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半导体尽缘体的禁带宽度和金属功函数[高效]

2017-12-19 1页 doc 11KB 31阅读

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半导体尽缘体的禁带宽度和金属功函数[高效]半导体尽缘体的禁带宽度和金属功函数[高效] 半导体:(室温) 硅:1.12eV 锗:0.67eV 砷化镓:1.43eV 氧化锌:3.3 eV 绝缘体: 金刚石:6-7eV, 金属的功函数: 一些金属的功函数 单位:电子伏特,eV 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 Ag 4.26 Al 4.28 As 3.75 Au 5.1 B 4.45 Ba 2.7 Be 4.98 Bi 4.22 C 5 Ca 2.87 Cd 4.22 Ce 2.9 Co 5 Cr 4.5 Cs ...
半导体尽缘体的禁带宽度和金属功函数[高效]
半导体尽缘体的禁带宽度和金属功函数[高效] 半导体:(室温) 硅:1.12eV 锗:0.67eV 砷化镓:1.43eV 氧化锌:3.3 eV 绝缘体: 金刚石:6-7eV, 金属的功函数: 一些金属的功函数 单位:电子伏特,eV 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 金属 功函数 Ag 4.26 Al 4.28 As 3.75 Au 5.1 B 4.45 Ba 2.7 Be 4.98 Bi 4.22 C 5 Ca 2.87 Cd 4.22 Ce 2.9 Co 5 Cr 4.5 Cs 2.14 Cu 4.65 Eu 2.5 Fe 4.5 Ga 4.2 Gd 3.1 Hf 3.9 Hg 4.49 In 4.12 Ir 5.27 K 2.3 La 3.5 Li 2.9 Lu 3.3 Mg 3.66 Mn 4.1 Mo 4.6 Na 2.75 Nb 4.3 Nd 3.2 Ni 5.15 Os 4.83 Pb 4.25 Pt 5.65 Rb 2.16 Re 4.96 Rh 4.98 Ru 4.71 Sb 4.55 Sc 3.5 Se 5.9 Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59 Ta 4.25 Tb 3 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl 3.84 U 3.63 V 4.3 W 4.55 Y 3.1 Zn 4.33
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