IGBT半导体模块检验规范

文件编号修改状态文件名称：半导体模块检验文件受控状态：生效日期：版本修改范围或修改条例修改日期修改人校核A/0新编制会签部门会签人/日期会签部门会签人/日期审核批准1目的为进一步提高半导体模块的质量，在进料时严格把关，明确来料品质验收标准，规范检验动作，使检验、判定标准达到一致性。2范围本规范适用我司所有半导体模块件，即为半导体模块检验通用标准，具体包括二极管（包括整流桥）、IGBT、晶闸管及其模块。3参考资料《外购件检验规范》。4检验工具及要求4.1检验工具：万用表、绝缘电阻测试仪。4.2检验要求：此类器件为静电敏感型，来料包装必须符合相关防静电要求，检验时必须佩带静电手环或者静电手套。5常见半导体厂商此类器件进货渠道均为代理厂家，检验同时填写代理厂商和原厂商。常见原厂商品牌标识英飞凌西门康艾赛斯威世科锐美高森美威海新佳APT16外观检验6.1检查产品的型号规格、厂商是否正确；6.2包装良好且符合防静电要求，有产品出厂检验合格证或条形码6.3生产日期必须在两年以内，同一次送货，每一种类电子元器件的批次号不能超过2个批次。6.4标志丝印应正确、清晰；6.5本体不应有损伤、沾污、锈斑、开裂，底部要求平整，无划痕。7二极管模块检验7.1测试方法正极负极（阳极）（阴极）二极管符号将数字万用表档位调节到二极管测试档，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测试的是二极管的正向电压，然后将表笔对调测试二极管的反向电压，应符合以下规定。规定：小功率晶体二极管正向电压值：硅管0.6～0.8V；锗管0.2～0.5V。大功率晶体二极管正向电压值：硅管0.6～1.0V；锗管0.2～0.6V。反向不导通，数字万用表显示0L。7.2常见二极管模块对于以下二极管模块，可将其拆分为多个二极管进行测试，分别测量单个二极管的管压降，必须全部符合上述规定。串联共阳共阴单向整流桥三相整流桥28IGBT模块检验8.1工作原理如下图所示，在IGBT的栅极G和发射机E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G与发射极E之间施加十几V的直流电压，只有uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。IGBT等效电路IGBT符号8.2管压降测试将数字万用表档位调节到二极管测试档，参照二极管测试方法，测量EC脚正向和反向电压值（即EC极外接续流二极管的压降），应在规定数值内，具体技术参数见附件《IGBT静态测试值》。管压降测试8.3结电容测试将数字万用表档位调节到电容测试档，测量GE结电容值（即输入电容），万用表红表笔接G极，黑表笔接E极，所测得的电容值应在规定数值内，具体技术参数见附件《IGBT静态测试值》。38.4绝缘测试对于存放三年以上或从其它仓转原材料仓的IGBT类半导体电子元器件，需增加绝缘电阻测试。要求：500V绝缘电阻测试仪测定逆变器对外壳的绝缘电阻＞10MΩ。9晶闸管模块检验9.1工作原理如下图所示，晶闸管有三个极，阳极A，阴极K，门极G，只有在GK两极之间加上正向偏置电压，AK极之间才能导通，此时撤销GK两极正向偏置电压，不影响AK极导通，只有将AK极电压倒置，才能阻断AK极之间的导通状态。晶闸管结构原理图9.2测试方法①数字万用表选用电阻档，测量晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时万用表读数均为几十兆欧（阻值无穷大），若万用表阻值读数不为几十兆欧（不为无穷大），说明该单向晶闸管内部已击穿损坏。②数字万用表选用电阻档，测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值（实际测量结果较普通二极管的正、反向电阻值小一些），即正向电阻值较小（小于2kΩ），反向电阻值较大（大于80kΩ）。若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。若正、反电阻值均相等或接近，则说明该晶闸管已失效，其G、K极间PN结已失去单项导电作用。4③数字万用表选用电阻档，测量阳极A与门极G之间的正、反向电阻值，正常时两个阻值均为几百千欧姆（kΩ）或无穷大，若出现正、反向电阻值不一样（有类似二极管的单向导电），则是G、A极之间反向串联的两个PN结中的一个已击穿短路。9.3常见晶闸管模块参考二极管模块测试方法，将SKKT视为两个晶闸管，SKKH视为一个晶闸管和一个二极管，根据二极管和晶闸管测试方法分别测量。SKKT晶闸管模块SKKH晶闸管模块10附件IGBT静态测量值.doIGBT检验记录表.do二极管检验记录表.晶闸管检验记录表.cxcxdocxdocx本文件由制造部编制并负责解释，自发布之日起实施。5