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IR2110

2017-09-02 5页 doc 55KB 31阅读

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IR2110IR2110 IR2110 IR2110是IR公司生产的大功率MOSFET和IGBT专用驱动集成电路,可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动,同时还具有快速完整的保护功能,因而它可以提高控制系统的可靠性,减少电路的复杂程度。 IR2110的内部结构和工作原理框图如图4所示。图中HIN和LIN为逆变桥中同一桥臂上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端。SD为保护信号输入端,当该脚接高电平时,IR2110的输出信号全被封锁,其对应的输出端恒为低电平;而当该脚接低电平时,IR2110的输出信号跟随HIN和LIN而变化,在实...
IR2110
IR2110 IR2110 IR2110是IR公司生产的大功率MOSFET和IGBT专用驱动集成电路,可以实现对MOSFET和IGBT的最优驱动,同时还具有快速完整的保护功能,因而它可以提高控制系统的可靠性,减少电路的复杂程度。 IR2110的内部结构和工作原理框图如图4所示。图中HIN和LIN为逆变桥中同一桥臂上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端。SD为保护信号输入端,当该脚接高电平时,IR2110的输出信号全被封锁,其对应的输出端恒为低电平;而当该脚接低电平时,IR2110的输出信号跟随HIN和LIN而变化,在实际电路里,该端接用户的保护电路的输出。HO和LO是两路驱动信号输出端,驱动同一桥臂的MOSFET IR2110的自举电容选择不好,容易造成芯片损坏或不能正常工作。VB和VS之间的电容为自举电容。自举电容电压达到8.3V以上,才能够正常工作,要么采用小容量电容,以提高充电电压,要么直接在VB和VS之间提供10,20V的隔离电源,本电路采用了1μF的自举 电容。 为了减少输出谐波,逆变器DC/AC部分一般都采用双极性调制,即逆变桥的对管是高频互补通和关断的。 逆变桥部分,采用IGBT作为功率开关管。由于IGBT寄生电容和线路寄生电感的存在,同一桥臂的开关管在开关工作时相互会产生干扰,这种干扰主要体现在开关管门极上。以上管开通对下管门极产生的干扰为例,实际驱动电路及其等效电路如图3所示。实际电路中,IR2110的输出推挽电路,这个电压尖刺幅值随母线电压,,,,和负载电流的增大而增大,可能达到足以导致,,瞬间误导通的幅值,这时桥臂就会形成直通,造成电路烧毁。 同样地,当,,开通时,,,的门极也会有电压尖刺产生。带有门极关断箝位电路的驱动电路通过减小,,和改善电路布线可以使这个电压尖刺有所降低,但均不能达到可靠防止桥臂直通的。门极关断箝位电路针对前面的,本文将提出一种门极关断箝位电路,通过在开关管驱动电路中附加这种电路,可以有效地降低上述门极尖刺。门极关断箝位电路由MOSFET管MC1和MC2,MC1门极下拉电阻RC1和MC2门极上拉电阻RC2组成。实际上该电路是由MOSFET构成的两级反相器。当MC1门极为高电平时,MC1导通,MC2因门极为低电平而关断,不影响功率开关管的正常导通;当MC1门极为低电平时,MC1关断,MC2因门极为高电平而饱和导通,从而在功率开关管的门极形成了一个极低阻抗的通路,将功率开关管的门极电压箝位在0V,基本上消除了上文中提到的电压尖刺。 在使用这个电路时,要注意使MC2D、S与功率开关管GE间的连线尽量短,以最大限度地降低功率开关管门极寄生电感和电阻。在电路板的排布上,,,,要尽量靠近功率开关管,而MC1,RC1和RC2却不必太靠近MC2,这样既可以发挥该电路的作用,也不至于给电路板的排布带来很大困难。用双极型晶体管(如,,,,)同样可以实现上述电路的功能。