内存的原理

nullnullMemory Concept-(A)Wilson.Cheng null何謂記憶體 記憶體是可以儲存和讀取記憶資料的紀錄媒介總稱， 例如可以儲存大量資料的硬碟、 CD-ROM及可錄式DVD等 ，算記憶媒體的的一種，另外使用半導體所製作出的 RAM 、ROM也統稱為記憶體。 為了避免混亂， 將快取記憶體、 暫存器及主記憶體等 半導體材料稱為內部記憶體，硬碟、 CD-ROM及DVD等裝置 歸類為外部記憶體。此處將介紹以半導體製成的內部記憶體 為主。null記憶體的種類半導體記憶體具有體積小、可靠度高、低成本和速度快的特性，依據記憶單元的種類可以分成下列兩種。 唯讀記憶體(ROM ,Read Only Memory ) ROM的特性是所儲存的資料不會因為電源關閉而消失，因此又被稱為非揮發性記憶體，ROM又可分為在製造時便將資料寫入晶片中，使用者無法自行更改的ROM，和使用者可以自行更改儲存資料的可程式ROM兩種。 隨機存取記憶體(RAM ,Random Access Memory ) RAM的特性是可以隨時進行資料的讀寫與存取，但是如果停止供應電源時，所儲存的資料便會消失,因此又被稱為揮發性記憶體。nullROM的種類遮幕式唯讀記憶體(Mask ROM) : 在進行IC製程便直接利用光罩將資料設計入IC，因此寫入的資料無法更改，適合固定資料的方式。 熔絲唯讀記憶體(Fuse ROM) : 使用者可以將記憶體中的熔絲燒斷而將資料寫入，但是寫入後便無法更改儲存內容的記憶體。 可擦拭程式唯讀記憶體(EPROM) : 使用者可以寫入資料的唯讀記憶體，將電荷利用崩潰效應注入上層閘極來達到寫入資料的目的，照射紫外光便可以將儲存的資料消除。 電可擦拭程式唯讀記憶體(EPROM) : 基本上和EPROM相同,但是可以利用穿隧現象直接以電訊號將儲存的資料消去,又稱為快閃記憶體(Flash EEPROM)null記憶體種類分支圖。nullROM 等效電路Mask ROM Fuse ROMEPROMEEPROMnullRAM 的種類 動態隨機存取記憶體(SRAM): 基本上SRAM的讀寫動作與DRAM相同，但是由於利用Flip-Flop的電路結構來儲存資料，因此容量只有DRAM的1/4 。SRAM好處是資料寫入之後只要電源保持，資料可以一直維持而不需要反覆進行重寫的動作。 動態隨機存取記憶體(DRAM) : DRAM主要結構是由一個電晶體和一個電容構成一個記憶位元(bit)。由於每個記憶位元的元件結構很簡單因此很適合高度集積化。每個位置都可以進行高速讀寫的動作。由於是利用電容儲存電荷來達到記憶資料的目的，因此每隔一段時間便必須進行重寫(Re-fresh)以避免儲存在電容中的電荷消失而造成資料流失，後續將以介紹DRAM為主。nullRAM 等效電路SRAMDRAMnullRow Address BufferRow Address DecoderMemory Array N=n*mWord Line(m)Bit Line(n)Control LineSense AmplifierI/OColumn Address DecoderColumn Address BufferColumn Address inputData InputData OutputRow Address inputDRAM的結構nullDRAM的結構DRAM的基本架構包括: Memory Array Sense Amplifier Row 、 Column Buffer and Decoder I/O Amplifier and Buffer Control Unitnull DRAM的標準結構如上圖所示，資料儲存在二次元陣列的 N(n*m)位元記憶單元內。透過 Row和Column 的Address Buffer可以將資料寫入特定的記憶單元或是由記憶單元讀出。 利用Row Decoder 選擇n條Word Line 其中特定一條，Column Decoder選擇n條Bit Line 其中一條之後，其中的Sense Amplifier 會與資料輸出入線路(I/O)連結，接受控制線路的指令將資料讀出或寫入。DRAM的結構nullMemory Module 的 問世 在DRAM誕生之初，並非初期就是現今所熟知的模組（Module）型式，而是直接將IC晶片（俗稱顆粒，即RAM Chip）插於主機板上，裝滿一排才能運作。