DG2N60

江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd VD-MOS：DG2N60 1/11 R○ 产 品 规 格 产 品 名 称: 场效应晶体管 产 品 型 号: DG2N60 Establishment: 冯 军 Verification ： 陈 夕 宁 ISSUE DATE: 2009-02-18 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ 概述与特点 DG2N60型VDMOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下： ● 开关速度快 ● 输入电阻高 ● 热稳定性好 ● 驱动简单并可靠性高 ● 封装形式：TO-220/TO-220F/TO-251 ■ 电特性 ● 极限值 除非另有规定 T C = 25℃ VD-MOS：DG2N60 2/11 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 漏 源 电 压 VDSS 600 V 连续漏极电流 T C = 25℃ ID 2.4 A T C = 100℃ 1.5 电 流 IDM 9.6 A 电 压 VGS ±30 V 单脉冲能量雪崩 EAS 140 mJ 雪崩电流 IAR 2.4 A 重复性雪崩 EAR 6.4 mJ 高峰二极管复苏 dv/dt dv/dt 4.5 V/ns 耗散功率 TC=25℃ P D 64 W above 25°C 0.51 W/℃ 结 温 Tj 150 ℃ 贮 存 温 度 TSTG -55 to +150 ℃ 焊接最高结温 TL 300 ℃ 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ 电参数 除非另有规定，TC= 25℃ VD-MOS：DG2N60 3/11 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 规 范 值 单 位 最 小 典 型 最 大 漏 源 击 穿 电 压 VDSS VGS=0V, ID=250 uA 600 V 通 态 电 阻 RDS（ON） VGS=10V, ID=1.2A 3.7 4.7 Ω 阈 值 电 压 VGS（TH） VDS= VGS, ID=250uA 2.0 5.0 V 漏 源 漏 电 流 IDSS VDS=600V ,VGS=0V 10 μA VDS=480V ,TC=125℃ 100 源 栅 漏 电 流 IGSS VGS = ± 30V,VDS=0V ±100 nA 转-上延迟时间 td(on)a VDD=300V,ID=2.4A RG=25Ω 10 30 ns 上 升 时 间 t r 25 60 转-下延迟时间 td(off)a 20 50 下 降 时 间 t f 25 60 向 前 跨 导 gfs VDS=50V，ID=1.2A 2.45 S 反 向 传 输 电 容 Crss VGS=0V,VDS=25V, f=1.0MHZ 5 7 pF输 出 电 容 Coss 40 50 输 入 电 容 Ciss 270 350 总 闸 电 荷 Qg VDS= 480V，VGS=10V， ID= 2.4A 9 11 nC栅 源 电 荷 Qgs 1.6 栅--漏 极 电 荷 Qgd 4.3 连续电源电流 I S Integral reverse pn-diode in the MOSFET 2.4 A 脉冲电源电流 ISM 9.6 二极管正向电压 VSD IS=2.4A,VGS=0V 1.4 V 反向恢复时间 t rr IS=2.4A,VGS=0V, dIF/dt=100A/μs 180 ns 反向恢复电荷 Q rr 0.72 μC a:脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2% 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ Thermal Characteristics ■ Characteristic Curve 图三 典型传输特性曲线 图四 通态电阻-温度 VD-MOS：DG2N60 4/11 参 数 名 称 符 号 规范值 单 位 典 型 最 大 Junction-to-Case RθJC -- 1.95 ℃/W Junction-to-Ambient RθJA -- 62.5 ℃/W 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ Characteristic Curve 电容特性 栅极电荷特性 击穿电压变化随温度 对电阻变化随温度 瞬态热响应曲线 VD-MOS：DG2N60 5/11 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ Test Circuit and Waceform 栅电荷测试电路及波形 电阻测试开关电路与波形 电感式开关试验回路及波形 VD-MOS：DG2N60 6/11 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ Test Circuit and Waceform 峰顶二极管回收的 dv / dt测试电路及波形 VD-MOS：DG2N60 7/11 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ 外观尺寸图 TO-220 VD-MOS：DG2N60 8/11 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ 外观尺寸图 VD-MOS：DG2N60 9/11 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ 外观尺寸图 TO-251 VD-MOS：DG2N60 10/11 江苏东光微电子股份有限公司 www.jsdgme.com Jiangsu Dongguang Micro-electronics Co.,Ltd DG2N60 ■ 外观尺寸图 TO-202-3 VD-MOS：DG2N60 11/11