双极型晶体管是电流型驱动,其基极必须要串联电阻。为了加速其关断,同时防止其本身受到干扰,基极同样需要并联下拉电阻,这样就使电路更加复杂。 同时,要维持双极型晶体管饱和导通,其基极就必须从电源抽取电流,在通常的应用场合这并无太大影响,但在自举驱动并且是,,,,的应用场合,这些抽流会大大加重自举电容的负担,容易使自举电容上的电压过低而影响电路的正常工作。因此选用MOSFET来构成上述门极关断箝位电路。可以看到在门极有一个电压尖刺,这个尖刺与门极脉冲的时间间隔刚好等于死区时间,由此可以它是在同一桥臂另一开关管开通时产生的。此时电压尖刺基本消除。通过实验验证,该电路确实可以抑制和消除干扰,有一定的使用价值,可以提高电路的可靠性 4、 保护电路设计及调试过程中的一些问 保护电路分为欠压保护和过流保护。 欠压保护电路如图5所示,它监测蓄电池的电压状况,如果蓄电池电压低于预设的10.8V,保护电路开始工作,使控制器SG3524的脚10关断端输出高电平,停止驱动信号输出。 图5中运算放大器的正向输入端的电压由R1和R3分压得到,而反向输入端的电压由稳压管箝位在,7.5V,正常工作的时候,由三极管V导通,IR2110输出驱动信号,驱动晶闸管正常工作,实现逆变电源的设计。当蓄电池的电压下降超过预定值后,运算放大器开始工作,输出跳转为负,LED灯亮,同时三级管V截止,向SG3524的SD端输出高电平,封锁IR2110的输出驱动信号。此时没有逆变电压的输出。 过流保护电路如图6所示,它监测输出电流状况,预设为1.5A。方波逆变器的输出电流经过采样进入运算放大器的反向输入端,当输出电流大于1.5A后,运算放大器的输出端跳转为负,经过CD4011组成的RS触发器后,使三级管V1基级的信号为低电平,三级管截止,向IR2011的SD1端输出高电平,达到保护的目的。 调试过程遇到的一个较为重要的问题是关于IR2110的自举电容的选择。IR2110的上管驱动是采用外部自举电容上电,这就使得驱动电源的路数大大减少,但同时也对VB和VC之间的自举电容的选择也有一定的要求。经过试验后,最终采用1μF的电解电容,可以有效地满 足自举电压的要求。 l驱动电路的功能与特点 开关电源的形式与种类很多,尽管各种不同的开关电源能达到的性能指标也各不相同,但总是由以下几个部分组成: (1)控制单元 一般都是由专门的集成电路担当这部分工作,也有用单片机、DPS作为控制单元核心的,视具体需要而定。 2(1 芯片功能简介 IR2110包括:逻辑输入、电平转换、保护、上桥臂侧输出和下桥臂侧输出。逻辑输入端采用施密特触发电路,提高抗干扰能力。输入逻辑电路与TTL,COMS电平兼容,其输入引脚阈值为电源电压Vdd的10,,各通道相对独立。由于逻辑信号均通过电平耦合电路连接到各自的通道上,允许逻辑电路参考地(VSS)与功率电路参考地(COM)之间有,5 V,,5 V的偏移量,并且能屏蔽小于50 ns脉冲,这样便具有较理想的抗噪声效果。两个高压MOS管推挽驱动器的最大灌入或输出电流可达2 A,上桥臂通道可以承受500 V的电压。输入与输出信号之间的传导延时较小,开通传导延时为120 ns,关断传导延时为95 ns。电源VCC典型值为15 V,逻辑电源和模拟电源共用一个15 V电源,逻辑地和模拟地接在一起。输出端设有对功率电源VCC的欠压保护,当小于8(2 V时,封锁驱动输出。 IR2110具有很多优点:自举悬浮驱动电源可同时驱动同一桥臂的上、下两个开关器件,驱动500 V主电路系统,工作频率高,可以达到500 kHz;具有电源欠压保护相关断逻辑;输出用图腾柱结构,驱动峰值电流为2 A;两通道设有低压延时封锁(50 ns)。芯片还有一个封锁两路输出的保护端SD,在SD输入高电平时,两路输出均被封锁。IR2110的优点,给实际系统设计带来了极大方便,特别是自举悬浮驱动电源大大简化了驱动电源设计,只用一路电源即可完成上下桥臂两个功率开关器件的驱动。
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