後來才轉為將記憶IC銲於長條形PCB板上的方式，經由金手指與專屬插槽連接。 例如在386時期，當時的電腦大多是裝載1MB記憶體，並由4條256KB模組所組成。由於採30Pin FPM（Fast Page Mode）架構設計，故一次得安裝4條才能開機，且每條容量均要保持一致。因此，想要升級到4MB的水準，不僅要同時買4條1MB來升級，付出每1MB千元的代價，還必須捨棄原來的4條模組。 不過隨著PC架構的改朝換代，DRAM不僅追求容量的成長外，也朝向時脈、接腳、資料寬度及工作電壓等體質上的改良，以因應每個PC時期的記憶體高速傳輸需求。null由於記憶體製程技術的進步，不僅容量加大，價格也越來越便宜，使得上述相同的預算在現今就可以買到1GB的容量，還可以單支運作，大幅降低整體系統購置成本。 只是記憶體技術進化迄今，仍都是屬於DRAM（Dynamic Random Access Memory）層面的延伸，本質上還是揮發性(volatile)的儲存媒介，亦即DRAM需透過外加電路，使其內容不斷地被刷新（Refresh），以避免資料流失。 因為DRAM內部是以bit為單位儲存資料，並採矩陣排列，因此每個bit位址分為行與列兩部分，刷新動作即是針對列位址的儲存單元進行充電，被充電的數目稱之為刷新率。目前DDR、DDR2的刷新時間達7.8ms，刷新率則是8K。nullMemory Module 的主要元件1. 記憶體顆粒2. EEPROM3. PCB4. PLL(Clock buffer)5. RegisternullPC上常見的DRAM Module種類FPM EDO SDRAM VCRAM Direct Rambus DRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM FB-DIMMnullFPM DRAM1990年出現的FPM DRAM Module，最早是屬於30Pin接腳規格，以5V電壓工作，同時單條一次只能存取8Bits的資料。不過，考量到386/486平台的記憶體匯流排為32Bits設計，因此如同前述所提，FPM DRAM模組必須一次裝滿4條（4 * 8bits = 32bits）才能運作。 此外，在速度上，FPM DRAM初期是以60ns、70ns為主，後來陸續有著50ns、55ns及45ns之類的等級出現。由於FPM 8Bits寬度、4條一組的限制，若要符合新一代64Bits匯流排傳輸，主機板勢必得一次插上8條容量相同的30Pin DRAM，造成容量搭配、預算上的困擾。 有鑑於此，當486、Pentium接手市場主流後，連帶地引領72Pin DRAM躍上檯面。null就外觀而言，72Pin DRAM的長度比30Pin要多出一些，甚至金手指中央還有半圓形防呆凹槽，防止插錯方向的情形產生。不僅如此，72Pin模組的資料寬度也成長4倍，達到32bits大小，搭配486主機板只要安裝單條即可。 若是Pentium平台，由於晶片組為64Bits記憶體匯流排架構，因此72Pin FPM模組必須成雙使用。不論SIMM還是DIMM，為了保有資料的正確性，還經由Parity Check、ECC、Chipkill、Registered及Buffer等方式來維護，其中Parity Check是用於30Pin、72Pin記憶體時期。 簡單地說，Parity Check就是在每8Bits資料中，加入1Bit的檢查位元，以奇同位或偶同位原理偵測錯誤。不過，Parity Check設計僅具備稽核效果，無法進而達到修正目的，所以後來才有ECC（Error Code Checking & Correcting）錯誤校正功能的誕生，並廣泛應用於工作站、Server領域。null早期的FPM屬30Pin接腳設計，且由於採8bit架構，故一次需安裝4條才能滿足32bit匯流排所需。nullEDO DRAMEDO是Extended Data Output的縮寫，於1994年現身，除了仍維持72Pin接腳外，一併具備SIMM與DIMM版本，且兩者皆為16Bit類型，若搭配當時的32Bits記憶體匯流排，則同樣要安裝兩隻來運作。與FPM相比，其實兩者採用相同的顆粒生產技術，而EDO獨特之處在於降低外送資料訊號的處理時間，在循序讀取4Bytes的狀態下，能夠減少3個時脈週期，所以理論上將獲得超出FPM 記憶體10~30倍的讀取效率。 最早的EDO DRAM以5V電壓運作，同時分成45ns、50ns、60ns及70ns等規格，最高傳輸表現可達320MB/s。