半导体物理与器件 期末考试复习题

侯识华(HouShi-Hua)shhou@scut.edu.cn声明：本资料仅用于我的学生复习用，请各位同学不要外传！谢谢合作！《半导体物理与器件》期末复习题一、（每小题6分，共30分）名词解释：1．电子的有效质量（第3章）P53-55，2．空穴的有效质量（第3章）P55-57，3．简并半导体（第4章）P92，4．补偿半导体（第4章）P96，5．迁移率（第5章）P111，6．负微分迁移率（第5章）P121,P122，7．过剩载流子（第6章）P137，8．双极输运（第6章）9．表面态（第6、9章）P160，10．pn结的势垒电容（第7章）P179，11．pn结的扩散电容（第8章）P210，12．二维电子气（第9章）P250，13．推导出热平衡半导体中电子浓度和空穴浓度所满足的方程。（第4章，（4.11）式、（4.19）式）P78-79,14．试分析n型半导体Si中电子浓度、电导率随温度的变化关系，并画出变化关系曲线图。（第5章）P119，15．习题6.16（第6章）16．习题6.20（第6章）17．习题6.29（第6章）18．习题6.30（第6章）19．习题6.38（第6章）20．习题7.34（第7章，一直到推导出（7.57）式）21．类似习题7.34（第7章，P173-P176，一直到推导出（7.31）式）22．画出零偏、反偏和正偏条件下的均匀掺杂pn结的能带图，并分析pn结的电流输运机制。（第7,8章）P171,P193，23．推导出式(7.10)式P172，(8.4)式P194，(8.6)、(8.7)式P195（即热平侯识华(HouShi-Hua)shhou@scut.edu.cn衡状态和正偏下的少子浓度表达式）24．画出零偏、反偏和正偏等偏置条件下的隧道二极管的能带图,并定性分析隧道二极管的电流-电压特性。（第8章）P224，25．对于smφφ>，画出接触前金属和n型半导体的能带图以及肖特基势垒二极管在零偏、反偏和正偏时的理想能带图，并分析其电流输运机制。（第9章）P232,P233，26．简述肖特基效应（肖特基势垒的镜象力降低效应）。（第9章）P236，27．试分析表面态对肖特基势垒二极管的影响。（第9章）P160,P238，并参考课件。28．对于smφφ<，画出接触前金属和n型半导体的能带图以及金属和n型半导体欧姆接触的理想能带图，并分析金属加正电压或者半导体加正电压时的电流输运机制（即分析该金属和n型半导体欧姆接触的电流输运机制）。（第9章）P245，29．对于smφφ>，画出接触前金属和p型半导体的能带图以及金属和p型半导体欧姆接触的理想能带图，并分析金属加正电压或者半导体加正电压时的电流输运机制（即分析该金属和p型半导体欧姆接触的电流输运机制）。（第9章）P245，30．画出pP、Np、nN、nP异质结在热平衡时的能带图，并分析在有偏压下各异质结的电流输运机制。（第9章）P249,P254，31．画出均匀掺杂n++p+n型双极晶体管处于热平衡状态时的能带图和处于正向有源模式时的能带图，并说明其电流输运机制。（第10章）P262，32．画图并说明均匀掺杂n++p+n型双极晶体管工作于正向有源模式时的粒子流密度和粒子流成份。（第10章）P273，33．画图并说明均匀掺杂n++p+n型双极晶体管工作于正向有源模式时的电流密度成份的来源。（第10章）P273，-------------完-------------