[资料]50n06规格书

[资料]50n06规格 N-Channel Enhacement Mode Field Effectt Transistor 广州友益电子科技有限公司 50N06 N-Channel Enhacement Mode Field Effectt Transistor 75NF75 ? 主要用途 低压高速电源开关 ?极限参数(TA=25?) 符号 数值 单位 参数说明 漏极—源极电压 VDSS 60 V 漏极电流(连续) ID 50 A 栅源电压 VGS ?20 V 耗散功率(TC=25?) PD 130 W 结温 TJ 150 ? 贮存温度 Tatg -55-175 ? G D S ?电参数(TA=25?) 参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 BV V=0V, I=250µA 60 V 漏源反向电压 DSSGSD I V = 60V, V= 0V, T = 25? 1 漏源截止电流 µA DSSDSGSJ IV = ?20V ?100 nA 栅源截止电流 GSS GS R V=10V,I=25A 0.018 0.023 ? 通态电阻 DS(ON)GSD V V = V, I = 250µA 2.0 4.0 V 栅-源极开启电压 GS(TH)DSGSD g V=25V, I =15.5A 19 S 跨导 fsDSD 5-1 2007 动态特性 参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 C 880 1140 输入电容 iss V= 0V V = 25V GS DSC 430 560 pF 输出电容 oss f = 1.0MHz C 110 140 反向传输电容 rss Q 39 45 栅极电荷 g I=50A V=48V D DS Q9.5 gs 栅源电荷 nC V= 10V GS Q 13 栅漏电荷 gd 开关特性 参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 t 60 130 d(ON)延迟时间(开启) trise I = 25A 185 380 上升时间 DV = 30V ns DDR = 50? t G 75 160 延迟时间(关断) d(OFF) t 60 130 下降时间 fall 源漏二极管特性 参数说明 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单 位 VI=50A,V=0V 1.5 V 源漏二极管导通电压 SD SGS 5-2 2007 图一 安全工作区曲线 -T关系曲线 图二 PDCPIDD(A) (W) T(?) V(V) CDS 图四 典型输出特性曲线 图三 I-T关系曲线 DC IIDD(A) (A) T(?) V(V) CDS 2007 5-3 图五 结到管壳热阻 ZθJC t(s) p 图六 最大峰值电流 IDM (A) t(s) p 图七 典型传输特性曲线 图八 R-V曲线 DS(ON)GS RIDS(ON)D(A) ( ?) V(V) V(V) GSGS 5-4 2007 图九 R-I曲线 图十 R-T曲线 DS(ON)DDS(ON)JRDS(ON) DS(ON) ( ?) T(?) I(A) JD V 图十一 V-T曲线 图十二 C-V曲线 GS(TH)JDS C(pF) GS(TH) T(?) V(V) JDS R 2007 5-5