隨著半導體製程技術的提升，FPM、EDO等記憶體逐漸走入3.3V時代，當然由於適逢市場轉型期，因此當時還有著3.3V、5V的雙電壓版本推出，藉以解決主機板搭配問題。至於接替EDO位置的並非知名的SDR SDRAM，中間還有BEDO（Burst EDO）的曇花一現，擁有比EDO更高的傳輸速度。nullEDO DRAM接腳數為72Pin，並且金手指中央開始採用防呆凹槽設計。nullSDRAM進入1996年，在Intel 430VX、430TX等晶片組的帶領下，宣告SDRAM（Synchronous DRAM）時代來臨。SDRAM的開發初衷，為的就是拉抬時脈，以強化系統效能。當SDRAM問世之初，即擁有66MHz的工作頻率，因此又可稱作PC-66。另一方面，SDRAM的資料寬度亦一併上揚，達到64bit境界，搭配當時的主流晶片組，僅需使用一條即可開機，在符合64Bits記憶體匯流排之餘，也不再存有FPM、EDO成雙成對的組合限制。 SDRAM之所以能夠大幅提昇存取表現，關鍵在於運用顆粒內的時脈，讓輸入、輸出動作同步進行，加上與CPU外頻一致，所以沒有等待週期問題，減少傳輸延遲狀況。SDRAM除了與CPU的外部工作時脈同步外，另外在Burst Mode 方面，它也內建了Address Generator和Burst Counter,它們可以自動產生下一筆資料的位址，因此系統可以連續讀取數筆資料以增加效率。null隨著SDRAM的出現，等於宣告64bit記憶體資料寬度的來臨。null曾經為Intel立下汗馬功勞、紅極一時的440BX晶片組，為劃時代的PC-100記憶體帶來推波助瀾之效。PC-100意指在100MHz的時脈下工作，連帶將記憶體傳輸頻寬增加至800MB/s (100MHzx64bits)水準，讓外頻同為100MHz的Pentium II處理器更加如虎添翼。至於接下來的PC-133規格，則換成VIA主導，由VIA 694x晶片組掀起風潮，並且在時脈達到133MHz之際，傳輸頻寬也首次破『GB』（1064MB/s）。 附帶一提，SDRAM除時脈增加、採64Bits架構設計外，另一項特點即是導入了ECC（Error code Checking & Correcting）功能。ECC算是Parity Check的進化版，不僅具備資料檢查能力，還可進一步修正錯誤，確保系統正常運作，不致於因為系統的不可預期錯誤而讓整個電腦的運作中斷。ECC是在每組資料多加入4Bits空間，用來存放CRC數值，以此為依據計算，完成修正錯誤的工作。nullSDRAM TimingnullVCM SDRAMVCM是Virtual Channel Memory的簡稱，由NEC主導，共分為VCM100、VCM133兩種，且數字型號代表時脈高低（如：VCM100即是100MHz），目的是在效能強化的之餘，一併擁有相容於既有晶片組的優勢。由於VCM同樣屬168Pin腳位設計，並以3.3V電壓運作，因此可歸類於SDRAM範疇，算是SDRAM技術的延伸版本。 既然VCM與SDRAM在規格上幾乎相同，到底特殊之處為何？其實從名稱上即可看出端倪，直接於顆粒內加入Buffer來增加多工處理效率。以往，SDRAM須等待CPU運算完畢後，才能將資料完整地送至SDRAM做進一步的處理，但VCM的內部區卻分為16條虛擬通道（Virtual Channel），每個通道負責一個單獨的Memory Master，因此可有效地減少Refresh、Precharge時間，增加電腦多工處理效率。null其實VCM技術並非只能應用在SDRAM領域，連帶著也能讓DDR SDRAM、RDRAM受惠，只不過此種概念僅在SDRAM上實現罷了！當然由於VCM架構上與SDRAM相近，因此主機板不僅不用更換記憶體插槽，線路亦不必重新編排，即可與原本的晶片組搭配。 唯一啟動VCM加速的前提，就是BIOS設計需略作更動，否則將會被視作一般的PC-133 SDRAM。倘若BIOS尚未修改，嚴重的話甚至會發生無法開機的情況。 當時支援VCM的有VIA、SiS、ALi等廠商，唯獨市面上最大宗的Intel晶片組主機板大多不支援VCM記憶體，因此使得VCM的發展不順遂，導致後來無法發展成為主流的記憶體技術。 nullVCM模組在外觀上與SDRAM無異，同樣採168Pin接腳設計。