太阳电池的种类特点及发展趋势

太阳电池的种类特点及发展趋势 太能电池的电电特点及电展电电阳 一、电电 按照材料分电 ,硅太能电池,以硅电基材料;电晶硅、多晶硅、非晶硅,阳体 ,化合物半电太能电池,由电或电以上的元素电成具体阳两两 半电特性的化合物半电材料制成的太能电池体体阳(硫化电、 砷碲硒磷化稼、化电、电电、化电) ,有机半电太能电池,用含有一定量的,电且电电体阳数碳碳 能力介于金和电电之电的半电材料制成的电池属体体(分子 晶、电荷电移电合物、高聚物体) 二、特点及电展电电 ;一,、电晶硅太电池阳 特点, 硅系列太能电池中～电晶硅的阳光电电电效率最高～技电也最成熟。在大电模电用和工电生电中仍占据主电地位～但由于旧制造电程电电～制造电池的能耗大～电重影了其响广泛电用。 电晶硅太能电池的特点是电于大于阳 0.7μm 的电外光也有一定的敏度 灵。以p型电晶硅电电底～其上电散n型电电的太能电池阳与n型电晶硅电电底的太能电池相比～其光电阳特性的峰电更偏向左电。电电到紫色的短波电的光有电高的电敏度～它从灵但其制法电电～成本高～电限于空电电用。 ;二,多晶硅太电池阳 特点, 用电电法或晶电法制造的多晶硅太能电池阳在1976年电明其 电电效率已超电 10% ～电大 晶粒的电池～效率可达 20%。电电低成本的多晶硅太能电池已电大量生电～在太阳阳 能电池工电中所占的分电也相大。但是多晶硅材料电量比电晶硅差～有电多晶界存当 在～电池效率比电晶硅低～晶向不一致～面电化困电。构 电展电电 晶硅太电池向薄片化方向电展阳 硅片薄减降低硅片厚度是电电池降低成本的重要技电方向之一。构 今后～在如何电电新技电以得到低价格的多晶硅材料～如何得到高效率、大面电多晶硅太能电池等方面电有电多工作可做阳 ;三,非晶硅薄膜太电池阳 特点 电点 1非晶硅具有电高的光吸收系数 2非晶硅的禁电电度比电晶硅大～制电件的不同电在随条1.5-2.0eV的范电电化～电路内电电高。 3材料和制造工电成本低、电电电电～薄膜厚度电有千埃数～大大降低了硅原材料的成本～沉温电电度电100,300ºC。 4 没体几有晶所要求的周期性原子排列～乎可以淀电在任何电底上 . 5 适合制作特大面电、无电缺陷的薄膜构 , 易于形成大电模的生电能力, 生电可全 流程自电化. 6多品电和多用途.只要改电原材料的相成分或流量～便可使非晶硅薄气气体膜改性～可以自由电电制造～制作出适合不同需求的多品电电品。 7可以制电成电型、柔性太电池～易于建筑集成阳与。8 制电非晶硅太能电池能耗少阳 . 缺点 1与体晶硅相比～非晶硅薄膜太电池的效率相电电低阳 2 非晶硅薄膜太电池的光电电电效率在太光的电期照射下有一定的衰～到目前电阳阳减 止仍然未根本解决 . 电展电电 大电模地成本电电站～建筑相配合～建造太能房～太能照明光源～弱光下使与阳阳 用;如太能手表等,阳 ;四,多晶硅薄膜太能电池阳 特点, 多晶硅电池具有晶电池的特点～又具有非晶硅电池电点～具有低成本、大面电和制电既体 电电的电电～电底便宜～硅材料用量少～而且有光衰电电～其太能光电电电效率依然电没减阳低。 电展电电, 目前人电非常电注,如何在廉价的电底上～能电高速、高电量地生电多晶硅薄膜～多晶硅 薄膜的制电度要量低～以便电用低价电电的电底材料～多晶硅薄膜电性能的高可控温尽学 性和高重电性。 化合物半电薄膜太能电池体阳 化合物半电材料大多是直接电隙半电材料～光吸收系电高～体体数禁电电度一般电大～其 太电池的抗电射性能明电高于硅太电池。由于其生电电电电电、能耗大、生电周期电～电致阳阳 生电成本高～电用于部分不电成本的空电太电池上。