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RAM,ROM,FLASH 存储器 分类 转

2017-09-20 3页 doc 15KB 32阅读

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RAM,ROM,FLASH 存储器 分类 转RAM,ROM,FLASH 存储器 分类 转 RAM,ROM,FLASH 存储器 分类 转 RAM,ROM,FLASH存储器分类(转)2010-03-1509:08DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据.而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。 SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRA...
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RAM,ROM,FLASH 存储器 分类 转 RAM,ROM,FLASH 存储器 分类 转 RAM,ROM,FLASH存储器分类(转)2010-03-1509:08DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据.而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。 SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。 SRAM是静态内存,SDRAM是同步动态内存(SRAM速度快,SDRAM容量大) SSRAM是synchronousstaticrandomaccessmemory的缩写,即同步静态随机存取存储器。 每单位容量的DRAM使用较少的晶体管而且占用面积小,而SRAM则是用较多晶体管占用的面也要相对大不少;DRAM需要不断刷新来维持所存储的数据,SRAM则不需要;DRAM的存取时钟间隔长,而SRAM的速度快,时间短;DRAM的耗电低,SRAM耗电大。 目前,相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右,面积则将近大4倍,所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM需求,比如Cache(缓存),比如CPU内部的L1Cache和主板上的L2Cache,一般只有几百K。 布线上可以同样遵守高速设计的需要,具体可参考厂家设计规范要求。 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是ReadOnlyMemory的缩写,RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态 RAM(DynamicRAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDRRAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDRRAM。DDRRAM(Date-RateRAM)也称作DDRSDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-RambusDRAM。在很多高端的显卡上,也配备了高速DDRRAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM也有很多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就无法修改了,这种是早期的产品,现在已经不可能使用了,而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出,价格很高,写入时间很长,写入很慢。 举个例子,手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的。 FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。 目前Flash主要有两种NORFlash和NADNFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一快的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码,因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlah以外,还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码。(NORFlash容量小,但可以直接读取;NANDFlash容量大,但不能直接读取) 一般小容量的用NORFlash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NANDFLASH,最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(DiskOnChip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung和Toshiba。 铁电存储器:目前Ramtron公司的FRAM主要包括两大类:串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C两线方式的FM24系列和SPI三线方式的FM25系列。串行FRAM与传统的24、25型的E2PROM引脚及时序兼容,可以直接替换。FRAM产品具有RAM和ROM优点,读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。E2PROM擦写次数100万次,铁电可达100亿次。 铁电主要用于需要快速,反复存储的数据应用中
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