nullDirect Rambus DRAM表面上看來，DRDRAM(Direct Rambus DRAM)的16bit匯流排似乎比SDRAM還不如，但初期憑藉著600MHz的核心速度，因而擁有1.2GB/s（600MHz x 16bit）的驚人頻寬，大幅超前PC-133 SDRAM。 而DRDRAM之所以能夠達到如此的時脈突破，關鍵在於跳脫傳統的SDRAM架構，比DDR SDRAM更早採用Prefetch概念，透過串列式傳輸，並運用了在同一時脈週期內，波峰與波谷同時傳遞訊號的技術，促使內部時脈得以雙倍成長。 然就因為如此，早期的DRDRAM必須成雙成對使用，且主機板上剩餘的DIMM槽都必須安裝C-RIMM才能運作，搭配彈性較DDR SDRAM遜色。既然是由Intel所力挺，當然Intel也針對DRDRAM發表了820（研發代號：Camino）晶片組，但由於單通道的設計，不僅效能未達預期，加上權利金問題引發的價格飛漲，以及820晶片組的MTH（Memory Translation Hub）瑕疵等不利因素，以致於在PC市場的推展過程上重重受阻，反倒不如在Pentium II Xeon、Pentium !!! Xeon等工作站/伺服器市場，所搭配840晶片組的組合來得順利。null面對來勢洶洶的DDR SDRAM，Intel利用840晶片組的雙記憶體通道作法，再度以850晶片組迎戰。 850晶片組搭配PC800展現出的3.2GB（800 x 2 Byte x 2）強大頻寬，領先當時由AMD、VIA及SiS所組成的DDR266（2128MB/s）陣營。接下來，DDR SDRAM與DRDRAM開始以時脈互別苗頭，DDR一路從DDR266、DDR333、DDR400向上挺進，RAMBUS則祭出PC1066 DRDRAM，並透過線路修改方式，將原本16bit的記憶體匯流排變為32bit，單通道即可提供4.2GB/s的水準，甚至後來的SiS R659晶片組還支援雙通道32bits的PC1200模組，頻寬一舉達到9.6GB/s境界。 nullRamBus最大的特色就是串列式的架構nullDDR SDRAMDDR概念最早在1996年由韓國三星（Samsung）提出，並聯合東芝(Toshiba)、日立(Hitachi)、三菱(Mitsubishi)、富士通(Fujitsu)及德州儀器(TI)等廠商共同制訂，於1999年開始起草。基本上，DDR SDRAM是基於SDRAM技術，儘管核心頻率一樣同為100、133MHz，但卻可在外部創造出雙倍時脈的效果，有效地強化傳輸頻寬。 一般而言，通常所謂的PC-133記憶體模組，全名應是PC-133 SDR SDRAM，其中SDR是Single Data Rate的縮寫，指的是一個時脈週期內只能傳送一筆資料。至於DDR則經由類似AGP 2x的倍頻控制原理，讓同一時脈週期的上升與下降間均可傳輸資料，且在基準頻率不變的前提下，時脈得以提升為原來SDRAM的兩倍。此外，定址與控制訊號僅在上升波形時傳送，這點倒是維持與SDRAM相同的作法。null對支援DDR SDRAM的晶片組來說，其實仍維持在64bit記憶體匯流排設計，只不過在雙倍外部時脈效果下，讓頻寬也隨之倍增。以核心速度133MHz為例，將可發揮266MHz的水準，換算後的頻寬約為2128MB/s (266MHz * 64bit)，所以DDR266又可稱作PC2100。 而DDR SDRAM的另一改變則是接腳數與工作電壓的差異，採用184Pin、2.5V的規格，並同樣可支援ECC、Registered設計。 在效能成長的誘因下，先前記憶體廠商間的速度大戰，又再度於DDR SDRAM上重演，時脈一路從DDR200、DDR266、DDR333、DDR400向上挺進，且DDR400於2003年正式獲得JEDEC的認證，成為DDR SDRAM的正式標準。 null至2005年底，DDR SDRAM仍是現今市場主流。nullDDR2 SDRAMJEDEC預測到不斷提升DDR時脈的結果，將會引發在高速運作下，訊號不易處理、線路設計等障礙。有鑑於此，相關的主機板晶片組、記憶體顆粒及DRAM模組等廠商，即開始以DDR SDRAM為基礎進行體質改造，重新規範腳位定義、接腳數量、工作電壓及顆粒結構等條件，訂定下一代的DDR2發展計畫。同時，首款支援DDR2 SDRAM的晶片組Intel 915P、925X也於2004年年中問世，開啟DDR2 SDRAM時代大門。 初始的DDR2時脈僅400、533MHz，從規格面看，傳輸頻寬與同速度的DDR SDRAM一致，顯然對效能並沒有帶來太大的助益。