七变容二极管调频器
篇一:高频实验八 变容二极管调频实验报告
实验八 变容二极管调频实验
一 实验目的
1. 进一步学习掌握频率调制相关理论。
2. 掌握用变容二极管调频振荡器实现FM的电路原理和方法。 3. 理解变容二极管静态调制特性、动态调制特性概念并掌握测试方法。
二、实验使用仪器
1(变容二极管调频振荡电路实验板 2(100MH泰克双踪示波器 3. FLUKE万用表 4. 高频信号源
三、实验基本原理与电路
1. 变容二极管调频原理
变容二极管的调频原理可用图8-1
。变容二极管的电容C和电感L组成
LC振荡器的谐振电路,其谐振频率近似为 f?
12?LC
。在变容二极管上加一
固定的反向直流偏压U偏和调制电压U?(图,),则变容二极管的结电容C将随调制信号U?的幅度变化而变化 ,通过二极管的变容特性(图,)可以找出结电容C随时间的变化曲线(图;)。此电容C由两部分组成,一部分是C0 ,由反向直流偏压U偏决定,为固定值;另一部分是变化的电容,由调制电压U?的幅度决定,可以表示为Cmcos?t,其中?为调制信号的频率。Cm是电容变化部分的幅度,则有
C,C0十Cmcos?t将C代入f的公式,化简整理可得
f?f0?1f0?Cmcos?t?f0??f
2
C0
式中?f=?
C1
f0mcos?t 2C0
f0是Cm?0时,由电感L和固定电容C0所决定的谐振频率,称为中心频率,
f0?
12?LC0
。?f是频率的变化部分,而
1Cm
是频率变化部分的幅值,称f0
2C0
为频偏。式中的负号表示当回路电容增加时,频率是减小的。我们还可通过图8-1(C)及图(D)(L固定,f与成反比曲线)找出频率和时间的关系。比较图(a)及图(e),可见频率f是随调制电压u?的幅度变化而变化,从而实现了调频。
ff
图8-1 变容二极管调频原理
3. 变容二极管调频实验电路
变容二极管调频实验电路如图8-2。
图8-2 变容二极管调频实验电路
四、实验内容
1(变容二极管调频静态调制特性测试。 2(变容二极管调频动态调制特性测试。 3(变容二极管的Cj,V特性曲线的测量。
4. 用示波器观察调频信号的时域波形,并和幅度调制信号的时域波形相比较,
异同和原因。
5. 频谱分析仪观察调频信号的频
谱,并和幅度调制信号的频谱相比较,分析原因。
五、实验步骤及数据记录与分析
1(变容二极管调频静态调制特性测试
在实验箱主板上插上变容二极管调频实验电路模块。接通实验箱上电源开关,电源指标灯点亮。
断开J2,连接J1。调整电位器RW1,在测试点TP2测电压为+5V,即变容二极管的反向偏压为-5V。
连接J1,调整微调电容CV1,电位器RW2、RW3在TP3得到频率为10.7MHz的最大不失真正弦信号(频率由OUT端测试)。
调整RW1,改变变容二极管两端的反向偏置电压VD,测量变容二极管调频实验电路的输出频率,得到变容二极管调频静态调制特性。
表8-1变容二极管调频静态调制特性
(2)变容二极管调频动态调制特性测试
用低频信号发生器作为音频调制信号源,输出频率f =1kHz、峰-峰值Vp-p=2V
左右(用示波器监测)的正弦波。
(1) 把音频调制信号加入到变容二极管调频实验电路模块IN1 端, 在变容二极管调频实验电路模块OUT端上用示波器观察FM波的时域波形,并和调幅信号的时域波形相比较,观察之间的异同点。
FM波的时域波形:
调频波在调制信号波峰呈现频率比较高,波谷处频率比较低,即反应在示波器上频率低处波形比较稀疏,频率高处波形比较密。但输出波形的幅度都是相等的。而调幅波则是频率相等但幅度不同的波形。 调幅波的时域波形:
篇二:变容二极管调频振荡器实验报告八
课程名称 高频电子线路
实验项目变容二极管调频振荡器成绩
学院 信息学院专业通信工程
学号姓名
实验时间实验室指导教师
一.实验目的
1.了解变容二极管调频器电路原理及构成。
2(了解调频器调制特性及测且方法。
二.实验设备
1.双踪示波器
2.频率计
3.万用表
