3DA18型晶体管

3DA18型晶体管 结构名称：NPN硅外延平面高频功率三极管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于200MHz下输出0.5W的超高频放大器及其它电子设备中。 外 形 图：B—4型 3DA18 电参数 序号 参数 单位 测试条件 值 A B 1 PCM W Tc=70℃±5℃ 1 2 IC A 0.15 3 TjM ℃ 175 4 ICBO µA VCB=12V ≤40 ≤10 5 ICEO µA VCE =20V ≤100 ≤40 6 BVEBO V IE=1mA ≥4 ≥4 7 BVCEO V IC=1mA ≥35 ≥50 8 BVCBO V IC=1mA ≥40 ≥55 9 hFE VCE=5V，IC=40mA ≥15 ≥15 10 VCE(sat) V IC=50mA，IB=10mA ≤0.5 ≤0.5 11 fT MHz f=100MHz，VCE=15V， IC=50mA ≥400 ≥400 12 PO W f=200MHz，VCE=24V， Pi=0.05W ≥0.5 ≥0.5 13 GP dB ≥10 ≥10 页码，1/1 2010-9-24file://F:\3DA18型晶体管.htm