直到Intel 945/955、nForce4 SLI Intel Edition等晶片組發表後，DDR2 SDRAM開始跨入DDR2-667階段，理論傳輸頻寬連帶提升至10.7GB/s（667MHz x 8Byte x 2，雙通道），且此標準也通過JEDEC的認可，成為新一代的DDR2規範。null為了提高時脈固然是DDR2的發展主因，但DDR2不論架構還是製程均產生諸多變革，因而享有低耗電、散熱佳等優點。DDR2採240Pin腳位設計，且工作電壓亦從原先DDR的2.5V降至1.8V，約節省了50%的耗電量，此外還結合了以下四項關鍵技術。 ODT OCD Calibration 4-bit Prefetch Posted CASnullODT: DDR為避免線路終端反射訊號之干擾，並於記憶體顆粒外截斷訊號，通常是透過主機板上的終端電阻來達成。反觀DDR2方面，則是直接於記憶體顆粒內搭載ODT（On Die Termination），將截斷動作移至顆粒內進行，讓邏輯準位更為清晰，減少資料錯誤的機率。相對地，OCD設計也降低了主機板的電路空間與製造成本，同時主機板只要單通道即可支援4組DDR2模組，不會存在DDR只能支援2組DDR400的狀況。nullOCD: 簡單地說，OCD（Off Chip Driver）Calibration是配置在DDR2顆粒外，用來校正信號的設計。經由I/O驅動電阻，調整差動電壓訊號（Voltage Differential Signal）的波形交會點，進而控制上升與下降之平衡，並且將DQ/DQS偏移減至最低，以強化訊號完整性。此外，DDR2藉由Overshoot與Undershoot來改善訊號品質，並透過I/O驅動器電壓校準方式，修正不同模組供應商間的製程差異。null4-bit Prefetch: 提到Prefetch（預取寬度），這是屬於Buffer概念的應用，且DDR2的Prefetch具有4-bit水準，為DDR的兩倍，即便核心採低速運作，卻能於外部資料匯流排（Data Bus）展現高速的實力。經由Buffer原理，DDR2每次會存取4bits一組的資料，在兩個時脈中輸出至資料區，或是分成兩次輸出。以核心速度200MHz為例，DDR達400MT/s，DDR2則是800MT/s，使得存取效率倍增。 nullPosted CAS: 針對指令衝突引發的存取效率降低狀況，DDR2利用Posted CAS方式解決。 其實指令衝突的情形並非只發生在DDR2上，SDRAM即已經存在，只不過DDR2上較為明顯，特別是高負載狀態，導致頻寬使用率縮減。說得更深入一點，DDR2的Posted CAS功能，即是將CAS週期提前，安排到RAS (Row Address Strobe)信號後面的一個時脈週期。 如此一來，CAS (Column Address Strobe)命令可在附加延遲(Additive Latency)後的0~4個週期內均保持有效，且讀/寫操作不會因此而提前，總延遲時間亦沒有受到影響。 nullProblems with DDR SDRAMnullOverview of Posted CAS Operation (Read Operation)nullSDRAM vs DDR vs DDR2 null隨著新一代伺服器平台運算能力的增加，記憶體頻寬成為系統效能瓶頸的效應日趨明顯。儘管當前DDR、DDR2的雙通道架構能夠有效地拉抬記憶體頻寬，但若要再進化為『四通道』水準，對主機板線路的設計將造成相當難度。畢竟在記憶體控制器與模組間要保持傳輸信號同步，其線路長度必須嚴格要求一致，這也意味著主機板晶片組與DIMM插槽間的線路將更為複雜，如此將佔用過大的面積，間接導致主機板生產成本的增加。 有鑑於此，為了滿足未來的企業運算環境，發展容量更大、速度更快的記憶體技術已成必然趨勢。不過，以傳統的DDR、DDR2設計而言，受到並列（Parallel）匯流排架構的制約，效能很難再有所提升，因此Intel植基於現有的DDR2技術，發表了FB-DIMM（Fully Buffered Dual In-line Memory Module）概念，在低成本前提下，一併兼顧效能與容量。FB-DIMM nullFB-DIMM是Intel繼DRDRAM之後，第二次押注的新一代記憶體架構。