第一章 准费米能级.doc

第一章 准费米能级.doc 长室为常压或低压，无需超高真空;?生长温度不太高FCLED结构:在这种结构中，光从蓝宝石衬底取出，第一章 准费米能级:非平衡态的电子与空穴各自处于(600,700 ?)，生长速率较快，可实现各种超晶格、不必从电流扩散层取出。由于不从电流扩散层出光，这热平衡态--准平衡态,可以定义E、E分别为电子和空FnFp量子结构;?纯度、组分分布、掺杂分布可控，可获得样不透光的电流扩散层可以加厚，增加Flip chip的电穴的准费米能级。 高纯度、均匀组分、突变组分或掺杂的各类异质结构;流密度。同时这种结构还可以将pn结的热量直接通过细致平衡原理:在稳态下，各种能级上的电子和空穴?晶体完整性好，可消除各类缺陷;?生长过程中由计金属凸点导给热导系数高的硅衬底，散热效果更优;而数目应该保持不变。 算机预先好的程序控制，可控性好，但不能进行实且在pn结与p电极之间增加了一个反光层，又消除了间接复合的四个过程:a:电子被复合中心俘获;b:时监测;?生长快，生长速度可以高达μm/min，片数电极和引线的挡光，因此这种结构具有电、光、热等方复合中心上的电子激发到导带;c:空穴被复合中心俘1.为了减少光被吸收，不采多，可同时生长许多片，重复性好，适宜于大批量生产;面较优的特性。 UV LED:获;d空穴的产生 ?MOCVD的实验设备比较昂贵，所用的源气体的毒性用GaN，而用带隙较大的AlGaN;2.多量子阱下有缓冲PN结空间电荷区的形成过程:载流子的扩散和漂移 很大，需要特别注意安全防护措施。 层及超晶格层以减少应变。 当N型和P型材料接触时，在P型中的空穴向N型一MOCVD生长过程的主要阶段:(1) 反应物气体混合物白光LED:目前制备白光LED的三种主要方法 边扩散，在N型中的电子向P型区扩散。由于电子和输运到外延生长区;(2) 反应物分子通过扩散，穿过边(1)红、绿、蓝(RGB)多芯片组合白光技术;优点:空穴的扩散，在互相靠近的N侧和P侧分别出现了没界层到达衬底表面;(3) 吸附分子间或吸附物与气体分是显色率高、寿命长，由于不需要荧光粉进行波长转换，有载流子补偿的，固定的施主离子和受主离子—空间子间发生化学反应生成晶体原子和气体副产物;(4) 生发光效率高。缺点:由于分别受单个芯片的性能影响，电荷。空间电荷建立了一个电场—空间电荷区电场，成的晶体原子沿衬底表面扩散到衬底表面上晶格的扭其色稳定性较差，由于有电流配置的问题，常常需要也叫内建电场。内建电场沿着抵消载流子扩散趋势的曲或台阶处结合进晶体点阵;(5) 副产物从表面脱附扩IC芯片控制，加上其光学方面的设计，其封装难度较方向，它使载流子向与扩散运动相反的方向漂移。在散穿过边界层进入主气流中被排出系统。 大，且成本很高，其每一个单元都是普通白光LED的热平衡时，载流子的漂移运动和扩散运动达到动态相光刻技术:是通过类似照相的曝光技术或电子束扫描、数倍。(2)单芯片加荧光粉合成白光技术;优点:技平衡，使得净载流子流为零。结果，建立一个确定的X光曝光等手段，将已经设计好的器件图案转移至半导术成本也较低，其色稳定性较好，工艺重复性好。缺空间电荷区。 体衬底或外延片上 点:紫外光芯片流明效率比较低,蓝光/黄光色相分离效肖特基势垒的形成过程:电子将从半导体渡越到金属，刻蚀技术:是通过化学腐蚀(湿法刻蚀)或离子溅射、应、强色温、电流依赖性、绿光和红光分量的缺乏等，使半导体表面出现未被补偿的离化施主的正电荷，金离子或等离子刻蚀(干法刻蚀)将光刻形成的图案变成从而导致显色性的不足。(3)MOCVD直接生长多有源属表面则积累负电荷， 同时二者的费米能级拉平。金半导体衬底和外延片自身的立体图形。 区的白光LED技术。优点:不需要荧光粉，也不需要属表面的负电荷是多余出来的导电电子，占据很薄一第三章 辐射复合:在复合过程中电子多余的能量可复杂的控制电路，制备过程也与普通的发光二极管相层。半导体中施主浓度比金属中电子浓度低几个数量以以辐射的形式(发射光子)释放出来，这种复合称为似。 级，所以半导体中的正电荷占据较厚的薄层，在半导辐射复合。 第四章 太阳能发电的独特特点:1.输入的太阳光体表面形成空间电荷层。 非辐射复合:在复合过程中电子的多余能量也可以以线储能无限，并且免费。2.没有运转部件，可以安静欧姆接触:定义为这样一种接触，它在所使用的结构其它形式释放出来，而不发射光子，这种复合称为非辐地生产清洁能源。3.维护简单，容易实现自动化和无上不会添加较大的寄生阻抗，且不足以改变半导 体内射复合。 人化。4.与规模大小无关，可按一定的效率发电。太的平衡载流子浓度使器件特性受到影响。 辐射复合的5种主要形式:浅能级和主带的复合;施阳能电池的转换效率，与其所利用的装置规模的大 小异质结定义:由两种基本物理参数(如禁带宽度)不主D-受主A对复合;通过深能级的复合;激子复合;无关，几乎是恒定的。5.由于是模板结构，易于产生同的半导体单晶材料组成的结。 等电子陷阱复合。 规模化效益。太阳能电池是以独特的模板结构制造的，异质结的特性:(1)异质结的高注入比;(2)异质结等电子陷阱:由等电子杂质代替晶格基质原子而产生易于大量生产。因此随着需求的扩大，利用连续自动化的超注入现象;(3)异质结对载流子和光的限制;(4)的束缚态 制造可以实现低成本化。6.用扩散光也可以发电。7.异质结的“窗口效应” 俄歇复合:电子和空穴复合时，把多余的能量传递给光发电是对废弃能源的有效利用。只是把本来放弃的能异质结的窗口效应:两种半导体在一起形成异质结时，第三个载流子，使它在导带或价带内部激发。第三个载量的一部分转变成电能而有效利用起来了。 由于禁带宽度不同，对光波的吸收波长也不同，即光流子在能带的连续态中做多声子发射跃迁，来耗散多余光生伏打效应的物理过程(能带图):第一、半导体材响应不同。只有在光子能量处于Eg1