刘金强：工学博士，教授

刘金强：工学博士，教授 刘金强 工学博士，南京理工大学材料科学与工程系教授 联系方式： 电话： 传真： Email: jqliu@mail.njust.edu.cn 简历： 1991年毕业于清华大学，获学士学位。 1994年毕业于山东大学，获理学硕士学位。 1994年--1995年，山东师范大学任教。 2000年毕业于北京科技大学，获工学博士学位。 2000年--2002年，美国Carnegie Mellon University，博士后； 主要研究领域：SiC晶体生长、SiC晶体与器件的微结构与性能。 2002年--2004年，加拿大Simon Fraser University，博士后； 主要研究领域：纳米半导体材料的分子束外延生长和微结构征。 现任教于南京理工大学材料科学与工程系。 2005年入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”。 研究兴趣： 材料的结构与性能 透射电子显微学、材料的微观结构分析 功能材料 纳米材料的制备和表征 近期代表性论文： W. Y. Jiang, J. Q. Liu, M. G. So, T. S. Rao, M. Thewalt, K. L. Kavanagh, and S. P. Watkins, “Effect of Bi surfactant on atomic ordering of GaAsSb”, Appl. Phys. Lett., 85(23), 5589(2004). J. Q. Liu, E. K. Sanchez, and M. Skowronski, “Surface-damage-induced threading dislocations in 6H-SiC layers grown by Physical Vapor Transport”, J. Electrochem. Soc. 150(3), G223 (2003). J. Q. Liu, H. J. Chung, T. Kuhr, Q. Li, and M. Skowronski, “Structural instability of 4H-SiC polytype induced by n-type doping”, Appl. Phys. Lett. 80(12), 2111 (2002). J. Q. Liu, M. Skowronski, C. Hallin, R. Söderholm, and H. Lendenmann, “Structure of recombination-induced stacking faults in high-voltage SiC p-n junctions”, Appl. Phys. Lett. 80(5), 749 (2002). This paper was selected by Thomson ISI Essential Science Indicators as a representative of a "fast moving ）. front" in Materials Science. （ M. Skowronski, J. Q. Liu, W. M. Vetter, M. Dudley, C. Hallin, and H. Lendenmann, “Recombination-enhanced defects motion in forward-biased 4H-SiC p-n diodes”, J. Appl. Phys. 92(8), 4699 (2002).