鑒於上一次的失敗經驗，這次FB-DIMM是採用是現有的DDR2記憶體顆粒，最大差異在於搭載一顆AMB（Advanced Memory Buffer），晶片將資料由並列轉換為高速串列方式傳輸給CPU，與現有記憶體架構相比，每通道記憶體容量高出4倍，記憶體頻寬則增加了約33% 。 當然也因為串列的訊號傳輸，連帶地使得FB-DIMM模組的設計更為簡潔，接腳僅69Pin，且沒有繞線複雜的狀況，約可減少1~2層的PCB板，同時還可改善高頻傳輸所帶來的干擾(noise)與串音(cross talk)問題。在FB-DIMM架構內，每個AMB是屬於串聯狀態，透過點對點方式連接，資料在每個緩衝區間依序傳遞，如此前一個緩衝區與記憶體控制器間的連接阻抗即可保持穩定，進而有助於容量與頻率的提升。此外，FB-DIMM的串列匯流排採用低電壓差動（Low-Voltage Differential Signaling，LVDS）設計，有點類似PCI Express匯流排原理，因而有效地強化FB-DIMM的抗干擾能力。 null就外觀上而言，FB-DIMM在模組中央多了AMB晶片，以串列方式與CPU溝通。nullWhat is Bank(Rank)system 與Memory data bus 的基本運作單位. 30 pin SIMM 每根可以傳送八個位元。在 32 bits的PC中最少要插四根才會開機，所以四根30 pin SIMM 合為一個Bank 。 72 pin SIMM 每根可以傳送32個位元。在 32 bits的PC中最只要插一根就會開機，所以一根72 pin SIMM就是一個Bank 。 Pentium 以後的Memory data bus 改為64 bits ，所以兩根72 pin SIMM 合為一個Bank 。而168 pin and 184 pin的DIMM 因一次就可以傳送64 bits的Data ，所以一個Slot 就可以是一個Bank 。 nullExample1:欲採用64Mbx8(512Mb)的DRAM Chip組成1GB 的ECC 及Non-ECC DIMM需多少的DRAM Chip? For non-ECC(64 bit) [(64Mbx8)x8]x2(bank)=128Mbx64=>需16顆 For ECC(72 bit) [(64Mbx8)x9]x2(bank)=128Mbx72=>需18顆Example2:欲採用64Mbx4(512Mb)的DRAM Chip組成1GB 的Register Memory需多少的DRAM Chip? ECC(72 bit) [(64Mbx4)x18]x2(bank)=128Mbx72=>需36顆null常見的記憶體TimingCL : CL是CAS Latency的縮寫，意為列地址選通脈衝（Column Address Strobe、Column Address Select），CAS控制著從收到CPU命令到執行的間隔時間，通常DDR SDRAM為2、2.5、3，DDR2 SDRAM則是4、5、6這個幾個Clock Cycle。 在整個記憶體矩陣中，因為CAS依照列位址管理物理位址，因此在穩定的前提下，此參數值越低越好。既然存取資料是採矩陣方式，因此採行與列定義資料所在。 當命令要求到達記憶體後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，並在被請求後需預先充電，一旦tRAS被啟動，RAS才開始在一半的物理位址中搜尋，行被選定後，tRCD初始化，最後才通過CAS找到精確的所在位置。由於CAS是尋找位址的最後一個步驟，因此在記憶體參數中最為重要。nulltRAS: tRAS在記憶體運作規範的解釋是Active to Precharge Delay，代表行位址有效至預充電時間。 從收到一個命令後到初始化RAS（行位址選通脈衝）真正開始接受資料的間隔時間。 由於記憶體存取是屬於動態過程，有時記憶體非常繁忙，但也有相對閒置的狀態，且tRAS命令是存取新資料的過程（如：開啟一個新的應用程式），但畢竟發生的機率不高，因此這項參數的影響性不若CL來得大。nulltRCD: 一般來說，tRCD代表的是RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲），相較於CAS，RAS意指Row Address Strobe（行位址選通脈衝）。 CAS和RAS共同決定了記憶體尋址動作，從RAS到CAS實際上並非連續狀態，而是存在著延遲因素。 