纳米复合材料的应用

纳米复合材料的应用 应 用 开 发玻璃片上制造厚度不足 20nm 的氧化银薄膜， 颗粒尺寸的细致分布，研究者认为多色发射能然后有选择地将薄膜的局部暴露于蓝光下，在 使得在每个颗粒中储存更多一点数据。此外，这种光的作用下，薄膜表面的颗粒被还原，从 如果颗粒能被分布在一个三基体，它们还能提而局部地被转变为银原子团。当这些原子团暴 供一个非常致密的储存介质， 这种介质能被并露于绿光下时，它们放出更加强烈的荧光，发 联地写入和读出。 储存在氧化银薄膜里的图象出肉眼易看到的红光。另外，单独的银颗粒先 至少在 2 天内通过绿光而被无损地读出。发出绿光，然后是红光，最后是黄光。通过对 周吉峰 纳米复合材料的应用 主要讨论一些材料纳米结构如何影响其 的形成，而第二相控制着最终性能，如表面精性能。重点是铝合金中的晶粒细化剂及第二 饰、腐蚀及强度等。初始铝化物形成及生长使相、消光非晶态磁性铁合金、磁性多层储媒及 这些影响在低浓度下难以研究。糊状区在热处读/写设备以及单壁碳纳米管的一维晶体。 理前的快速凝固于固体铝合金基体中形成 铝合金中的晶粒细化剂 锻制铝合金应 了1015 m-3 的溶质，富含 10nm100nm 液滴。用于饮料罐、平版印刷片及汽车仪表盘等。在 在二次冷却时，大于 1015 m-3 的铝化物粉末同铸造过程中，初始铝晶粒尺寸要小于 100ìm， 时固化，累积影响可用量热计记录。然后可用以保证其性质的各向同性。在主合金中加入 显微镜来确定其成核机理。缓冷时液滴形成TiB2 和 Al3 Ti 使晶粒细化，但成核机理还不十 Al-FeAlm 共晶体，在阳极化铝片中会引起表面分清楚。TiB2 和 Al3 Ti 不能单独起作用。TiB2 质量的降低。在液态铝中稳定，但对固化铝不起作用; 3 Ti Al 非晶态合金的消光性 非晶态合金的原起包晶反应，但在晶粒细化添加水平不稳定。 始结晶经常引起具有杰出磁性和机械性能的由于结晶生长，观察成核很困难。可以用玻璃 纳米晶体结构形成，具有潜在的工业应用前形态的合金作为未冷却液体的缓慢移动模拟， 景。3-D 原子探针3DAP可用来确定纳米晶用 TEM 来研究成核基本阶段。粉末嵌入非晶 体材料的局部成分。原子被场汽化并由质谱态的 Al85 N8 Y7 Co2 中，基面被一些单层厚吸收 检测，典型的聚集速度是-20nm×20nm×的含有铝的成核晶体的 Al3 Ti 覆盖。面心立方 100nm 的体积上 106 /天。软磁性纳米晶体铝晶体，四方晶系的 DO22 Al3 Ti 层，六方晶系 Fe71.5Si13.5 B9 Nb3 Cu1 Al2 的 3DAP 显示在 V-FeSi的 TiB2 片具有近距组装的方向及面平行，而 中的铝粉，减小了其磁性各向异性。铝也被混Al3 Ti 薄层中假近距组装的112片延伸以配合 合到铜束中，通过形成纳米级的 FeSi粉晶核TiB2 ， 从 而 使 成 核 的 铝 具 有 大 的 应 变 。 而控制其初始结晶。3DAP 也显示了在硬磁性2nm5nm 的铝晶体尺寸比过冷铝熔融体小得 纳米晶体 PrFeCoB中的分隔行为。钴使晶粒多，后者的极限晶核尺寸在 0.5K 的过冷条件 尺寸增大，从而又使两相 Pr2 Fe14 B1-Fe 合金的下为-1m。在大于 5nm 的铝晶体中需要失配位 居里温度上升，但钕的分隔在相应的铌合金中错来保持其凝聚。 