第五章物理气相淀积null集成电路制造技术
第五章 物理气相淀积集成电路制造技术
第五章 物理气相淀积
西安电子科技大学
微电子学院
戴显英
2010年3月第五章 物理气相淀积第五章 物理气相淀积PVD:physical vapor deposition
淀积特点:物理过程;
技术:
①蒸发:早期工艺制备金属薄膜;
②溅射:已取代蒸发。
5.1 真空蒸发的基本原理5.1 真空蒸发的基本原理材料的三态:solid,liquid,gas;
蒸气:任何温度下,材料表面都存在自身的气体;
蒸气压:平衡时的饱和蒸气压;
升华:低...
null集成电路制造技术
第五章 物理气相淀积集成电路制造技术
第五章 物理气相淀积
西安电子科技大学
微电子学院
戴显英
2010年3月第五章 物理气相淀积第五章 物理气相淀积PVD:physical vapor deposition
淀积特点:物理过程;
技术:
①蒸发:早期工艺制备金属薄膜;
②溅射:已取代蒸发。
5.1 真空蒸发的基本原理5.1 真空蒸发的基本原理材料的三态:solid,liquid,gas;
蒸气:任何温度下,材料
面都存在自身的气体;
蒸气压:平衡时的饱和蒸气压;
升华:低于熔化温度时,产生蒸气的过程;
蒸发:熔化时,产生蒸气的过程;
真空蒸发:
利用蒸发材料熔化时产生的蒸气进行薄膜淀积;
优点:工艺及设备简单,淀积速率快;
缺点:台阶覆盖差。5.1.1 真空蒸发设备5.1.1 真空蒸发设备①真空系统
②蒸发系统
③基板及加热系统基板蒸发源真空系统蒸发淀积过程蒸发淀积过程①加热蒸发:加热蒸发源(固态),产生蒸气;
②输运:气化的原子、分子扩散到基片表面;
③淀积:气化的原子、分子在表面
凝聚、成核、成长、成膜;
5.1.5 多组分蒸发5.1.5 多组分蒸发如,合金蒸发
方法:(按蒸发源分类)
①单源蒸发:具有薄膜组分比例的单一合金靶;
靶源的要求:各组分蒸汽压接近;
②多源同时蒸发:多种靶源,不同温度,同时蒸发;
③多源顺序蒸发:多种靶源,不同温度,顺序蒸发,
最后高温退火;
工艺关键:根据薄膜组分控制各层厚度;
5.1.5 多组分蒸发5.1.5 多组分蒸发5.2 蒸发源5.2 蒸发源(按加热方式分类)
①电阻加热源
②电子束加热源
③高频感应加热源
④激光加热源5.2.1 电阻加热源5.2.1 电阻加热源直接加热源:加热体与蒸发源的载体是同一物体;
加热体-W、Mo、石墨。
间接加热源:坩埚盛放蒸发源;
坩埚-高温陶瓷、石墨。
对加热体材料的要求:不产生污染
①熔点高:高于蒸发源的蒸发温度;
②饱和蒸汽压低:低于蒸发源;
③化学性能稳定:不发生化学反应,不形成合金。
优点:工艺简单,蒸发速率快;
缺点:难以制备高熔点、高纯度薄膜。5.2.2 电子束蒸发源5.2.2 电子束蒸发源原理:电子轰击蒸发材料,
使其熔化蒸发。
特点:淀积高熔点、
高纯薄膜;
5.2.2 电子束蒸发源5.2.2 电子束蒸发源优点:
①蒸发温度高:能量密度高于电阻源,可蒸发3000度以上的材料:W,Mo,Ge,SiO2,Al2O3;
②高纯度淀积:水冷坩埚可避免容器材料的蒸发;
③热效率高:热传导和热辐射损失少。
缺点:
①一次电子和二次电子使蒸发原子电离,影响薄膜质量;
②设备及工艺复杂。5.2.3 激光加热5.2.3 激光加热可蒸发任何高熔点的材料(聚焦激光束功率密度高达106W/cm2);
被蒸发材料局部受热而汽化,高纯度薄膜,(光斑很小,防止了坩锅材料受热的污染);
淀积含有不同熔点材料的化合物薄膜可保证成分比例(功率密度高)
真空室内装置简单,容易获得高真空度5.2.4 高频感应加热源5.2.4 高频感应加热源优点:
①蒸发速率快:
蒸发面积大;
②温度控制精确、均匀;
③工艺简便;
缺点:
①成本高;
②电磁干扰。5.4 溅射5.4 溅射原理:气体辉光放电产生等离子体→具有能量的离子轰击靶材→ 靶材原子获得能量从靶表面逸出-被溅射出→溅射原子淀积在表面。
特点:被溅射出的原子动能很大,10-50eV(蒸发:
0.1-0.2eV);还可实现离子注入。
优点:台阶覆盖好(迁移能力强)。Ar+离子能量和动量转移将使表面原子脱离化学键束缚null5.4.3 溅射方法5.4.3 溅射方法直流、射频、磁控、反应、
离子束、偏压等溅射;
1.直流溅射
(又称阴极溅射或直流二级溅射
,常用Ar气作为工作气体。)
溅射靶:阴极
衬底:阳极(接地)
工作气体:Ar气
要求:靶材导电性好
特点:只适于金属靶材5.4.3 溅射方法5.4.3 溅射方法2. RF溅射
原理:高频电场经其他阻抗形式耦合进入淀积室;
特点:适于各种金属与非金属靶材;
5.4.3 溅射方法5.4.3 溅射方法3.磁控溅射
原理:
磁场在靶材表面与电场垂直,电子沿电场方向加速、绕磁场方向螺旋前进,提
高了电子碰撞电离效率。
特点:淀积速率最高;
磁控溅射系统磁控溅射系统
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