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中频炉原理结构

2013-01-25 49页 ppt 4MB 59阅读

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中频炉原理结构nullnullnull应达公司及产品介绍 null感应熔化系统的发展演变INDUCTOTHERMnullINDUCTOTHERM感应熔化系统的基本结构null 交流电整流变成直流电,直流能量储存在电抗器中INDUCTOTHERM电流反馈并联逆变器null交流电经过整流变成直流电,直流能量储存在电容器中INDUCTOTHERM电压反馈串联逆变器nullINDUCTOTHERM能量储存电流反馈逆变器直流能量储存在电抗器中,是一种动能 这种能量形式类似于飞轮停止的飞轮是没有动能的,除非消耗能量让它转动要想让它停下来也必须消...
中频炉原理结构
nullnullnull应达公司及产品介绍 null感应熔化系统的发展演变INDUCTOTHERMnullINDUCTOTHERM感应熔化系统的基本结构null 交流电整流变成直流电,直流能量储存在电抗器中INDUCTOTHERM电流反馈并联逆变器null交流电经过整流变成直流电,直流能量储存在电容器中INDUCTOTHERM电压反馈串联逆变器nullINDUCTOTHERM能量储存电流反馈逆变器直流能量储存在电抗器中,是一种动能 这种能量形式类似于飞轮停止的飞轮是没有动能的,除非消耗能量让它转动要想让它停下来也必须消耗能量nullINDUCTOTHERM能量储存电压反馈逆变器直流能量储存在电容器中,是一种势能,当电源合闸时电容器立即被充电 nullINDUCTOTHERM 并 联 连 接 线 路串 联 连 接 线 路nullINDUCTOTHERMCONTROLLABILITY电流反馈并联逆变器 70 -- 80% 的线圈电流在感应线圈和电容器之间流动,这部分线圈电流是不可控的 只有 20--30% 的线圈电流流过可控硅 逆变器只能控制20—30%的线圈电流70–80%20–30%nullINDUCTOTHERMCONTROLLABILITY电流反馈并联逆变器并联线路中,感应线圈、电容器、逆变器上的电压是相同的为了调节0---70~80%的功率,必须通过改变直流电压来改变功率nullINDUCTOTHERM可 控 制 性电 流 反 馈 并 联 逆 变 器1234 1. 启动逆变器4. 短接回路用于直流能量通过电抗器释放3. 通过改变整流桥的移相角改变直流电压来控制70 – 80%功率 2. 逆变器控制20%--30%的线圈电流电流反馈并联逆变器有4个控制点nullINDUCTOTHERM可 控 制 性电 压 反 馈 串 联 逆 变 器在串联线路中100% 的线圈电流流过逆变器,逆变器可完全控制电流的变化 100%nullINDUCTOTHERM可 控 制 性电压反馈串联逆变器串联线路中感应线圈和电容器串联连结起到分压作用 逆变器上的压降V2只占感应线圈电压V1的20%--30%nullINDUCTOTHERM可 控 制 性电压反馈串联逆变器1逆变器控制简单、可靠、反应速度快电压反馈串联逆变器只有一个控制点 null可控硅是由其 KVA来定义的 – 电流 X 电压可控硅是一种电流控制器件 由于过电压而损坏可控硅的几率远远 大于由于过电流损坏可控硅的几率null可控硅是由KVA值– 电流 X 电压来定义的并联线路中可控硅处于高电压小电流的工作状态在串联线路中可控硅处于低电压大电流的工作状态nullINDUCTOTHERM00串联线路 并联线路?nullINDUCTOTHERM感应电流每一个料块表面产生感应电流二次回路的感应电流每一个接触点都具有高的电阻值nullINDUCTOTHERM熔化效率 留量熔炼 和 批量熔炼100908070熔化效率 %null频 率 改 变 的 影 响INDUCTOTHERM100 Hz200 Hz500 Hz1000 Hz50 Hz1000 kW 4 Tonne1000 kW 4 Tonne1000 kW 4 Tonne1000 kW 4 Tonne1000 kW 4 Tonne1250 kW 4 Tonne2000 kW 4 Tonne3000 kW 4 Tonne4000 kW 4 Tonne1000 kW 3 Tonne1000 kW 2 Tonne1000 kW 1.5 Tonne1000 kW 1 Tonne提高频率增大功率减小炉体容量nullINVERTER TECHNOLOGYINDUCTOTHERMnullINDUCTOTHERMIGBT - SCR每个IGBT需要两个触发模块 一个控制开通,一个控制关断nullINDUCTOTHERMIGBT - SCRnullINDUCTOTHERMIGBTnullINDUCTOTHERMIGBT - SCR功率 Power-Trak 其他 额定容量 可控硅数量/触发电路 IGBT数量/触发电路1,000 2 2 8 161,500 4 4 12 242,000 6 6 16 322,500 8 8 20 403,000 8 8 24 48功率 Dual-Trak 其他 额定容量 可控硅数量/触发电路 IGBT数量/触发电路1,000 4 4 16 241,500 8 8 24 482,000 12 12 32 642,500 16 16 40 803,000 16 16 48 96nullINDUCTOTHERM逆变开关器件能量储存量频率nullINDUCTOTHERM短路保护nullINDUCTOTHERM功率因数 串联线路 和 并联线路比较nullINDUCTOTHERM整流变压器的KVA 串联线路和并联线路的比较 nullINDUCTOTHERM串联逆变线路中谐波电流的含量串联逆变线路中变压器的KVA值最小,因此谐波含量最小nullINDUCTOTHERM通过斩波来控制直流电压功率因数和可控硅移相角的关系306090120150相控角Power Factor180串联线路 不控制整流,始终在最高电压并联线路 可控整流降低直流电压时的功率因数线功率因数自动减小最大的线功率因数00.20.40.60.81nullINDUCTOTHERMWAVE CHOPPING TO CONTROL DC VOLTAGE0平均直流电压及波纹全导通时的最大电压通过斩波降低电压功率因数 0.95功率因数 0.4nullINDUCTOTHERML2L1L306相供电线路Fully ConductingRectifiedL5L4L6电压反馈线路的功率因数理论上可达到0.98平均直流电压及波纹nullINDUCTOTHERM并联逆变器和串联逆变器的性能比较功率因数随着功率下降而降低恒定大于0.95电流畸变 较低 0.95 较高 q 线电压毛刺较高较低nullINDUCTOTHERMnullINDUCTOTHERMDUAL-TRAK功率能够在额定功率范围内以任意比例分配nullINDUCTOTHERMDUAL-TRAKnullINDUCTOTHERMDUAL-TRAK双供电电源0 -100 % 功率0--100 % 功率nullINDUCTOTHERMDUAL-TRAK双供电电源0 -100 % 功率0--100 % 功率nullINDUCTOTHERM双供电电源nullMELTING CYCLEINDUCTOTHERM单 供 电 系 统功率铁水量非生产的除渣和浇注周期X 100 = X%X 小于100% 50% 到 75% 得很正常的nullPOWER-TRAKMELTING CYCLEINDUCTOTHERM双 供 电 系 统nullPOWER-TRAK熔 化 周 期INDUCTOTHERM双 供 电 系 统第一个炉体在第二个炉体完全熔化完毕之前进行除渣并倒空,电源功率的利用率有可能达到 100%nullINDUCTOTHERMMULTI-TRAK nullINDUCTOTHERMMULTI-TRAK nullnullINDUCTOTHERMnullINDUCTOTHERM
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