4..清华科教TPE-GP2型高频电路实验箱及G4实验板板
三.实验原理
所谓调频,就是把所要传送的信息作为调制信号去控制载波信号的频率,使其按照调制信号幅度的大小变化。调频电路中,最简单的办法是采用变容二极管调频,利用变容二极管结电容的改变来控制振荡器振荡频率的变化。
实验电路如图5-1所示。三极管V1组成电容三点式振荡器的改进型电路,即克拉泼电路。变容二极管DC部分接入振荡回路中,是调频电路的主要元件。电位器RP1、电阻R2、电感L1为变容二极管提供静态时的反向直流偏置,调节RP1可改变主振荡器的振荡频率。V2为放大级,对振荡信号进行放大,以保证有足够的振荡幅度输出。调节RP3,可调节输出幅度的大小。V3为射随器,以提
高带负载的能力。
调制信号由IN处输入,经变容二极管DC和主振荡调频后,再经V2、V3放大后由OUT处输出。
四.实验内容
1.FM调制器静态调制特性测量
五.实验步骤及记录(包括数据、图表、波形、程序
等)
实验电路图
步骤:
输入端不接音频信号,将频率计接到调频器的F端(C3(,100pf )电容接与不接两种状态,调整RP1 使Ed=4v 时f0 = 6.5MHZ ,然后重新调节电位器RP1 ,使Ed在0.5,8V范围内变化,在C3接入和不接入时,测量电路输出频率,将对应的频率填表8.1,并依据测试结果在坐标图中绘出其静态调制特性曲线。
数据及图像:
不接入C3时的调制特性曲线接入C3时的调制特性曲线
六.实验结果分析
由实验结果可以看出无论接不接如C3时,其频率都会随Ed变化而变化,且当Ed增大时,f也会增大,当Ed减小时
f也随之减小。
七(实验小结
变容二极管是利用半导体PN结的结电容随外加反向电压而变化的特性制成的一种半导体二极管,其容值随调制电压的变化而变化。当调制电压增大时其结电容减小,当电压减小时,结电容增大。根据频率与电容的关系,则可以得到FM调制器静态调制特性曲线。
八(思考
及解答
(1)答:在Ed=4?1V期间的调制灵敏度S为S=?f/?u,S=0.087。而且曲线的斜率受电压和频率的影响。
篇三:变容二极管调频实验报告(高频电子线路实验报告)
变容二极管调频实验
一、实验目的
1、 掌握变容二极管调频电路的原理。 2、 了解调频调制特性及测量方法。
3、 观察寄生调幅现象,了解其产生及消除的方法。
二、实验内容
1、 测试变容二极管的静态调制特性。 2、 观察调频波波形。
3、 观察调制信号振幅时对频偏的
影响。 4、 观察寄生调幅现象。
三、实验仪器
1、 信号源模块 1块 2、 频率计模块 1块 3、 3 号板1块 4、 双踪示波器 1台 5、 万用表1块 6、 频偏仪(选用) 1台
四、实验原理及电路
1、 变容二极管工作原理
调频即为载波的瞬时频率受调制信号的控制。其频率的变化量与调制信号成线性关系。常用变容二极管实现调频。
变容二极管调频电路如图1所示。从P3处加入调制信号,使变容二极管的瞬时反向偏置电压在静态反向偏置电压的基础上按调制信号的规律变化,从而使振荡频率也随调制电压的规律变化,此时从P2处输出为调频波(FM)。C15为变容二级管的高频通路,L2为音频信号提供低频通路,L2可阻止外部的高频信号进入振荡回路。本电路中使用的是飞利浦公司的BB910型变容二极管,其电压-容值特性曲线见图12-4,从图中可以看出,在1到10V的区间内,变容二极管的容值可由35P到8P左右的变化。电压和容值成反比,也就是TP6的电平
越高,振荡频率越高。
图2表示出了当变容二极管在低频简谐波调制信号作用情况下,电容和振荡频率的变化示意图。在(a)中,U0是加到二极管的直流电压,当u,U0时,电容值为C0。uΩ是调制电压,当uΩ为正半周时,变容二极管负极电位升高,即反向偏压增大;变容二极管的电容减小;当uΩ为负半周时,变容二极管负极电位降低,即反向偏压减小,变容二极管的电容增大。在图(b)中,对应于静止状态,变容二极管的电容为C0,此时振荡频率为f0。
因为f?
