C-E 漏电流 DC 电流增益 频率 集电极电容 反馈电容 集电极安装电容 MCD194 发射极开路; IC = 20 mA 基极开路; IC = 40 mA 集电极开路; IE = 4 mA VBE = 0; VCE = 10 V VCE = 5 V; IC = 1.2 A VCE = 6 V; IE = 1 A VCB = 6 V; IE = Ie = 0; f = 1 MHz VCE = 6 V; IC = 0; f = 1 MHz f = 1 MHz 50 handbook, halfpage Cc (pF) 40 30 20 10 0 20 10 3 − 25 − − − − − − − − − 3 24 17 1.2 − − − 1 − − − − − MCD195 V V V mA GHz pF pF pF 0 VCE = 5 V. 2 4 6 IC (A) 0 IE = ie = 0; f = 1 MHz. 4 8 VCB (V) 12 Fig.4 DC 电流增益 与集电极电流, 典型值。 May 2010 3 Fig.5 集电极电容 与集电极电压,典型值。. Tachyonics Semiconductors 产品规格书 UHF power transistor BLT53A 应用参考*******3.7V----433M---1W********** RF性能， 测试温度= 25 C，共射电路架构。 输入功率 f (MHz) VCE (V) PL (W) Gp (dB) c (%) Ibset (ma) 18.5dBm 433 3.7 1 ≥15 >50 330 应用原理图： EVB 测试开发板： May 2010 4 Tachyonics Semiconductors 产品规格书 UHF power transistor BLT53A 应用参考*******5.5V----433M-----2W********** RF性能， 测试温度= 25 C，共射电路架构。 输入功率 f (MHz) VCE (V) PL (W) Gp (dB) c (%) Ibset (ma) 18.5dBm 433 5.5 2 ≥15 >50 280 应用原理图： EVB 测试开发板： UHF power transistor BLT53A 封装信息： 参考应用： AN1： BLT53A LAYOUT指导 AN2： SI4432+BLT53A 3.7V 1W 433M AN3： A7102+BLT53A 3.7V 1W 433M IDQ 200 ma AN4： SI4432+BLT53A 5V 2W 433M IDQ 200 ma AN5： CC1100+BLT53A 5V 1W 433M 样品RMB:3.x元 ！注意：以上规格书由代理商“NEO Technology”翻译。以上报价由“NEO Technology”提供。 如有技术或者商务上问题，请联系“NEO Technology” 。 QQ: 756135995 邮箱：obport@qq.com 6 May-2010 1 B E C E � 描述： BLT53A是一个基于硅的功率放大器,提供从DC-3G的大带宽的操作支持。设计为超薄、超小SOT89封装，BLT53A提供完整的输入输出接近50欧姆的内部匹配。 BLT53A具有极高的效率，在6V的供电、433M工作频率下输出36dbm(3W)的时候电源效率达到65%。 BLT53A内部有一个抗ESD保护二极管，可以很好的对抗ESD，避免器件的损坏。 BLT53A非常适合于某些数传系统中，在一些特定的场合可能会需要2W 的通信功率，比如抄手持机、安防、水文测控、航模等应用。使用BLT53A可以非常迅速获得需要的功率、从而达到您需求的通信距离。 BLT53A使用非常简单，实现超低BOM成本，并且提供多个频率下的参考应用设计，如配合SI4432 3.7V输出1W，配合A7102C 5.5V输出2W,等。具体请参考以下Application Note。 AN1： BLT53A LAYOUT指导 AN2： SI4432+BLT53A 3.7V 1W 433M AN3： A7102+BLT53A 3.7V 1W 433M AN4： SI4432+BLT53A 5.5V 2W 433M AN5： CC1100+BLT53A 5.5V 1W 433M 应用 • 315M--ISM数传 • 433M--ISM数传 • 915M--ISM数传 • 对讲机 • 航模遥控 • 抄表系统 性能 • 效率 - 65% 433M (35.0 dBm) • 简单外围 • 高功率输出达35dbm(3W) • 高增益=18db • 电流 - 0.20 A 433M@ (30.0 dBm,3.7V) - 0.20 A 433M (35 dBm,7V) • 50 Ω 输入/输出阻抗 •小型通用SOT89封装 仅仅需要1个Lchoke电感 EVB 测试开发板，同步发售，可以让你迅速的评估PA性能是否符合自己系统要求。 EVB 测试开发板，同步发售，可以让你迅速的评估PA性能是否符合自己系统要求。