不同。钴不均匀分布，增大 Pr2 FeCo14 B1 中 铝合金中的第二相 锻制铝合金中的 Co?Fe 的值，与单相合金相比较，提高了居ppm 级的杂质含量影响纳米级铝化物第二相 里温度。 稀有金属快报 2001 年第 12 期 11 应 用 开 发 磁性多层 GMR 在磁性层状薄膜中报道 设备的反应。后，其快速进展促进了各种用途的设备结构的 碳纳米管 碳纳米管可以用各种材料填发展。读头及无失存储器中最成功的结构是自 充，将盐类的一维晶体限制在纳米管壁中。典旋阀SVs，其中的阻抗变化在一些 Oe 的应用 型的纳米管内径为-1nm。已经发现，CdCl2 的 磁场中是 820。在 SV 中，两个铁磁FM 螺旋链，一种多面体的链结构，具有不同寻常层中间有一金属隔片层分开，其中一 FM 层中 的阳离子配位;在卤化物中如 CsCl 中的高压的磁化被一反铁磁层钉扎。另一 FM 层中的磁 岩石盐结构;卤化物如 KI 中的四角变形，生化可以在磁场中旋转。如果金属层被一绝缘体 长成 2 个或 3 个原子宽的链，即所有原子都在代替，而电流通过此层，就称钉扎通道连接 表面的亚单位晶胞晶体。STJ。无定型氧化铝层具有暗淡而随机的对 梁芳慧比。层与层之间的界面不是平整的，这会影响 日本各企业开发的碳纳米管制作法 包括碳纳米管在内，纳米技术在全世界 剂，使聚四氟乙烯树脂脱氟，制成三价碳中范围内还处于实验室研究开发阶段。低成本、 间体，作为碳原子的供应源，通过在真空条高质量的大批量材料制造工艺是最基本的技 件下加热，利用电子束等的激发作用制做碳术，日本企业正在把它作为这一领域最优先 纳米管。改变电子束激发的强弱，还能够控的课加紧研究开发，并不断取得进展。 制碳纳米管的长度、直径及形状等，产出率 碳纳米管是日本科学家饭岛澄男在 1991 可达 50。这种碳纳米管适合于制造储氢材年发现的，是碳原子组成的微小管状结构。 料。该公司预计 3 年内达到实用化水平。日本在这一研究领域目前处于领先地位。这 日本电气公司开发的方法是激光照射法，种纳米材料的基本制造方法是使用电弧放电 即向混有金属的碳材料照射激光，获得碳纳米法，即在两根石墨电极之间放电，使石墨电 管。其优点是产品的纯度高，质量好，缺点是极蒸发，形成碳纳米管。但是，这种方法的 难以进行大批量生产。生产效率很低，因此无法进行大批量生产和 在 东芝公司则以碳化物为基板， 200?满足需求。 1500?的温度下使之与氯或氟等气体接触，制 昭和电工公司从 1998 年起开始研究催化 做碳纳米管。索尼公司采取的方法是使用如同剂气相分解法。它使用 1000?高温的反应炉， 富勒结构即由碳原子组成的足球状结构一以钴或铁为催化剂，把碳氢化合物苯分解，碳 样的碳分子，添加白金等金属作为催化剂加分子就附着在催化剂的微粒上面，生长为碳纳 热。不过，这两家公司的制造方法虽然产量高，米管。目前，该公司已经制造出能够连续生产 但是质量较差。的试验性设备，1h 生产 200g 的碳纳米管。目 上述企业拥有先进的制造技术和强大的前，这被认为是最有希望达到大批量生产水平 研究开发能力，目前都在进一步改进碳纳米管的制造技术。 的制做方法，以尽快达到商业化水平。 大阪瓦斯公司开发的方法是用镁作还原 吴引江12 稀有金属快报 2001 年第 12 期