二输入或门版图报告.doc二输入或门版图报告.doc
沈阳理工大学课程设计
1 绪 论
1.1 设计背景
随着集成电路技术的日益进步,CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域,如芯片版图的绘制、电路的绘图、模拟电路仿真、逻辑电路仿真、优化设计、印刷电路板的布线等。CAD技术的发展使得电子线路设计的速度、质量和精度得以保证。在众多的CAD工具软件中,tanner是用来IC版图绘制软件,许多EDA系统软件的电路模拟部分是应用Spice程序来完成的,而tanner软件是一款学习阶段应用的版图绘制软件,操作简单的EDA软件。
Tanner集...
二输入或门版图
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沈阳理工大学课程设计
1 绪 论
1.1 设计背景
随着集成电路技术的日益进步,CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域,如芯片版图的绘制、电路的绘图、模拟电路仿真、逻辑电路仿真、优化设计、印刷电路板的布线等。CAD技术的发展使得电子线路设计的速度、质量和精度得以保证。在众多的CAD工具软件中,tanner是用来IC版图绘制软件,许多EDA系统软件的电路模拟部分是应用Spice程序来完成的,而tanner软件是一款学习阶段应用的版图绘制软件,操作简单的EDA软件。
Tanner集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大,易学易用,包括S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS,从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛,具有很高知名度。
-Edit Pro是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高性能L
软件系统模块,具有高效率,交互式等特点,强大而且完善的功能包括从IC设计到输出,以及最后的加工服务,完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。L-Edit Pro包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell
Place & Route)、线上设计规则检查器(DRC)、组件特性提取器(Device Extractor)、设计布局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOS Library、Marco Library,这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决
。L-Edit Pro丰富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。
1.2 设计目标
1.用MOS场效应管实现二输入或门电路。
2.用tanner软件中的原理图编辑器S-Edit编辑反相器电路原理图。
3.用tanner软件中的W-Edit对反相器电路进行仿真,并观察波形。
4.用tanner软件中的L-Edit绘制或门版图,并进行DRC验证。
5.用W-Edit对或门的版图电路进行仿真并观察波形。
6.用tanner软件中的layout-Edit对或门进行LVS检验观察原理图与版图的匹配程度。
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2二输入或门电路
2.2 电路结构
用CMOS实现反相器电路,PMOS和NMOS管进行全互补连接方式,栅极相连作为输入,电路上面是两个PMOS并联,PMOS的漏极与下面NMOS的漏极相连作为输出,POMS管的源极和衬底相连接高电平,NMOS管的源极与衬底相连接低电平;原理图如图2.1
图2.1 二输入或门电路的原理图
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2.2 电路仿真观察波形
给二输入或门的输入加激励,高电平为Vdd=5V,低电平为Gnd,并添加输入 输出延迟时间,进行仿真并输出波形;波形图如下图2.2
图2.2 二输入或门电路输入输出波形图
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2.3 版图绘制及DRC仿真
用L-Edit版图绘制软件对电路进行版图绘制,同时进行DRC验证, 查看输出结果,检查有无错误;版图和输出结果如下图2.3
图2.3 二输入或门电路版图及DRC验证结果
2.4 版图仿真观察波形
二输入或门原理图仿真相同,添加激励、电源和地,同时观察输入输出波形;波形如下图2.4
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图2.4 二输入或门电路版图输入输出波形图
二输入或门电路的版图仿真波形与原理图的仿真输出波形基本一致,并且符合输入输出的逻辑关系,电路的设计正确无误;
2.5 LVS检查匹配
用layout-Edit对反相器进行LVS检查验证,首先添加输入输出文件,选择要查看的输出,观察输出结果检查反相器电路原理图与版图的匹配程度;输出结果如下图2.5
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图2.5 二输入或门电路LVS检查匹配图
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总 结
通过对典型的集成电路的设计、用tanner仿真和IC集成电路的原理图和版图的绘制及仿真,对模拟电路的工作原理有了进一步的了解。再借助典型器件特性的探讨、tanner软件模拟电路的原理图绘制及其版图生成,熟悉了HSpice和tanner在此方面的应用,以增强计算机辅助电路模拟与设计的信心。
通过两个教学周的设计,综合运用所学的知识完成了设计任务。使我更进一步熟悉了专业知识,并深入掌握仿真方法和工具、同时为毕业设计打基础的实践环节。进一步熟悉设计中使用的主流工具,学习了良好的技术文档撰写方法;掌握了逻辑设计的基本方法;加深学习并掌握半定制IC的前端设计方法,了解后端设计;加深综合对所学课程基础知识和基本理论的理解好掌握,培养了综合运用所学知识,独立分析和解决工程技术问题的能力;培养了在理论计算、制图、运用
和规范、查阅设计手册与资料以及应用工具等方面的能力,逐步树立正确的设计思想。
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参考文献
[1]钟文耀,郑美珠.CMOS电路模拟与设计—基于Hspice.全华科技图书股份有限公司印行,2006.
