传感器与检测技术试题_有答案

传感器与检测技术试题_有答案 一、名词解释（每题4分） 1、电涡流效应 2、霍尔效应 3、光电效应 二、填空（每空1分） 1、热电阻传感器可分为__金属热电阻式__和___半导体热电阻式__两大类，前者简称__热电阻__，后者简称_热敏电阻_。 2、基于场的定律的传感器称为__，基于物质定律的传感器称为___。 3、传感器动态标定使用的标准激励信号分为两类：__和__。 4、半导体材料的应变电阻效应主要基于_效应。 5、无外磁场时，霍尔元件在额定控制电流下，两霍尔电极之间的开路电势称为__不等位电势____。 6、逆压电效应又叫___。基于该效应的发生器分别是超声检测和声表面波检测技术及仪器的关键器件。 7、压电陶瓷除了具有压电性，还具有____，因此它可制作热电传感器件而用于红外探测器中。 8、光纤的最初研究是应用于_______领域。 9、将一灵敏度为0.08mV/℃的热电偶与电压表相连接，电压表接线端为25℃，若电压表读数为30mV，热电偶的热端温度为_______。 10、脉冲回波法测厚，已知超声波在工件中的声速5000m/s，测得时间间隔为18μs，工件厚度为___5000*9*10^-6=0.045m____。 11、编码器按结构形式有__编码器和_编码器。 12、热电偶传感器的工作基础是____________，其产生的热电势包括________电势和_______电势两部分。热电偶的___连接导体___定律是工业上运用补偿导线法进行温度补偿的理论基础；__中间温度__定律为制定分度表奠定了理论基础；__参考电极__定律简化了热电偶的选配工作。 电涡流传感器的线圈与被测物体的距离减少时，互感系数M将 。 利用电涡流位移传感器测量转速时，被测轴齿盘的材料必须是 导磁体 。 利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量等转换成线圈 或互感量的变化，这种装置称为电感式传感器。 1. （ A ）传感器属于无源型传感器。 A．压电式 B．霍尔式 C．电感式 D．电容式 在尘埃、油污、温度变化较大，并伴有振动等干扰的恶劣环境下测量时，传感器的选用必须首先考虑（ C ）因素。 A．响应特性 B．灵敏度 C．稳定性 D．精确度 3、电桥测量电路的作用是把传感器的参数变化为（ C ）的输出。 A．电阻 B．电容 C．电压 D．电荷 4、半导体应变片具有（ A ）等优点。 A．灵敏度高 B．温度稳定性好 C．参数一致性高 D．接口电路简单 5当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率发生变化的现象，称（ B ） A.光电效应 B.压阻效应 C.压电效应 D.霍尔效 导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值发生相应变化的现象，称（ A ） A. 应变效应 B.光电效应 C.压电效应 D.霍尔效应 差动变压器式传感器可测出微小位移，如想分辨出位移的方向，则应在电路中加（ C ）电路。 A.调频电路 B.放大电路 C.相敏检波电路 D.交流电桥 电感式和电容式传感器采用差动连接的目的是（ D ）。 A．改善回程误差 B．提高固有频率 C．提高精度 D．提高灵敏度 2: 电容传感器做成差动式之后，灵敏度（ 1 ），而且非线性误差（ 2 ）。 （ B ） A.1提高，2增大 B.1提高，2减小 C.1降低，2增大 D.1降低，2减小 3:变极距型电容传感器，初始极距（ 1 ），传感器灵敏度（ 2 ）。( D ) A.1增大，2不变 B.1减小，2不变 C.1减小，2减小 D.1减小，2增大 1: 压电式加速度传感器是（ ）传感器。 A． 结构型 B．适于测量直流信号的 C．适于测量缓变信号的 D．适于测量动态信号的 2: 沿石英晶体的光轴Z的方向施加作用力，（ A ）。。 A.晶体不产生压电效应 B.在晶体的电轴X方向产生电荷 C.在晶体的机械轴Y方向产生电荷 D.在晶体的光轴Z方向产生电荷 3: 在电介质极化方向施加电场, 电介质产生变形的现象称为（ A ）。 A.正压电效应 B.逆压电效应 C.横向压电效应 D.纵向压电效应 4: 天然石英晶体与压电陶瓷比，石英晶体压电常数（ 1 ），压电陶瓷的稳定性( 2 )。( C ) A.1高，2差 B.1高，2好 C.1低，2差 D.1低，2好 导致霍尔元件产生不等位电势的原因有多种，以下论述中，( D )不是产生不等位电势的原因。 A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上 B.半导体材料不均匀 C.环境温度发生变化 D.激励电极接触不良 已知磁电式传感器的线圈运动时产生的磁场方向和原工作磁场方向相反，则随着线圈运动速度的增大，（ 1 ）了工作磁场的作用，传感器的灵敏度因此而（2）( A ) A.1增强，2增大 B.1增强，2减小 C.1减弱，2增大 D.1减弱，2减小 1、光敏电阻受到一定波长范围的光照时, 阻值(亮电阻)急剧（ 1 ），电路中电流迅速（ 2 ）。 