12?LC
,所以电容小时,振荡频率高,而电容大时,振荡频率低。从图(a)
中可以看到,由于C-u曲线的非线性,虽然调制电压是一个简谐波,但电容随时间的变化是非简谐波形,但是由于f?
12?LC
,f和C的关系也是非线性。不难看出,C-u和f-C的
非线性关系起着抵消作用,即得到
f-u的关系趋于线性(见图(c))。
图2 调制信号电压大小与调频波频率关系图解
2、 变容二极管调频器获得线性调制的条件
设回路电感为L,回路的电容是变容二极管的电容C(暂时不考虑杂散电容及其(原文来自:wWW.hnboxu.Com 博旭 范文网:七变容二极管调频器实验报告)它与变容二极管相串联或并联电容的影响),则振荡频率为f?
12?LC
。为了获得线性调制,频
率振荡应该与调制电压成线性关系,用数学表示为f?Au,式中A是一个常数。由以上二式可得Au?
12?LC
,将上式两边平方并移项可得C?
1?2
,这即是变?Bu222
(2?)LAu
容二极管调频器获得线性调制的条件。这就是说,当电容C与电压u的平方成反比时,振荡频率就与调制电压成正比。
3、 调频灵敏度
调频灵敏度Sf定义为每单位调制电
压所产生的频偏。 设回路电容的C-u曲
线可表示为C?Bu
?n
,式中B为一管子结构即电路串、
并固定电
容有关的参数。将上式代入振荡频
率的表示式f?
n2
12?LC
中,可得
f?
调制灵敏度
u
2?LB
Sf?
当n,2时
?fnu
?
?u4?LB
n?12
Sf?
12?LB
设变容二极管在调制电压为零时的
直流电压为U0,相应的回路电容量为C0,振荡频率为
f0?
12?LC0
,就有
?2
C0?BU0
f0?
U02?LB
则有Sf?
f0
U0
上式表明,在n,2的条件下,调制灵敏度与调制电压无关(这就是线性调制的条件),而与中心振荡频率成正比,与变容二极管的直流偏压成反比。后者给我们一个启示,为了提高调制灵敏度,在不影响线性的条件下,直流偏压应该尽可能低些,当某一变容二极管能使总电容C-u特性曲线的n,2的直线段愈靠近偏压小的区域时,那么,采用该变容二极管所能得到的调制灵敏度就愈高。当我们采用串和并联固定电容以及控制高频振荡电压等方法来获得C-u特性n,2的线性段时,如果能使该线性段尽可
能移向电压低的区域,那么对提高调制灵敏度是有利的。
由Sf?
12?LB
可以看出,当回路电容C-u特性曲线的n值(即斜率的绝对值)愈大,
调制灵敏度越高。因此,如果对调频器的调制线性没有要求,则不外接串联或并联固定电容,并选用n值大的变容管,就可以获得较高的调制灵敏度。
五、实验步骤
1、 连线框图如图3所示
图3 变容二极管调频接线图
2、 静态调制特性测量
(1)将3号板SW1拨置“LC”,P3端先不接音频信号,将频率计接于P2处。 (2)调节电位器W2,记下变容二极管测试点TP6电压和对应输出频率,并记于表1中。 3、 动态测试
(1)将电位器W2置于某一中值位置,将峰,峰值为4V,频率为1KHz的音频信号(正弦波)从P2输入。
(2)在TP6用示波器观察,可以看到调频信号特有的疏密波。将示波器时间轴靠拢,可以看到有寄生调幅现象。
调频信号的频偏可用频谱分析仪观测。
六、实验结果
1、调节电位器W2变容二极管测试点TP6电压和对应输出频率如表1所示。
2、静态调制特性曲线见附表图4。 调制灵敏度:
影响曲线斜率的主要因素为:
3、实际观察到的FM波形见附表图5。
频偏变化与调制信号振幅的关系为:由图5可知两条正弦波之间的相差随调制信号幅度大小变化而变化。