12V转换100W逆变器
DC/AC逆变器的制作
这里介绍的逆变器(见图)主要由 MOS 场效应管,普通电源变压器构成。其输出
功率取决于 MOS 场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合
电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。--拓普电
子
1.电路图
2.工作原理
这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。
方波信号发生器(见图 3)
这里采用六反相器 CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻,用于改
善由于电源电压的变化而引起...
DC/AC逆变器的制作
这里介绍的逆变器(见图)主要由 MOS 场效应管,普通电源变压器构成。其输出
功率取决于 MOS 场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合
电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。--拓普电
子
1.电路图
2.工作原理
这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。
方波信号发生器(见图 3)
这里采用六反相器 CD4069 构成方波信号发生器。电路中 R1 是补偿电阻,用于改
善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1 充放电
完成的。其振荡频率为 f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为:
fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-
6=48.0Hz。由于元件的误差,实际值会略有差异。其它多余的反相器,输入端接地
避免影响其它电路。
场效应管驱动电路。
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为 0~5V,为充分驱动电源开关
电路,这里用 TR1、TR2 将振荡信号电压放大至 0~12V。如图 4 所示。
MOS 场效应管电源开关电路。
这是该装置的核心,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释一下 MOS 场效应管
的工作原理。
MOS 场效应管也被称为 MOS FET, 既 Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两
种。本文使用的为增强型 MOS 场效应管,其内部结构见图 5。它可分为 NPN 型
PNP 型。NPN 型通常称为 N 沟道型,PNP 型也叫 P 沟道型。由图可看出,对于 N
沟道的场效应管其源极和漏极接在 N 型半导体上,同样对于 P 沟道的场效应管其
源极和漏极则接在 P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出
的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认
为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我
们称之为场效应管的原因。
为解释 MOS 场效应管的工作原理,我们先了解一下仅含有一个 P—N 结的二极管
的工作过程。如图 6 所示,我们知道在二极管加上正向电压(P 端接正极,N 端接
负极)时,二极管导通,其 PN 结有电流通过。这是因为在 P 型半导体端为正电压
时,N 型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的 P 型半导体端,而 P 型半导
体端内的正电子则朝 N 型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加
上反向电压(P 端接负极,N 端接正极)时,这时在 P 型半导体端为负电压,正电
子被聚集在 P 型半导体端,负电子则聚集在 N 型半导体端,电子不移动,其 PN 结
没有电流通过,二极管截止。
对于场效应管(见图 7),在栅极没有电压时,由前面
可知,在源极与漏极之
间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(图 7a)。当有一个正电压加在
N 沟道的 MOS 场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时 N 型半导体的源极和漏
极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个 N
沟道之间的 P 型半导体中(见图 7b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。
我们也可以想像为两个 N 型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们
之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。图 8 给出了 P 沟道的 MOS 场
效应管的工作过程,其工作原理类似这里不再重复。
下面简述一下用 C-MOS 场效应管(增强型 MOS 场效应管)组成的应用电路的工
作过程(见图 9)。电路将一个增强型 P 沟道 MOS 场效应管和一个增强型 N 沟道
MOS 场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P 沟道 MOS 场效应管导
通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N 沟道 MOS 场效应管导通,
输出端与电源地接通。在该电路中,P 沟道 MOS 场效应管和 N 沟道 MOS 场效应
管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们
可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到 0V,通
常在栅极电压小于 1 到 2V 时,MOS 场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压
略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
由以上分析我们可以画出原理图中 MOS 场效应管电路部分的工作过程(见图
10)。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为 50Hz 的交变信号通过变
压器的低压绕组时,会在变压器的高压侧感应出高压交流电压,完成直流到交流的
转换。这里需要注意的是,在某些情况下,如振荡部分停止工作时,变压器的低压
侧有时会有很大的电流通过,所以该电路的保险丝不能省略或短接。
3.制作要点
电路板见图 11。所用元器件可参考图 12。逆变器用的变压器采用次级为
12V、电流为 10A、初级电压为 220V 的成品电源变压器。P 沟道 MOS 场效应管
(2SJ471)最大漏极电流为 30A,在场效应管导通时,漏-源极间电阻为 25 毫欧。
此时如果通过 10A 电流时会有 2.5W 的功率消耗。N 沟道 MOS 场效应管
(2SK2956)最大漏极电流为 50A,场效应管导通时,漏-源极间电阻为 7 毫欧,
此时如果通过 10A 电流时消耗的功率为 0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流
情况下,2SJ471 的发热量约为 2SK2956 的 4 倍。所以在考虑散热器时应注意这
点。图 13 展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器(100mm×100mm×17mm)上
的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大,出于安全考
虑这里选用的散热器稍偏大。
4.逆变器的性能测试
测试电路见图 14。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大(一般大
于 100A)的 12V 汽车电瓶,可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的
电灯泡。测试的
是通过改变负载大小,并测量此时的输入电流、电压以及输出
电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图(图 15a)。可以看出,输出电压随负
荷的增大而下降,灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输
出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改
变,并且输出电压、电流也不是正弦波,所以这种的计算只能看作是估算。以负载
为 60W 的电灯泡为例:
假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为 R 灯=V2/W=2102/60=735Ω,所以
在电压为 208V 时,W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。
通过测试,我们发现当输出功率约为 100W 时,输入电流为 10A。此时输出电压为
200V。逆变器电源效率特性见图 15b。图 16 为逆变器连续 100W 负载时,场效应
管的温升曲线图。图 17 为不同负载时输出波形图,供大家制作是参考。
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作者:不详
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