A.1增大，2减小 B.1增大，2增大 C.1减小，2增大 D.1减小，2减小 2、在下列光电器件中，属于外光电效应的器件是（ A ）。 A.光电管 B.光敏电阻 C.光敏二极管 D.光电池 在下列光电器件中，属于光电导效应的器件是（ D ） A.光电倍增管 B.光电管 C.光电池 D.光敏晶体管 在精度要求不高的场合和测温范围较少时，普遍使用（ B ）金属热电阻 A．镍电阻 B．铜电阻 C．铂电阻 D．锰电阻 两种不同材料的导体A、B接触时产生接触电势eAB(T)，当导体电子浓度NA＞NB时，有( D )。 A.接触电势eAB(T)不存在 B.接触电势eAB(T)＝0 C.接触电势eAB(T)＜0 D.接触电势eAB(T)＞0 4、形成热电势的两个必要条件是( D )。 A.两种导体的材料相同，两接点处的温度相同 B.两种导体的材料相同，两接点处的温度不同 C.两种导体的材料不同，两接点处的温度相同 D.两种导体的材料不同，两接点处的温度不同 光在半导体中传播时，波长短的光子衰减（ 1 ）, 穿透深度较（ 2 ）。( B ) A.1快，2深 B. 1快，2浅 C.1慢，2深 D. 1慢，2浅 四、计算（每题6分） 1、某温度传感器特性方程为20dy/dt+5y=0.15x，其中y为输出电压（mV），x为输入温度（℃），求该传感器的时间常数τ和静态灵敏度k。 a1/a0=4;b0/a0=0.03 2、今有两加速度传感器均可作为二阶系统来处理，其中一只固有频率为25kHz，另一只为35kHz，阻尼比ξ均为0.3。若欲测量频率为10kHz的正弦振动加速度，应选用哪一只？请计算测量时将带来多大的振幅误差和相位误差。 3、有一阶跃光纤，已知n1 = 1.46，n2 = 1.46，外部介质为空气，n0 = 1。请计算光纤的数值孔径和最大入射角。 ？题目错了 已知惯性式磁电速度传感器的相对阻尼系数??，传感器-3dB的下限频率为16Hz，请计算传感器的自振频率值。 5、某电容式液位传感器由直径为40mm和8mm的两个同心圆柱体组成。储存灌也是圆柱形，直径为50cm，高为1.2m。已知真空介电常数，?0?8.85pf/m，被储存液体的相对介电常数εr ＝2.1。计算传感器的最小电容和最大电容以及当用在储存灌内传感器的灵敏度(pF/L)。 上有公式，已经抄下来了 一、名词解释（每题4分） 1、电涡流效应 2、霍尔效应 3、光电效应 二、填空（每空1分） 1、热电阻传感器可分为__金属热电阻式__和___半导体热电阻式__两大类，前者简称__热电阻__，后者简称_热敏电阻_。 2、基于场的定律的传感器称为__，基于物质定律的传感器称为___。 3、传感器动态标定使用的标准激励信号分为两类：__和__。 4、半导体材料的应变电阻效应主要基于_效应。 5、无外磁场时，霍尔元件在额定控制电流下，两霍尔电极之间的开路电势称为__不等位电势____。 6、逆压电效应又叫___。基于该效应的发生器分别是超声检测和声表面波检测技术及仪器的关键器件。 7、压电陶瓷除了具有压电性，还具有____，因此它可制作热电传感器件而用于红外探测器中。 8、光纤的最初研究是应用于_______领域。 9、将一灵敏度为0.08mV/℃的热电偶与电压表相连接，电压表接线端为25℃，若电压表读数为30mV，热电偶的热端温度为_______。 10、脉冲回波法测厚，已知超声波在工件中的声速5000m/s，测得时间间隔为18μs，工件厚度为___5000*9*10^-6=0.045m____。 11、编码器按结构形式有__编码器和_编码器。 12、热电偶传感器的工作基础是____________，其产生的热电势包括________电势和_______电势两部分。热电偶的___连接导体___定律是工业上运用补偿导线法进行温度补偿的理论基础；__中间温度__定律为制定分度表奠定了理论基础；__参考电极__定律简化了热电偶的选配工作。 电涡流传感器的线圈与被测物体的距离减少时，互感系数M将 。 利用电涡流位移传感器测量转速时，被测轴齿盘的材料必须是 导磁体 。 利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量等转换成线圈 或互感量的变化，这种装置称为电感式传感器。 1. （ A ）传感器属于无源型传感器。 A．压电式 B．霍尔式 C．电感式 D．电容式 在尘埃、油污、温度变化较大，并伴有振动等干扰的恶劣环境下测量时，传感器的选用必须首先考虑（ C ）因素。 A．响应特性 B．灵敏度 C．稳定性 D．精确度 3、电桥测量电路的作用是把传感器的参数变化为（ C ）的输出。 A．电阻 B．电容 C．电压 D．电荷 4、半导体应变片具有（ A ）等优点。 A．灵敏度高 B．温度稳定性好 C．