[2]刘刚等著.微电子器件与IC设计基础.第二版.科学出版社,2009.
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附录一:电路仿真网表
* SPICE netlist written by S-Edit Win32 7.03
* Written on Jul 5, 2013 at 09:45:24
.include "D:\TEXT\tanner\TSpice70\models\ml2_125.md" Vdd Vdd Gnd 5
VA A Gnd PULSE (0 5 0 10n 10n 50n 100n)
VB B Gnd PULSE (0 5 0 10n 10n 35n 100n)
.tran/op 10n 200n method=bdf
.print tran v(A) v(B) v(Y)
* Waveform probing commands
.probe
.options probefilename="sedit.dat"
+ probesdbfile="I:\liu\liudianlutu .sdb"
+ probetopmodule="Module0"
* Main circuit: Module0
M1 N7 A Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M2 N7 B Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M3 Y N7 Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M4 N7 B N2 Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M5 N2 A Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u M6 Y N7 Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u * End of main circuit: Module0
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附录二:版图仿真网表
* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit Version 9.00 / Extract Version 9.00 ;
* TDB File: I:\liu\liubantu.tdb
* Cell: Cell0 Version 1.47
* Extract Definition File: D:\tanner\LEdit90\Samples\SPR\example1\lights.ext
* Extract Date and Time: 07/05/2013 - 09:50
.include D:\TEXT\tanner\TSpice70\models\ml2_125.md * Warning: Layers with Unassigned AREA Capacitance. *
*
*
*
*
*
* Warning: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance. *
*
*
*
*
*
*
*
* Warning: Layers with Zero Resistance. *
*
*
*
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* NODE NAME ALIASES
* 1 = Y (128.5,1.5)
* 5 = A (34.5,-18.5)
* 6 = B (56.5,-19)
M1 Y 2 4 4 PMOS L=10u W=11u
* M1 DRAIN GATE SOURCE BULK (93 14 103 25) M2 Y 2 3 3 NMOS L=10u W=10u
* M2 DRAIN GATE SOURCE BULK (93 -15.5 103 -5.5) M3 2 B 7 4 PMOS L=10u W=11.5u
* M3 DRAIN GATE SOURCE BULK (50 13.5 60 25) M4 7 A 4 4 PMOS L=10u W=11.5u
* M4 DRAIN GATE SOURCE BULK (30 13.5 40 25) M5 3 B 2 3 NMOS L=10u W=10u
* M5 DRAIN GATE SOURCE BULK (50 -15 60 -5) M6 2 A 3 3 NMOS L=10u W=10u
* M6 DRAIN GATE SOURCE BULK (30 -15 40 -5)
* Total Nodes: 7
* Total Elements: 6
* Total Number of Shorted Elements not written to the SPICE file: 0
* Extract Elapsed Time: 0 seconds
.END
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