然而，這項條件對系統性能的影響並不大，因為存取資料至記憶體中是一個持續的過程，在同個程序中，通常都會在同一行中尋址，所以在這種情況下，即不會不存在行尋址到列尋址的延遲。nulltRP: tRP是RAS Precharge Time（行位址預充電時間）的縮寫，也就是記憶體從結束一個行存取結束到重新開始的間隔時間。 簡單地說，在依次經歷過tRAS，然後RAS、tRCD和CAS之後，需要結束當前的狀態再重新開始新的循環，這也是記憶體運作的基本原理。 如果系統擔負的工作需要大量的資料變化，比方像3D遊戲，此時一個程序就需要使用許多的行來存取，tRP的參數值越低表示在不同行位址間切換的速度越快。 nullCMD Rate: CMD Rate (DRAM Command Rate)，也就是首命令延遲。由於DDR記憶體在尋址時，首先必須經過決定P-Bank（Physical Bank）的程序（透過DIMM上Chip Select訊號進行），然後才是L-Bank/行啟動與列位址的選擇。 此參數的含義是當P-Bank完成後，多少時間可發出具體的尋址L-Bank命令。在AMD K8主機板的BIOS設定中，通常會有CMD Rate這個選項，可以調整成Auto、1T或2T。一般情況下，是調成Auto模式，讓系統自行決定時序。 好一點的DRAM模組，可以嘗試調成1T來增加系統效能。不過，隨著主機板上記憶體模組的增加，系統的負載也相對提升，過短的命令間隔可能會影響系統穩定性。 通常只插2條DIMM時，可以1T Command來為系統效能加速，但DIMM插槽全部安裝記憶體、系統處於滿載（Full loading）的情況下，將可能只可使用2T模式，以確保系統穩定性。 nullDual Channel TechnologyDual Channel 是用來提升記憶體傳輸頻寬的技術,它利用兩組記憶體通道同時傳輸資料,能將資料頻寬提升一倍. 為什麼要使用Dual Channel ,我們以Pentium4 (533MHZ)搭配DDR400 為例： FSB Bandwidth : 4.3GB/S DDR Bandwidth : 3.2GB/S 記憶體無法配合系統匯流排頻寬時,CPU 只能發揮3.2/4.3(約74.4%)的資料處理能力. 基於上述原因, Dual Channel 孕育而生以配合現在,與未來更快的系統匯流排.nullDual Channel有兩 64 + 64 bits 模式CPU64 bits64 bitsMemory ControllerDIMM2DIMM 1此模式將兩個64位元的DIMM Slot 直 接定址成128位元.它一次傳送128bits Data,NB 再分兩次傳送給CPU.Intel即使用此種模式. 優點 : 傳輸效能較高,只需一組Memory Controller 缺點 : 必須安裝成對且相同容量的Memory.較多的使用限 制.null64 X 2 模式CPU64 bits64 bitsMC1DIMM2DIMM 1MC2它和64 + 64 bits 模式最大的不同在於使用兩組64位元的Memory Controller來控制Channel.這兩組MC各自獨立,交錯存取兩個Memory Channel以達到類似一次傳送128bits的效果. nVIDIA 的nFoece即採用此種模式. 優點 : 具備使用彈性. 缺點 : 傳輸效能比64 + 64 bits 差.null記憶體的延伸運用 隨著PC記憶體容量的提升，使得記憶體原先角色為系統配置存放軟體與CPU存取的用途之外，也開始被其他硬體零組件拿來加利用，以達到降低成本、增進效能的目的，例如AGP或PCI Express介面架構，就設計成能讓繪圖晶片(GPU)挪用系統記憶體來存放影像材質，達到用來加快視訊資料的處理表現。 至於整合型晶片組所內建的繪圖核心，則是透過UMA（Unified Memory Architecture）技術，同樣以系統記憶體做為擺放材質之處甚至視訊資料的用途。 而新款的入門級顯示卡(例如NVIDIA的TurboCache與ATI的HyperMemory)所使用的加強型UMA技術，可透過PCI-e匯流排雙向傳輸的特性，讓繪圖晶片(GPU)直通系統記憶體來高速存取與運算3D繪圖時的材質資料，以達到減少顯示卡內建記憶體容量、又能兼顧效能維持在水準之上的目的！nullNVIDIA提出的TurboCache技術，是屬於UMA架構的強化版，挪用系統記憶體供顯示卡使用，讓顯示卡本身配置視訊記憶體的成本得以縮減。