阳;五,GaAs太电池阳 电点, 1 与阳太光电匹配良好～具有高的光电电电效率2禁电电度相电电大～可在电高度下工作。温 3 GaAs 材料电可电光的光吸收系高～数电池可采用薄电电～相电电电材料。构4 电池的抗电射能力电强。 5材料的电阻率小～由电池电阻引起的功率电耗电小。体 6 光照下太电池的电路电电电高阳 电展电电 GaAs叠电电池的电电～能大大提高电池的电电效率。在电电池电电中采用聚光技电成电电电的新叠电点。随跟着制电工电的电步和聚光技电及踪系电技电的成熟～相信其地面电用前景更加美 好。 ;六,CuInSe2太电池阳 特点, 1非常适合于太电池的薄膜化阳 2制造成本和能量电电电电电低于晶硅太电池将体阳 3抗电射能力强～ 电电效率高 4电池电定性好～基本不衰～减 5弱光性能好。 6材料是多元电成的～元素配比敏感～多元晶电电电～电多电界面匹配困电～体构与 7材料的制电技电电度高～ 8电和是稀有元素～材料源困电硒来 电展电电: 仍电在究电段～有电模工电化生电～主要电电包括,研没如何电电最佳的电技电、生电工电～沉 以降低成本～适电大电模、低成本生电～如何理解 CuInS2 薄膜生电机理及缺陷作用～电 一步提高光电电电效率。 ;七,CdTe太电池阳 CdTe 多晶薄膜的禁电电度电 1.45eV ～太电池阳 光电电电理电效率在 30 ,左右～是一电高效、 电定且相电低成本的薄膜太电池材料～而且阳 CdTe 太电池电电电～阳构容易电电电模化生电。 缺点 在常下温CdTe是相电电定和无毒的～但是Cd和Te是有毒的制电CdS薄膜电～多采用化学浴方法～溶液中存在大量的Cd2+地球上的Cd和Te电源十分有限～特电是稀有元素～电也潜个藏着一成本的电电电展电电, 无法耀升电市电主流: 2 模电基材材料成本太高。与 ? 碲天然电藏量有限。 ? 电的毒性～使人电无法放心的 接受此电光电池。 ;八,有机太电池阳 电点 1 化可电性大～原料源泛～学来广 2有多电途～可改电和提高材料光电吸收能力、电展光电吸收范电～提高电流子的电径并 送能力～ 3加工容易,可大面电成膜 4易电行物理改性 5电池制作可多电化～ 6价格便宜～有机染料高分子半电等的合成工电比电电电体 缺点, 与阳无机硅太能电池相比～在电电效率、光电电范电、电池的电定性方面～有机太能电响阳 池电有待提高。 电展电电: (1) 电化电池表面电～构将电池表面反射的光重新集聚电入电池～(2) 使用抗反射电膜电光子和制造多电多禁电电电池俘构捕电电波电的光子从而电得合理的光 子吸收效率～ (3) 使用低电阻率和小覆盖面的金作电前电属极以电得大的填充因子和高的光电流～(4) 除制造薄的光电池 ( 可以小减串电电阻 ) 外～电可以用电化集聚和电化技电降低电流子的电 合～ (5) 当用电菁作材料制造光电池电～电电考电其电晶型～因电光生电流子电率电晶型有电～与(6) 制造由电米电材料电成的光电池。 (九) 染料敏化太电池阳 电点 ,成本低 ,寿命电 ,大电模生电。 缺点,电解电 (1)易电致敏化染料的脱附; (2) 溶电易电电,与敏化染料作用电致染料降解; (3) 密封工电电电; (4) 电流子移速率迁很慢,在高强度光照电不电定; (5) 存在其他氧化电原反电…… 面电主要电电 ,染料电电;电在公电使用效果电好的N3 制电电程电电电,因而价格也比电电。昂 ,电米材料;如何电得制电方法电电、尺寸分布可控的电米材料,, ,电解电及基材料;电到体达体商电化的目电 溶液电解电要逐步用固电解电取代～以提 高电定性和使用寿命, ,电池的串并电电电……