参数一致性高 D．接口电路简单 5当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率发生变化的现象，称（ B ） A.光电效应 B.压阻效应 C.压电效应 D.霍尔效 导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值发生相应变化的现象，称（ A ） A. 应变效应 B.光电效应 C.压电效应 D.霍尔效应 差动变压器式传感器可测出微小位移，如想分辨出位移的方向，则应在电路中加（ C ）电路。 A.调频电路 B.放大电路 C.相敏检波电路 D.交流电桥 电感式和电容式传感器采用差动连接的目的是（ D ）。 A．改善回程误差 B．提高固有频率 C．提高精度 D．提高灵敏度 2: 电容传感器做成差动式之后，灵敏度（ 1 ），而且非线性误差（ 2 ）。 （ B ） A.1提高，2增大 B.1提高，2减小 C.1降低，2增大 D.1降低，2减小 3:变极距型电容传感器，初始极距（ 1 ），传感器灵敏度（ 2 ）。( D ) A.1增大，2不变 B.1减小，2不变 C.1减小，2减小 D.1减小，2增大 1: 压电式加速度传感器是（ ）传感器。 A． 结构型 B．适于测量直流信号的 C．适于测量缓变信号的 D．适于测量动态信号的 2: 沿石英晶体的光轴Z的方向施加作用力，（ A ）。。 A.晶体不产生压电效应 B.在晶体的电轴X方向产生电荷 C.在晶体的机械轴Y方向产生电荷 D.在晶体的光轴Z方向产生电荷 3: 在电介质极化方向施加电场, 电介质产生变形的现象称为（ A ）。 A.正压电效应 B.逆压电效应 C.横向压电效应 D.纵向压电效应 4: 天然石英晶体与压电陶瓷比，石英晶体压电常数（ 1 ），压电陶瓷的稳定性( 2 )。( C ) A.1高，2差 B.1高，2好 C.1低，2差 D.1低，2好 导致霍尔元件产生不等位电势的原因有多种，以下论述中，( D )不是产生不等位电势的原因。 A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上 B.半导体材料不均匀 C.环境温度发生变化 D.激励电极接触不良 已知磁电式传感器的线圈运动时产生的磁场方向和原工作磁场方向相反，则随着线圈运动速度的增大，（ 1 ）了工作磁场的作用，传感器的灵敏度因此而（2）( A ) A.1增强，2增大 B.1增强，2减小 C.1减弱，2增大 D.1减弱，2减小 1、光敏电阻受到一定波长范围的光照时, 阻值(亮电阻)急剧（ 1 ），电路中电流迅速（ 2 ）。 A.1增大，2减小 B.1增大，2增大 C.1减小，2增大 D.1减小，2减小 2、在下列光电器件中，属于外光电效应的器件是（ A ）。 A.光电管 B.光敏电阻 C.光敏二极管 D.光电池 在下列光电器件中，属于光电导效应的器件是（ D ） A.光电倍增管 B.光电管 C.光电池 D.光敏晶体管 在精度要求不高的场合和测温范围较少时，普遍使用（ B ）金属热电阻 A．镍电阻 B．铜电阻 C．铂电阻 D．锰电阻 两种不同材料的导体A、B接触时产生接触电势eAB(T)，当导体电子浓度NA＞NB时，有( D )。 A.接触电势eAB(T)不存在 B.接触电势eAB(T)＝0 C.接触电势eAB(T)＜0 D.接触电势eAB(T)＞0 4、形成热电势的两个必要条件是( D )。 A.两种导体的材料相同，两接点处的温度相同 B.两种导体的材料相同，两接点处的温度不同 C.两种导体的材料不同，两接点处的温度相同 D.两种导体的材料不同，两接点处的温度不同 光在半导体中传播时，波长短的光子衰减（ 1 ）, 穿透深度较（ 2 ）。( B ) A.1快，2深 B. 1快，2浅 C.1慢，2深 D. 1慢，2浅 四、计算（每题6分） 1、某温度传感器特性方程为20dy/dt+5y=0.15x，其中y为输出电压（mV），x为输入温度（℃），求该传感器的时间常数τ和静态灵敏度k。 a1/a0=4;b0/a0=0.03 2、今有两加速度传感器均可作为二阶系统来处理，其中一只固有频率为25kHz，另一只为35kHz，阻尼比ξ均为0.3。若欲测量频率为10kHz的正弦振动加速度，应选用哪一只？请计算测量时将带来多大的振幅误差和相位误差。 3、有一阶跃光纤，已知n1 = 1.46，n2 = 1.46，外部介质为空气，n0 = 1。请计算光纤的数值孔径和最大入射角。 ？题目错了 已知惯性式磁电速度传感器的相对阻尼系数??，传感器-3dB的下限频率为16Hz，请计算传感器的自振频率值。 5、某电容式液位传感器由直径为40mm和8mm的两个同心圆柱体组成。储存灌也是圆柱形，直径为50cm，高为1.2m。已知真空介电常数，?0?8.85pf/m，被储存液体的相对介电常数εr ＝2.1。计算传感器的最小电容和最大电容以及当用在储存灌内传感器的灵敏度(pF/L)。 ppt上有公式，已经抄下来了